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    Couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnésium (LMA), leur proédé de préparation par croissance par épitaxie en phase liquide et composants optiques comprenant ces couches
    3.
    发明公开
    Couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnésium (LMA), leur proédé de préparation par croissance par épitaxie en phase liquide et composants optiques comprenant ces couches 审中-公开
    镧镁铝酸盐，处理为他们从液相制备通过外延的单晶硅层，并用这样的层的光学部件

    公开(公告)号：EP0916748A1

    公开(公告)日：1999-05-19

    申请号：EP98402833.2

    申请日：1998-11-16

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Ferrand, Bernard ,  Chambaz, Bernard ,  Basset, Gérard ,  Calvat, Claude

    IPC分类号： C30B19/02 ,  C30B29/20 ,  H01S3/113

    CPC分类号： H01S3/0627 ,  C30B19/02 ,  C30B29/20 ,  G02F1/3523 ,  G02F2001/3505 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0632 ,  H01S3/1095 ,  H01S3/113 ,  H01S3/1688 ,  H01S3/2308

    摘要： L'invention concerne des couches monocristallines d'aluminate de lanthane et de magnésium (LaMgAl 11 O 19 ) (LMA), éventuellement dopées, et leur procédé de préparation, sur un substrat, par croissance par épitaxie en phase liquide à partir d'un bain d'épitaxie comprenant un solvant et un soluté, dans lequel ledit solvant est constitué d'un mélange de Bi 2 O 3 et de B 2 O 3 , et la croissance épitaxiale est réalisée à température constante dans la gamme de 900 à 1100 °C.
    De tels matériaux présentent les propriétés optiques adéquates pour réaliser des composants optiques, tels que sources lasers, absorbants saturables, amplificateurs en particulier dans les dispositifs de types microlasers pompés par des diodes.

    摘要翻译： 的单晶掺镧OPTIONALLY铝酸镁（LMA）层通过液相外延生长在900-1100摄氏度从外延浴含有作为溶剂Bi2O3和B2O3的混合物产生的。 的单晶掺LMA OPTIONALLY层，通过液相外延生长产生的，是新的。 因此独立权利要求中包括了（ⅰ）一多层堆叠包括层如上所述; （二）光学部件，其包括在上述层; （三）的激光腔含有上述掺杂层为可饱和吸收体薄膜由直接外延固体活性介质上形成的; （四）的波导激光器或放大器用的激光腔，其包括未掺杂的LMA基板，单晶掺LMA薄膜外延形成在基片上并在未掺杂的LMA薄膜外延上形成的掺杂LMA薄膜; （V）的激光腔含有上述掺杂层为可饱和吸收体薄膜在空腔内的LMA基板上未掺杂通过直接外延形成，激光活性物质的波长对应于该可饱和吸收体的吸收发光; 和（vi）（不完全claimsoft）用于制备单晶镧镁铝酸盐层的方法。

    Matériaux laser et microlasers à fortes concentrations en ions actifs et procédés de fabrication
    5.
    发明公开
    Matériaux laser et microlasers à fortes concentrations en ions actifs et procédés de fabrication 失效
    激光的材料和微激光具有高浓度的活性离子和制造过程的

    公开(公告)号：EP0817336A1

    公开(公告)日：1998-01-07

    申请号：EP97401494.6

    申请日：1997-06-26

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Fulbert, Laurent ,  Molva, Engin ,  Ferrand, Bernard

    IPC分类号： H01S3/06 ,  H01S3/11

    CPC分类号： H01S3/0627 ,  H01S3/025 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0612 ,  H01S3/0615 ,  H01S3/094053 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/113 ,  H01S3/115 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1643

    摘要： L'invention concerne un matériau actif laser comportant un matériau de base dopé avec des ions actifs, conférant à ce matériau de base des propriétés laser, la concentration des ions étant supérieure ou égale à 2%.
    L'invention concerne également un microlaser réalisé avec un tel matériau, ainsi qu'un procédé de réalisation dudit matériau. Le microlaser comporte un milieu actif (6) réalisé par croissance épitaxiale sur un substrat (8), ce dernier pouvant être ensuite supprimé, et des miroirs (2, 4) de cavité microlaser. Un faisceau de pompage (10) permet de pomper optiquement la cavité.

