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    Polishing apparatus
    73.
    发明公开
    Polishing apparatus 审中-公开
    Polierapparat

    公开(公告)号：EP2428315A2

    公开(公告)日：2012-03-14

    申请号：EP11007355.8

    申请日：2011-09-09

    申请人： EBARA CORPORATION

    发明人： Watanabe, Katsuhide ,  Ihara, Masakazu

    IPC分类号： B24B7/22

    CPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/107 ,  B24B49/16 ,  B24B49/18

    摘要： A polishing apparatus includes: a table rotating motor configured to rotate the polishing table about its own axis; a top ring rotating motor configured to rotate the top ring about its own axis; a dresser configured to dress the polishing pad; a pad-height measuring device configured to measure a height of the polishing pad; and a diagnostic device configured to calculate an amount of wear of the polishing pad from the height of the polishing pad and to determine the end of a life of the polishing pad based on the amount of the wear of the polishing pad, the torque or current of the table rotating motor, and the torque or current of the top ring rotating motor.

    摘要翻译： 抛光装置包括：台面旋转马达，其构造成使抛光台围绕其自身的轴线旋转; 顶环旋转马达，其构造成围绕其自身的轴线旋转顶环; 修整器，其构造成打磨抛光垫; 被配置为测量所述抛光垫的高度的焊盘高度测量装置; 以及诊断装置，被配置为从抛光垫的高度计算抛光垫的磨损量，并且基于抛光垫的磨损量，扭矩或电流来确定抛光垫的寿命的结束 的台式旋转电机，以及顶环旋转电机的转矩或电流。

    SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
    75.
    发明授权
    SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 有权
    基板处理装置

    公开(公告)号：EP1872392B1

    公开(公告)日：2012-02-22

    申请号：EP06732248.7

    申请日：2006-04-18

    申请人： EBARA CORPORATION

    发明人： TAKAHASHI, Tamami ,  SHIRAKASHI, Mitsuhiko ,  ITO, Kenya ,  INOUE, Kazuyuki ,  YAMAGUCHI, Kenji ,  SEKI, Masaya

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  B24B49/00 ,  B24B9/00

    CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

    摘要： A substrate processing apparatus (1) includes first and second polishing units (70A, 70B) for polishing a peripheral portion of a substrate (W), a primary cleaning unit (100) for cleaning the substrate (W), a secondary cleaning and drying unit (110) for drying the substrate (W) cleaned in the primary cleaning unit (100), and a measurement unit (30) for measuring the peripheral portion of the substrate (W). The measurement unit (30) includes a mechanism for measurement required for polishing in the first and second polishing units (70A and 70B), such as a diameter measurement mechanism, a cross-sectional shape measurement mechanism, or a surface condition measurement mechanism.

    摘要翻译： 基板处理装置（1）包括用于研磨基板（W）的周边部分的第一和第二研磨单元（70A，70B），用于清洁基板（W）的第一清洁单元（100），第二清洁和干燥 用于干燥在第一清洁单元（100）中清洁过的基板（W）的单元（110）以及用于测量基板（W）的周边部分的测量单元（30）。 测量单元（30）包括用于在第一和第二抛光单元（70A和70B）中进行抛光所需的测量机构，例如直径测量机构，截面形状测量机构或表面状态测量机构。