利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

409 条记录 (耗时 0.012 秒)

    Lithographiegerät zur Strukturierung eines Objektes
    62.
    发明公开
    Lithographiegerät zur Strukturierung eines Objektes 失效
    用于结构化对象的平面设备

    公开(公告)号：EP0359018A3

    公开(公告)日：1990-08-22

    申请号：EP89115843.8

    申请日：1989-08-28

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Lischke, Burkhard, Prof.-Dr.

    IPC分类号： H01J37/30 ,  H01J37/317

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3177

    摘要： In modernen Elektronenstrahlschreibern wird das zu strukturie­rende Objekt mit mehreren Sonden gleichzeitig bearbeitet. Ver­glichen mit lichtoptischen Lithographiesystemen ist der mit diesen Geräten erzielbare Durchsatz an strukturierten Wafern aber noch gering, da auf jede der Sonden nur ein Bruchteil des Quellenstroms entfällt. Es wird deshalb vorgeschlagen, den Strahlerzeuger (Q) des Lithographiegerätes mit mehreren vorzugs­weise linienförmig angeordneten Elektronenquellen (Q1, Q2) auszustatten und diese mit Hilfe einer telezentrischen Elektronenoptik (L1, L2) verkleinert auf das zu strukturierende Objekt (W) abzubilden.

    Charged-particle beam apparatus
    64.
    发明公开
    Charged-particle beam apparatus 失效
    Korpuskularstrahlgerät。

    公开(公告)号：EP0314216A1

    公开(公告)日：1989-05-03

    申请号：EP88202232.0

    申请日：1988-10-06

    申请人： Philips Electronics N.V.

    发明人： Van der Mast, Karel Diederick

    IPC分类号： H01J37/30

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3177

    摘要： A charged-particle beam apparatus comprises a beam splitting/alignment system whereby individual beams or groups of individual beams can be independently aligned so that they can be brought out of focus in a focal plane of the individual beams, so that a beam limiting diaphragm arranged at that area is irradiated more uniformly with a smaller beam loss.

    摘要翻译： 带电粒子束装置包括一个分束/对准系统，其中单个光束或各组光束可以独立对准，使得它们可以在各个光束的焦平面中脱离焦点，使得光束限制膜排列 在该区域以更小的光束损耗更均匀地照射。

    Charged particle beam lithography system
    65.
    发明公开
    Charged particle beam lithography system 失效
    带电粒子束光刻系统。

    公开(公告)号：EP0220668A2

    公开(公告)日：1987-05-06

    申请号：EP86114612.4

    申请日：1986-10-22

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Saitou, Norio ,  Okumura, Masahide ,  Komoda, Tsutomu ,  Ooyama, Mitsuo

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/302

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3177

    摘要： A charged particle beam lithography system has a high-throughput and inexpensive system configuration. The system configuration is constituted by a plurality of charged particle optical systems (17, 18, 19) each adapted to focus and deflect a beam of charged particles and irradiate the beam onto a specimen (10) so that the beam draws a desired pattern on the specimen, a plurality of deflection distortion correcting circuits (14, 15, 16) each associated with each of the charged particle optical systems for correcting a deflection distortion of each charged particle optical system, and a common pattern data control circuit (1, 3, 4) for supplying data of a pattern to be drawn to each of the plurality of deflection distortion correcting circuits.

    Aperturblende mit zeilenförmiger Mehrlochstruktur und Austastelektroden zur Erzeugung einer Mehrzahl von individuell austastbaren Korpuskularstrahlsonden für ein Lithografiegerät
    67.
    发明公开
    Aperturblende mit zeilenförmiger Mehrlochstruktur und Austastelektroden zur Erzeugung einer Mehrzahl von individuell austastbaren Korpuskularstrahlsonden für ein Lithografiegerät 失效
    孔与线状的多孔结构和用于产生多个单独austastbaren Korpuskularstrahlsonden的用于光刻设备的消隐电极。

    公开(公告)号：EP0191439A1

    公开(公告)日：1986-08-20

    申请号：EP86101629.3

    申请日：1986-02-07

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Lischke, Burkhard, Prof. Dr.

    IPC分类号： H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J37/30 ,  H01J9/14

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3177

    摘要： Aperturblende mit einer zeilenförmigen Mehrlochstruktur mit Austastelektroden zur Erzeugung einer Mehrzahl von individuell austastbaren Korpuskularstrhalsonden für ein Lithografiegerät mit einer Korpuskularstrahlquelle (1), einem Kondensorlinsensystem (2, 3), einer Austastblende (5), einer Abbildungsoptik (6, 7, OL) und einem zu strukturierenden Körper - (9), insbesondere Halbleiterkörper. Angestrebt wird eine einfache und technisch wenig aufwendige Aperturblende, die insbesondere für eine große Zahl von Ausnehmungen zur Sondenerzeugung ausgelegt sein kann. Dies wird dadurch erreicht, daß die Aperturblende (4) aus einem hochohmigen Substrat, insbesondere Silizium oder Siliziumoxid, besteht, auf dem die Austastelektroden in Form von Leiterbahnen (21, 23, AE, 27) aufgebracht sind, die mit Anschlüssen (24, 26) für die Zuführung von Austastspannungen versehen sind.

    摘要翻译： 孔径光阑与消隐用于产生多个单独austastbaren Korpuskularstrhalsonden的用于具有Korpuskularstrahlquelle（1），聚光透镜系统（2，3）光刻设备，消隐孔（5），成像光学系统（6,7，OL）的线状多孔结构和 要结构体（9），特别是半导体本体。 其目的是简单且廉价的技术孔径光阑，其可以对大量的凹部为探针生成的被特别设计。 这得以实现，所述孔（4），包括一个高电阻的衬底，特别是硅或氧化硅，施加到消隐电极导体轨道（21，23，AE，27）的形式的（使用连接24，26 ）被提供用于供给Austastspannungen。

    Electron beam exposure method and apparatus
    68.
    发明公开
    Electron beam exposure method and apparatus 失效
    Elektronenstrahl-Projektionsanlage和Verfahren。

    公开(公告)号：EP0081283A2

    公开(公告)日：1983-06-15

    申请号：EP82305117.2

    申请日：1982-09-28

    申请人： FUJITSU LIMITED

    发明人： Arii, Katsuyuki ,  Katoh, Shinya ,  Chonan, Tsunehiro

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3177

    摘要： In an electron beam exposure apparatus, both a high acceleration voltage electron beam source (10,21) and a low acceleration voltage electron beam source (11,20) are provided. In one embodiment (Figure 3), the high acceleration voltage electron beam (EB H ) from the source (10) is used for forming fine patterns, and the low acceleration voltage electron beam (EB L ) from the source (11) is used for forming coarse patterns. In another embodiment (Figure 4), the high acceleration voltage electron beam (EB s ) from the source (21) is used for position-detection and the low acceleration voltage electron beam (EB M ) from the source (20) is used for pattern-formation.

    摘要翻译： 在电子束曝光装置中，提供高加速电压电子束源（10,21）和低加速电压电子束源（11,20）。 在一个实施例（图3）中，来自源（10）的高加速电压电子束（EBH）用于形成精细图案，并且来自源（11）的低加速电压电子束（EBL）用于形成 粗图案。 在另一个实施例（图4）中，源（21）的高加速电压电子束（EBS）用于位置检测，源（20）的低加速电压电子束（EBM）用于图形 - 形成。