公开(公告)号：EP1621933B1

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：EP05076665.8

申请日：2005-07-19

申请人： ASML Netherlands BV

发明人： Loopstra, Erik Roelof ,  Oesterholt, Rene ,  Levasier, Leon Martin

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70775 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70516 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019

公开(公告)号：EP2009498A1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：EP08011701.3

申请日：2008-06-27

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Tarutani, Shinji ,  Tsubaki, Hideaki ,  Wada, Kenji

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/203 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70466

摘要： A pattern forming method performs a multiple exposure process, the multiple exposure process comprising: exposing a resist film with actinic rays or radiation a plurality of times, wherein a contact angle of the resist film for water is 75° or more.

摘要翻译： 一种图案形成方法进行多重曝光处理，所述多重曝光处理包括：用光化射线或辐射多次曝光抗蚀膜，其中水抗蚀膜的接触角为75°或更大。

公开(公告)号：EP1901339A1

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：EP06767712.0

申请日：2006-06-30

申请人： NIKON CORPORATION

发明人： ARAI, Masayoshi, NIKON CORPORATION

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01S3/00

CPC分类号： G03F7/70458 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70625 ,  H01S3/10069 ,  H01S3/1055 ,  H01S3/1394 ,  H01S3/225 ,  H01S2301/08

摘要： An exposure apparatus (10) is equipped with a laser unit (16) that emits a laser beam, a memory (51) that stores a first information which shows a relation between a linewidth error of a pattern formed on a wafer and a spectral characteristic of the laser beam emitted from the laser unit, and a main controller (50) that controls the spectral width of the laser beam via a laser controller (16e), based on the first information and on information related to a reticle that is to be used. Main controller (50) performs spectral width control of the laser beam so as to suppress linewidth error, based on the first information and on the information related to the reticle that is to be used.

摘要翻译： 曝光装置（10）配备有发射激光束的激光单元（16），存储有表示晶片上形成的图案的线宽误差与光谱特性之间的关系的第一信息的存储器（51） 的激光单元发射的激光束的主控制器，以及通过激光控制器（16e）控制激光束的光谱宽度的主控制器（50），基于第一信息和与将要被加工的掩模版有关的信息 用过的。 主控制器（50）根据第一信息和与要使用的标线相关的信息，进行激光束的光谱宽度控制，以抑制线宽误差。

公开(公告)号：EP1205807A1

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：EP02075268.9

申请日：1995-09-05

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Sakai, Fumio

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03F7/22

CPC分类号： G03F9/7003 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458

摘要： An alignment method and apparatus is disclosed wherein, in one exposure process, alignment of a semiconductor substrate (1) may be performed and, while moving the semiconductor substrate in a step-and-repeat manner in relation to shot positions on the semiconductor substrate, a pattern of an original may be printed on the semiconductor substrate at the respective shot position, wherein the one exposure process may be performed while using a plurality of placement data each specifying positions with respect to which the semiconductor substrate is to be positioned during the step-and repeat motion.

摘要翻译： 公开了一种排列方法和装置，其中在一个曝光过程中，可以执行半导体衬底（1）的对准，并且在半导体衬底相对于半导体衬底上的镜头位置以重复同步的方式移动半导体衬底时， 原稿的图案可以在相应的拍摄位置被印刷在半导体衬底上，其中可以在使用多个放置数据的同时进行一次曝光处理，该多个放置数据在步骤期间指定半导体衬底要被定位的位置 并重复运动。

公开(公告)号：EP1195647A1

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：EP01204135.6

申请日：1997-02-27

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Iwanaga, Takehiko ,  Yamada, Yuichi ,  Uzawa, Shigeyuki

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G01B11/06 ,  G01B11/00

CPC分类号： G03F9/7026 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70458 ,  G03F9/7034

摘要： A surface position detecting method for detecting a surface position of a surface to be examined, having surface height irregularity, while relatively scanning the surface, is disclosed. The method includes detecting characteristic data related to a surface state at plural measurement positions on the surface, while relatively scanning the surface, and processing the detected characteristic data related to the measurement positions to determine a measurement position for measurement of the surface position in a subsequent surface position detecting process.

