公开(公告)号：EP2511280A1

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：EP12171121.2

申请日：2007-03-12

申请人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

发明人： Hunks, William ,  Hendrix, Bryan C. ,  Chen, Tianniu ,  Xu, Chongying ,  Roeder, Jeffrey F. ,  Baum, Thomas H. ,  Petruska, Melissa A. ,  Stender, Matthias ,  Chen, Philip S.H. ,  Stauf, Gregory T.

IPC分类号： C07F7/30 ,  H01L45/00 ,  C23C16/22

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/902 ,  C07F9/904 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A vapor deposition process for depositing a germanium material on a substrate by volatilizing a germanium amidinate precursor to form a germanium-containing precursor vapor and depositing said germanium material on the substrate. The precursor is preferably germanium bis(n-butyl, N,N-diisopropylamidinate). The process and the precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 一种气相沉积工艺，用于通过挥发锗酰脒前体以形成含锗前体蒸气并将所述锗材料沉积在基底上，从而将锗材料沉积在基底上。 前体优选为双（正丁基，N，N-二异丙基脒基）锗。 本发明的方法和前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：EP2479313A1

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：EP12164278.9

申请日：2008-10-31

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Chen, Philip S.H. ,  Hunks, William ,  Chen, Tianniu ,  Stender, Matthias ,  Xu, Chongying ,  Roeder, Jeffrey F. ,  Li, Weimin

IPC分类号： C23C16/30 ,  H01L45/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/56 ,  C07F7/30

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN) 2 } 2 Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2 Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。