摘要:
The present invention relates to an unsiliconized or siliconized wafer consisting essentially of recrystallized silicon carbide, the wafer having a diameter of at least 150 mm and a thickness of between 0.5 and 2 mm, and having a porosity or free silicon content between 15 v/o and 43 v/o.
摘要:
A method of preparing the fitting surface of a dental ceramic body for subsequent bonding to a tooth with, for example, glass polyalkenoate and resin based cements, including the step of depositing, by a vapour phase deposition technique, directly onto the fitting surface of the ceramic body a strongly adherent coating of an inorganic substance such as tin oxide at a thickness ideally less than 2 microns, the coating being reactive with the cement to provide a durable chemical bond therewith which is not subject to chemical degradation in the oral environment and which will not compromise the aesthetics of the associated dental restoration.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft neue thermoplastische Formmassen, enthaltend mindestens ein beschichtetes Keramikpulver und ein thermoplastisches Bindemittel, ein Verfahren zur Herstellung beschichteter Keramikpulver sowie ein Verfahren zur Herstellung von Formteilen aus Keramikpulvern.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von feinkeramischem Preßgranulat mittels der Wirbelschichtgranulationstrocknung, wobei das entstehende Granulat einer nachgeschalteten Preßformgebung entspricht. Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß dem feinkeramischen Schlicker zur Verflüssigung einschlägige Verflüssiger und als Bindemittel und Preßhilfsmittel Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylacetat (PVAC) und Polysaccharid/Acrylsäure (PS/AC) in den Mengen von 0,4 bis 1,5 Masse-%, bezogen auf den Trockenstoffanteil des Schlickers, im Verhältnis PVA : PVAC : PS/AC = (40 ± 20) : (50 ± 25) : (10 ± 10) % so zugesetzt werden, daß der Schlicker eine Feuchtigkeit von (38 ± 3) % und eine Dichte von (1600 ± 50) g/l besitzt und daß die Zulufttemperatur des Wärmeträgers zur Wirbelschichtgranulationstrocknung von feinkeramischem Preßgranulat 180 bis 250 °C und die Ablufttemperatur 40 bis 100 °C betragen.
摘要:
Silicon carbide sintered bodies having controlled porosity in the range of about 2 to 12 vol% in which the pores are generally spherical and about 50 to 500 microns in diameter, are prepared from raw batches containing a polymer fugitive. Sintered bodies in the form of mechanical seal members exhibit lower power consumption at low PV and, in addition, lower wear rates at high PV in comparison to commercially available silicon carbide seal members.
摘要:
Le procédé décrit, qui sert à réduire les phénomènes de rétrécissement selon l'axe XY pendant la cuisson de corps en céramique brute, consiste à placer sur le corps en céramique (5, 3) une couche de libération (7), qui devient poreuse pendant la cuisson, puis à procéder à la cuisson de l'assemblage tout en maintenant une pression sur l'assemblage perpendiculairement à la surface du corps.
摘要:
A paste for forming a superconducting ceramic film comprises a powder of a superconducting ceramic material or powders of ingredients which form a superconductive ceramic material by firing, an organic binder and a solvent. The paste is to be utilized in producing a multi-layer superconducting circuit substrate formed of a plurality of insulating layers laminated together and having holes penetrated through the layers with interconnection layers of the superconductive ceramic material being located between the insulating layers and the through holes in the insulating layers being filled with superconductive ceramic material electrically connecting the interconnection layers. The superconductive ceramic material is preferably isolated from the insulating layers by noble metal layers encapsulating the superconductive ceramic material. The superconductive ceramic material itself is either an oxide ceramic material represented by one of the general formulae X a Y 1-a ZO b and (X 1-a Y a ) 2 ZO b , where O