摘要翻译： 检测方法，用于检测表面的表面位置的表面位置被检查，具有表面高度不规则性，而相对地扫描的表面上，是游离缺失盘。 该方法包括检测在所述表面上的多个测量位置有关的表面状态的特征数据，而相对地扫描的表面，并处理在随后的与测量相关的位置，以确定矿的面位置的测量的测量位置的检测到的特征数据 表面位置检测处理。

公开(公告)号：EP0895279A1

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：EP96905009.5

申请日：1996-03-06

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： SATOH, Hidetoshi ,  NAKAYAMA, Yoshinori ,  OKUMURA, Masahide ,  OHTA, Hiroya ,  SAITOU, Norio

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： G03F7/70616 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70633 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/3175 ,  Y10S430/143

摘要： In a semiconductor circuit device fabricating process in which a reduction image projection exposure apparatus and an electron beam exposure apparatus are in a mixed use in its exposure process, pattern position shift errors for each exposure apparatus are measured and corrected at the time of drawing by means of an electron beam drawing apparatus, thereby enhancing the alignment accuracy.
First, a pattern for measuring position shifts is exposed using a stepper and the electron beam drawing apparatus. Then, the position shift errors are measured using an identical coordinate position measuring device. Accidental errors have been mixed in the measurement result at this time. On account of this, measurement data at a certain point are smoothed by taking a summation average with data on the periphery thereof, thus decreasing influences of the accidental errors. Moreover, by inverting positive or negative signs of the data on the position shift errors, the data are made into correction data. Then, the correction data are stored. When an exposure is performed by the electron beam drawing apparatus with the pattern exposed by the stepper as a reference, the correction data for the two apparatuses are transferred to the electron beam drawing apparatus, the two data are added to detected mark positions, and at positions after the addition, pattern position shifts within a wafer surface are determined. At the time of exposure, the exposure is performed at positions obtained by subtracting the correction data from the determined pattern position shifts. This method makes it possible to correct both position shift errors within the wafer surface due to the stepper and position shift errors due to the electron beam drawing apparatus, thus allowing the alignment accuracy to be enhanced. Also, this result makes it possible to enhance yield for products in the fabricating process.

摘要翻译： 在其中曝光过程中混合使用缩小图像投影曝光设备和电子束曝光设备的半导体电路器件制造过程中，每个曝光设备的图案位置偏移误差在绘制时通过手段被测量和校正 从而提高了对准精度。 首先，使用步进器和电子束绘图装置来曝光用于测量位置偏移的图案。 然后，使用相同的坐标位置测量装置来测量位置偏移误差。 此时测量结果中的意外错误已经混合在一起。 因此，通过对其周边的数据进行求和平均来平滑某个点的测量数据，从而减少偶然误差的影响。 此外，通过反转位置偏移误差上的数据的正负符号，数据被制成校正数据。 然后，存储校正数据。 当通过电子束绘图设备以步进曝光的图案作为参考执行曝光时，两个设备的校正数据被传送到电子束绘图设备，两个数据被添加到检测到的标记位置，并且在 在添加之后，确定晶片表面内的图案位置偏移。 在曝光时，在通过从所确定的图案位置偏移中减去校正数据而获得的位置处执行曝光。 该方法使得可以校正由于步进器引起的晶片表面内的位置偏移误差和由于电子束绘图装置引起的位置偏移误差，从而允许提高对准精度。 而且，这个结果可以提高制造过程中产品的产量。

公开(公告)号：EP0702272A1

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：EP95306182.7

申请日：1995-09-05

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Sakai, Fumio

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03F7/22

CPC分类号： G03F9/7003 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458

摘要： An alignment method and apparatus is disclosed wherein, in one exposure process, alignment of a semiconductor substrate (1) may be performed and, while moving the semiconductor substrate in a step-and-repeat manner in relation to shot positions on the semiconductor substrate, a pattern of an original may be printed on the semiconductor substrate at the respective shot position, wherein the one exposure process may be performed while using a plurality of placement data each specifying positions with respect to which the semiconductor substrate is to be positioned during the step-and-repeat motion.

