公开(公告)号：EP2560187A1

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：EP12179945.6

申请日：2012-08-09

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  Aselta Nanographics

发明人： Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/22

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2061 ,  H01J3/12 ,  H01J37/222 ,  H01J2229/563 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/31769

摘要： L'invention s'applique à un procédé de projection d'un faisceau électronique (100) utilisé notamment en lithographie par écriture directe ou indirecte ainsi qu'en microscopie électronique. Notamment pour les dimensions critiques ou résolutions inférieures à 50 nm, les effets de proximité créés par la diffusion vers l'avant (150) et vers l'arrière (160) des électrons du faisceau en interaction avec la cible (110) doivent être corrigés. On utilise traditionnellement pour ce faire la convolution d'une fonction d'étalement de point avec la géométrie de la cible. Dans l'art antérieur, ladite fonction d'étalement de point est centrée sur le faisceau et utilise des lois de distribution gaussiennes ou exponentielle. Selon l'invention, au moins une des composantes de la fonction d'étalement de point n'est pas centrée sur le faisceau, la fonction d'étalement de point comprend donc au moins une fonction dont la valeur maximale n'est pas localisée au centre du faisceau. Préférentiellement, elle est centrée sur le pic de diffusion vers l'arrière. Avantageusement, la fonction d'étalement de point utilise des lois de distribution gamma.

摘要翻译： 该方法通过计算点扩散函数涉及一个电子束（100）的向前和向后散射的校正效果即 的高斯和伽马函数，其中，点扩展函数包括：函数的线性组合，即 伽马分布函数，它的一个最大值不位于电子束和位于电子束的后方散射峰另一个最大值的中心部分，并与位于电子的中心部分的最大值的另一种功能 光束来建模前向散射。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（1）一种非临时计算机可读介质，包括一组电子光刻系统（3）的指令，以模拟或正向正确效应和后向散射的电子束（2）的 系统用于模拟电子显微镜系统电子光刻（4）。

公开(公告)号：EP2952963A1

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：EP14305834.5

申请日：2014-06-03

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  Aselta Nanographics

发明人： Saib, Mohamed ,  Fay, Aurélien ,  Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  G06F17/50 ,  H01J37/317

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  G03F7/70441 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3178 ,  Y02P90/265

摘要： The invention discloses a method for calculating the parameters of a resist model of an IC manufacturing process. According to an embodiment of the method of the invention, a function representative of the target design convoluted throughout the whole target design with a kernel function compounded with a deformation function with a shift angle. Advantageously, the deformation function is replaced by its Fourier series development, the order of which is selected so that the product of convolution is invariant through rotations within a tolerance of the corrections to be applied to the target design. Alternatively, the product of convolution may be decomposed into basic kernel functions selected varying by angles determined so that a deformation function for a value of the shift angle can be projected onto a couple of basic kernel functions the angles of which are proximate to the shift angle.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于计算IC制造工艺的抗蚀剂模型的参数的方法。 根据本发明的方法的一个实施例，代表目标设计的功能在整个目标设计中卷积，具有与具有移位角的变形函数复合的核函数。 有利地，变形函数由其傅立叶级数展开代替，其顺序被选择为使得卷积积通过在要应用于目标设计的校正的公差内的旋转不变。 或者，卷积的乘积可以被分解为基于所确定的角度而变化的基本核函数，使得可以将位移角的值的变形函数投影到几个基本核函数上，这些基本核函数的角度接近于位移角 。

公开(公告)号：EP2983193A1

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：EP14306241.2

申请日：2014-08-05

申请人： Aselta Nanographics

发明人： Saib, Mohamed ,  Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

IPC分类号： H01J37/317 ,  G03F7/20 ,  G03F1/36

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31796

摘要： According to the invention, an IC manufacturing model is disclosed, wherein input variables and an output variable are measured using a calibration set of patterns. The model can or not include a PSF. The output variable may be a dimensional bias between printed patterns and target patterns or simulated patterns. It can also be a Threshold To Meet Experiments (TTME). The input variables may be defined by a metric which uses kernel functions, preferably with a deformation function which includes a shift angle and a convolution procedure. A functional or associative relationship between the input variables and the output variable is defined. Preferably this definition includes normalization steps and interpolation steps. Advantageously, the interpolation step is of the kriging type. The invention achieves a much more accurate modeling of IC manufacturing, simulation or inspection processes.

摘要翻译： 根据本发明，公开了一种IC制造模型，其中使用校准图案集来测量输入变量和输出变量。 该模型可以或不包括PSF。 输出变量可以是印刷图案和目标图案或模拟图案之间的尺寸偏差。 它也可以是达到实验的门槛（TTME）。 输入变量可以由使用内核函数的度量定义，优选地具有包括移​​位角和卷积过程的变形函数。 定义输入变量和输出变量之间的函数关系或关联关系。 优选地，该定义包括归一化步骤和内插步骤。 有利地，内插步骤是克里金型。 本发明实现了对IC制造，仿真或检验过程的更准确的建模。

公开(公告)号：EP2952964A1

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：EP14305835.2

申请日：2014-06-03

申请人： Aselta Nanographics

发明人： Saib, Mohamed ,  Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70516 ,  G06F17/5072 ,  G06F2217/06 ,  G06F2217/12

摘要： The invention discloses a method to easily determine the parameters of a second process for manufacturing from the parameters of a first process. Metrics representative of the differences between the two processes are computed from a number of values of the parameters, which can be measured for the two processes on a calibration layout, or which can be determined from pre-existing values for layouts or reference data for the two processes by an interpolation/extrapolation procedure. The number of metrics is selected so that their combination gives a precise representation of the differences between the two processes in all areas of a design. Advantageously, the metrics are calculated as a product of convolution of the target design and a compound of a kernel function and a deformation function.

摘要翻译： 本发明盘松的方法容易地确定矿的第二工艺参数，用于从第一工艺的参数制造。 度量代表的两个过程之间的差异从多个参数的值的，可以测量这两个过程在校准布局计算，或可以是确定性从预先存在的值开采布局或基准数据的 两个过程通过内插/外插步骤。 度量的数量被选择以便做他们的组合给出了在一个设计的所有区域的两个过程之间的差异精确表示。 有利的是，所述度量计算为目标设计的卷积的产物和核函数的化合物和变形函数。

公开(公告)号：EP2560187B1

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：EP12179945.6

申请日：2012-08-09

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  Aselta Nanographics

发明人： Schiavone, Patrick ,  Figueiro, Thiago

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/22

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2061 ,  H01J3/12 ,  H01J37/222 ,  H01J2229/563 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/31769