Zugentlastungseinrichtung
    71.
    发明公开
    Zugentlastungseinrichtung 失效
    应变消除。

    公开(公告)号:EP0091080A2

    公开(公告)日:1983-10-12

    申请号:EP83103134.9

    申请日:1983-03-30

    IPC分类号: H01R13/58 H01R23/70

    摘要: Zur Zugentlastung der Leiterzüge (11) von Schaltungskarten (13) und ähnlichen sind beiderseits der Schaltungskarte (13) zwei identische Klemmstücke (16, 17) gegeneinander ausgerichtet und miteinander verriegelbar.

    摘要翻译: 用于电路板(13)的导体轨(11)的应变消除,并且在电路卡的两侧类似(13)包括两个相同的夹紧件(16,17)相互对齐并锁定在一起。

    Memory address sequence generator
    72.
    发明公开
    Memory address sequence generator 失效
    内存地址序列计时器。

    公开(公告)号:EP0088202A2

    公开(公告)日:1983-09-14

    申请号:EP83100018.7

    申请日:1983-01-04

    IPC分类号: G11C29/00

    CPC分类号: G11C29/56 G01R31/31813

    摘要: Apparatus consisting of combinations of interconnected logic elements for generating preselected sequences of addresses for the listing of a matrix memory as a function of preset constants and variable timing impulses, first and second X and Y address generators (A-D) with controlled selection means (50, 60) for selecting the first or the second of the X and Y address pairs, each of the address generators being settably controllable to generate a preselected sequence of addresses in ascending or descending order, with settable increments within the sequence, settable masking, and settable displacements from a fixed reference origin.

    Process for making multilayer integrated circuit substrate
    74.
    发明公开
    Process for making multilayer integrated circuit substrate 失效
    制造多层衬底用于集成电路的制造方法。

    公开(公告)号:EP0083020A2

    公开(公告)日:1983-07-06

    申请号:EP82111567.2

    申请日:1982-12-14

    IPC分类号: H01L21/48 H01L23/52

    摘要: A process is provided for making a multilayer integrated circuit substrate having improved via connection. A first layer M1 of chrome-copper-chrome (19-20-21) is applied to a ceramic substrate (18) and the circuits etched. A polyimide layer (22) is then applied, cured, and developed and etched to provide via holes in the polyimide down to the M1 circuitry. The top chrome (21) is now etched to expose the M1 copper (20) in the via holes. A second layer M2 of copper-chrome (23-24) is evaporated onto the polyimide (22) at a high substrate temperature to provide a copper interface at the base of the vias having no visible grain boundaries and a low resistance. M2 circuitization is then carried out.

    Method for fabricating multilayer laminated printed circuit boards
    75.
    发明公开
    Method for fabricating multilayer laminated printed circuit boards 失效
    一种用于制造层压,多层印刷电路板的方法。

    公开(公告)号:EP0080689A2

    公开(公告)日:1983-06-08

    申请号:EP82110815.6

    申请日:1982-11-23

    IPC分类号: H05K3/46 H05K3/20

    摘要: A laminate for a laminated multilayer circuit board incorporates as a constituent member the plating layer (11) from a peel-apart temporary base (12) used in the fabrication of the laminate. The layer (11), with its one surface (11a) superimposed on the base (12), has additively plated to its opposite surface (11b) individual conductors (14) and is subsequently personalized in register with the pattern of the plated conductor circuitry. The personalized layer (11) and the plated conductors (14) are embedded in a dielectric layer (15), the superimposed surface (11a) being flush mounted in the dielectric layer (15). The base (12) has a rough-like surface profile characteristic that imparts at least a conformal surface profile characteristic in the superimposed surface (11a) of the plating layer (11) which in turn provides improved adherence of this superimposed flush mounted surface, when subsequently exposed by the removal of the peel-apart base (12), to another dielectric layer (17) thereafter laminated to the embedding dielectric layer (15) to inhibit delamination between the two dielectric layers. Preferably, the base (12) also imparts a conformal profile surface characteristic either to the plating surface (11b) to improve the plating bond between the plating layer (11) and conductors (14), and / or to the laminating surface (15a) of the embedding dielectric layer (15) to improve the lamination bond between the two dielectric layers (15, 17), which combine with the conformal characteristic of the plating layer's (11) flush mounted surface (11a)to inhibit synergistically delamination between the two dielectric layers.

    Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren der Ausrichtung eines Elektronenstrahles
    77.
    发明公开
    Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren der Ausrichtung eines Elektronenstrahles 失效
    用于校正电子束的方向的方法和装置。

    公开(公告)号:EP0071243A2

    公开(公告)日:1983-02-09

    申请号:EP82106778.2

    申请日:1982-07-27

    IPC分类号: H01J37/304

    CPC分类号: H01J37/304

    摘要: Zum Korrigieren der Ausrichtung eines Elektronenstrahles, mit dem eine Auftreffplatte (12) beaufschlagt wird, wird die Strahlquelle (10) elektronenoptisch auf eine zentrale, kreisförmige Öffnung (27; Fig. 4) einer Ausblendplatte (28) abgebildet. Zu ausgewählten Zeiten wird das Bild der Strahlquelle auf eine zweite kreisförmige Öffnung (35) in der Ausblendplatte abgelenkt. Mittels eines Ablenk-Joches (30) erfolgt ein genaues Ausrichten des Bildes der Strahlquelle auf diese zweite Öffnung. Deren Durchmesser entspricht etwa der Halbwertsbreite W der Stromdichteverteilung des Bildes der Strahlquelle in dieser Öffnung. Das genaue Ausrichten des Bildes der Strahlquelle auf die zweite Öffnung erfolgt durch kleine Verschiebungen des Bildes. Diese werden beendet, wenn der die zweite Öffnung durchfließende Elektronenstrom einen Maximalwert annimmt. Dann wird der Elektronenstrahl wieder zu der zentralen kreisförmigen Öffnung der Ablenkplatte gelenkt. Deren Durchmesser beträgt mindestens etwa das doppelte der Halbwertsbreite W der Stromdichteverteilung des Bildes der Strahlquelle in dieser Öffnung. Dadurch bleiben die zur Ausrichtung des Elektronenstrahles vorgenommenen Verschiebungen des Bildes der Strahlquelle ohne merklichen Einfluß auf den die zentrale Öffnung durchfließenden Elektronenstrom, der zur Auftreffplatte gelangt.

    摘要翻译: 显示的Ausblendplatte(28);用于校正与冲击板(12)被施加的电子束的对准,光束源(10)是电子光学上的中心圆形开口(4.27)。 在选定的时间,光束源的第二圆形开口(35)的图像中的Ausblendplatte被偏转。 由偏转线圈(30)的装置的束源的图像中被精确地对准到所述第二开口。 其直径大约对应于半值宽度W在该开口的束源的图像的电流密度分布的。 光束源的所述图像的所述第二开口的精确对准通过图像的小位移来进行。 当由流过的电流的电子的第二开口假定的最大值这将结束。 然后,电子束被引导回至挡板的中心圆形开口。 其直径为至少约半值宽度W在该开口的束源的图像的电流密度分布的两倍。 由此,对于电子束的对准作出的束源的图像的位移仍然没有对流经所述中央开口电流达到所述冲击板的电子显着的影响。

    Anschlussteil für das lösbare Verbinden eines Halbleiterchips mit ihm
    79.
    发明公开
    Anschlussteil für das lösbare Verbinden eines Halbleiterchips mit ihm 失效
    用于可拆卸地将半导体芯片与它连接的连接部分。

    公开(公告)号:EP0055376A2

    公开(公告)日:1982-07-07

    申请号:EP81109161.0

    申请日:1981-10-29

    发明人: Adham, Jawad Faik

    IPC分类号: G02B6/14

    摘要: Zum Vermeiden der Beschränkungen, die durch die Störspannung bedingt sind, die beim gleichzeitigen Schalten mehrerer monolithisch integrierter Treiberschaltungen entsteht, wird ein Anschlußteil (10) für ein Halbleiterchip (12) angegeben, bei dem die Verbindungen zwischen verschiedenen Halbleiterchips über optische Wandler (42) und Lichtleiter (46) erfolgt. Das mehrschichtige Anschlußteil weist in seiner obersten leitenden Schicht (16) eine Öffnung (14) für das Halbleiterchip (12) auf, das mit verformbaren Anschlußflächen (66) versehen ist. Diese kommen beim Einsetzen des Halbleiterchips mit Kontaktstiften (34) in Kontakt. Zwischen jeweils zwei Kontakstiften ist ein optischer Wandler (42) angebracht, der als Lichtsender und -empfänger dient. Ein über den einen Kontaktstift zugeführtes elektrisches Signal des Halbleiterchips wird nach der Umwandlung in ein Lichtsignal über einen Lichtleiter an einen entfernten Verbindungspunkt übertragen. Ein eintreffendes Lichtsignal wird durch den optischen Wandler in ein elektrisches Signal umgewandelt und über den zweiten Verbindungsstift dem Halbleiterchip zugeführt. Befestigungsmittel (26, 70) halten das Halbleiterchip sicher an seinem Platz fest.

    摘要翻译: 为了避免这是由于噪声电压,这导致在若干单片集成驱动电路的同时切换的局限性,用于半导体芯片的连接部分(10)被指定(12),其中,所述不同的半导体芯片之间经由光转换器(42)的连接和 发生光导(46)。 多层连接部分具有在用于将半导体芯片(12),其设置有可变形的垫(66)的开口(14)其最高的导电层(16)。 这些接触的具有半导体芯片接触销(34)的插入过程中使用。 每对触针的光学换能器(42)被安装,其用作光发射器和接收器之间。 通过半导体芯片的一个接触销电信号提供的信号经由光纤转换后传输到的光信号到远程结。 入射光信号由光学换能器中的电信号转换并通过第二连接销与半导体芯片提供。 附接装置(26,70)牢固地保持半导体芯片在适当位置。