摘要翻译： 公开了一种排列方法和装置，其中在一个曝光过程中，可以执行半导体衬底（1）的对准，并且在半导体衬底相对于半导体衬底上的镜头位置以重复同步的方式移动半导体衬底时， 原稿的图案可以在相应的拍摄位置被印刷在半导体衬底上，其中可以在使用多个放置数据的同时进行一次曝光处理，该多个放置数据在步骤期间指定半导体衬底要被定位的位置 并重复运动。

公开(公告)号：EP3152623A1

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：EP15725071.3

申请日：2015-06-03

申请人： Aselta Nanographics

发明人： SAIB, Mohamed ,  SCHIAVONE, Patrick ,  FIGUEIRO, Thiago

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70516 ,  G06F17/5072 ,  G06F2217/06 ,  G06F2217/12

摘要： The invention discloses a method to easily determine the parameters of a second process for manufacturing from the parameters of a first process. Metrics representative of the differences between the two processes are computed from a number of values of the parameters, which can be measured for the two processes on a calibration layout, or which can be determined from pre-existing values for layouts or reference data for the two processes by an interpolation/extrapolation procedure. The number of metrics is selected so that their combination gives a precise representation of the differences between the two processes in all areas of a design. Advantageously, the metrics are calculated as a product of convolution of the target design and a compound of a kernel function and a deformation function.

摘要翻译： 本发明盘松的方法容易地确定矿的第二工艺参数，用于从第一工艺的参数制造。 度量代表的两个过程之间的差异从多个参数的值的，可以测量这两个过程在校准布局计算，或可以是确定性从预先存在的值开采布局或基准数据的 两个过程通过内插/外插步骤。 度量的数量被选择以便做他们的组合给出了在一个设计的所有区域的两个过程之间的差异精确表示。 有利的是，所述度量计算为目标设计的卷积的产物和核函数的化合物和变形函数。

公开(公告)号：EP2261739A2

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：EP10171096.0

申请日：2007-12-03

申请人： ASML Netherlands B.V.

发明人： Mos, Everhardus ,  Van Der Schaar, Maurits ,  Simons, Hubertus

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70725 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70458 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783

摘要： A lithographic apparatus includes an illumination system configured to condition a radiation beam, a support for a patterning device, a substrate table for a substrate, a projection system, and a control system. The patterning device is capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam. The projection system is configured to project the patterned radiation beam as an image onto a target portion of the substrate along a scan path. The scan path is defined by a trajectory in a scanning direction of an exposure field of the lithographic apparatus. The control system is coupled to the support, the substrate table and the projection system for controlling an action of the support, the substrate table and the projection system, respectively. The control system is configured to correct a local distortion of the image in a region along the scan path by a temporal adjustment of the image in that region, thereby reducing the intra-field overlay errors.

摘要翻译： 光刻设备包括配置成调节辐射束的照明系统，图案形成装置的支撑件，用于衬底的衬底台，投影系统和控制系统。 图案形成装置能够在其横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束。 投影系统被配置为沿着扫描路径将图案化的辐射束作为图像投影到基板的目标部分上。 扫描路径由光刻设备的曝光场的扫描方向上的轨迹限定。 控制系统耦合到支撑件，基板台和投影系统，用于分别控制支撑件，基板台和投影系统的动作。 控制系统被配置为通过在该区域中的图像的时间调整来校正沿着扫描路径的区域中的图像的局部失真，从而减少了场内重叠误差。

公开(公告)号：EP2057506A1

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：EP07801880.1

申请日：2007-08-24

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： SELTMANN, Rolf ,  SCHULZ, Bernd ,  HEMPEL, Fritjof ,  SCHULZE, Uwe

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70458 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7046

摘要： By taking into consideration tool specific distortion signatures and reticle specific placement characteristics in an alignment control system the control quality of sophisticated APC strategies may significantly be enhanced. Respective correction data may be established on the basis of any combinations of tool/reticles and layers to be aligned to each other, which may modify the respective target values of alignment parameters used for controlling the alignment process on the basis of standard overlay measurement data obtained from dedicated overlay marks.