公开(公告)号：EP0792386A1

公开(公告)日：1997-09-03

申请号：EP95901749.0

申请日：1994-11-01

申请人： CELESTECH, INC.

发明人： SHEPARD, Cecil, B., Jr. ,  RANEY, Daniel, V. ,  QUIRK, William, A. ,  BAK-BOYCHUK, Gregory ,  HEUSER, Michael, S.

IPC分类号： H05H1 ,  C23C16

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/2001

摘要： The present invention is directed to an apparatus and its method of use in which a substance such as diamond is deposited on a mandrel (110) or substrate (170), and where temperature at the deposition surface is controlled. According to one aspect of the invention, the temperature on the surface of a rotating mandrel (110) is controlled by passing coolant fluid radially through the mandrel at several angular reference positions in the mandrel, while a plasma containing, e.g., a hydrocarbon gas and hydrogen gas is directed toward the mandrel. A spacer (120) having a thermal conductance in its thickness direction that varies with its radial direction is mounted on the mandrel, and a substrate (170) is mounted on the spacer (120).

公开(公告)号：EP0583374A1

公开(公告)日：1994-02-23

申请号：EP92911953.0

申请日：1992-05-08

申请人： CELESTECH, INC.

发明人： CANN, Gordon, L. ,  SHEPARD, Cecil, B., Jr. ,  McKEVITT, Frank, L.

IPC分类号： C23C16 ,  C23C4 ,  C30B29 ,  H01L21

CPC分类号： C23C16/276 ,  C23C16/27 ,  C23C16/277 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/513

摘要： Cette invention concerne un procédé de déposition par jet de plasma et un appareil utilisé pour déposer une substance telle qu'un diamant de synthèse. On produit un faisceau de plasma (225) contenant les éléments constituants de la substance qu'on désire déposer. On utilise un substrat (150) dont une surface se situe dans la trajectoire du faisceau, la grandeur de cette surface étant sensiblement plus importante que la surface en coupe transversale du faisceau qui vient heurter la surface. On introduit un mouvement répétitif entre le substrat et le faisceau à mesure que la substance se dépose sur la surface. Dans un système de déposition par jet de plasma le substrat peut comprendre des caractéristiques de structure telles que des ouvertures (170) et/ou des rainures (168) qui permettent d'effectuer plus facilement une déposition efficace. On peut disposer des groupes de substrats (610, 620, 630 et 640) de manière à ce que des surfaces de ces derniers se situent pratiquement le long de l'enveloppe du faisceau de plasma afin d'effectuer plus facilement une déposition efficace.

公开(公告)号：EP0583374B1

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：EP92911953.5

申请日：1992-05-08

申请人： CELESTECH, INC.

发明人： CANN, Gordon, L. ,  SHEPARD, Cecil, B., Jr. ,  McKEVITT, Frank, L.

IPC分类号： B05D3/06 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/276 ,  C23C16/27 ,  C23C16/277 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/513