    摘要翻译： 掺杂有2-15结晶YAG或YLiF4材料的一种新颖的激光活性材料besteht所有（优选5-15）％的Nd <3+>离子并且可以通过液相外延生产。 所以声明的是（i）的微激光腔，其包括入口和出口的反射镜（2,4）和上述激光活性材料（6）; 和（ii）具有上述微激光腔和腔泵送系统的微激光器。进一步声称是（i）形成由结晶YAG或YLiF4材料的液相外延生长激光活性材料的方法，在其中 2-15（优选5-15）％的Nd <3+>离子引入以赋予激光性能; 和（ii）用于制造部件的微腔激光器，涉及执行上述方法和由液相外延直接在激光活性物质成型体的可饱和吸收体的薄膜优选的方法。

    Procédé pour régler la dimension des bulles d'éléments à bulles magnétiques
    6.
    发明公开
    Procédé pour régler la dimension des bulles d'éléments à bulles magnétiques 失效
    一种用于控制与磁性气泡吹制元件的尺寸的方法。

    公开(公告)号：EP0027073A1

    公开(公告)日：1981-04-15

    申请号：EP80401355.5

    申请日：1980-09-23

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE Etablissement de Caractère Scientifique Technique et Industriel

    发明人： Halleton, Didier ,  Daval, Jacques ,  Ferrand, Bernard ,  Moriceau, Hubert

    IPC分类号： H01F41/28 ,  H01F10/24

    CPC分类号： H01F10/24 ,  H01F41/28 ,  Y10S428/90

    摘要： L'invention a pour objet un procédé pour régler la dimension des bulles d'éléments à bulles magnétiques.
    On fabrique ces éléments par dépôt par épitaxie en phase liquide sur un substrat non magnétique d'un film de grenat ferrimagnétique de formule: dans laquelle T 1 , T 2 et T 3 qui sont différents, représentent un élément de la série des terres rares y compris l'yttrium, a, b, c, et d, sont des nombres tels que leur sommes soit sensiblement égale à 3, et e et f sont des nombres tels que leur somme soit sensiblement égale à 5.
    Pour obtenir plusieurs éléments ayant des dimensions de bulles différentes par exemple de 1,5 à 3 µm, on utilise des bains d'épitaxie comprenant les mêmes quantités d'oxyde de fer, d'oxydes des éléments T l , T 2 et T 3 et d'oxyde de germanium, et on règle la quantité d'oxyde ou de carbonate de calcium de chaque bain ainsi que la température et la durée du dépôt, en fonction de la dimension des bulles que l'on veut obtenir.

    Microlaser solide déclenché passivement par absorbant saturable et son procédé de fabrication
    7.
    发明公开
    Microlaser solide déclenché passivement par absorbant saturable et son procédé de fabrication 失效
    由可饱和吸收体被动开关固态微型激光器及其制造方法

    公开(公告)号：EP0856924A1

    公开(公告)日：1998-08-05

    申请号：EP98400158.6

    申请日：1998-01-27

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Thony, Philippe ,  Molva, Engin ,  Ferrand, Bernard ,  Borel, Corinne

    IPC分类号： H01S3/06 ,  H01S3/113 ,  H01S3/16 ,  G02F1/35

    CPC分类号： H01S3/0627 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/113

    摘要： L'invention concerne une cavité microlaser (10) comportant :

    un milieu actif solide (2) émettant au moins dans une gamme de longueurs d'onde comprise entre 1,5 et 1,6 µm, et
    un absorbant saturable (4) de formule CaF 2 :Co 2+ ou MgF 2 :Co 2+ ou SrF 2 :Co 2+ ou BaF 2 :Co 2+ ou La 0,9 Mg 0,5-x Co x Al 11 , 433 O 19 ou YAlO 3 :Co 2+ (ou YAl 5-2x Co x Si x O 3 ) ou Y 3 Al 5-x-y Ga x Sc y O 12 :Co 2+ (ou Y 3 Al 5-x-y-2z Ga x Sc y Co z Si z O 12 ) ou Y 3-x Lu x Al 5 O 12 :Co 2+ (ou Y 3-x Lu x Al 5-2y Co y Si y O 3 ) ou Sr 1-x Mg x La y Al 12-y O 12 :Co 2+ (ou Sr 1-x Mg x-y Co y La z Al 12-z O 12 , avec o

    摘要翻译： 一种新颖的微腔激光器（10）包括（a）至固体活性介质（2），其发射在1.5-1.6微米的波长范围内; 和（b）式的可饱和吸收体（4）共<2 +>：氟化钙，钴<2+>：氟化镁，钴<2+>：的SrF 2，CO <2+>：氟化钡，La0.9Mg0.5- xCoxAl11,433O19，钴<2+>：YAlO3，YAl5-2xCoxSixO3，钴<2+>：Y3Al5-X-yGaxScyO12，Y3Al5-XY 2zGaxScyCozSizO12，钴<2+>：Y3-xLuxAl5O12，Y3 xLuxAl5-2yCoySiyO12， 共<2 +>：SR 1-xMgxLayAl12-YO12或Sr 1-x MRX个-yCoyLazAl12-zO12（其中x> y和y> 0）。 这样一种被用于产生包括形成上述可饱和吸收体，优选为薄膜1至150微米厚度的通过外延或溶胶 - 凝胶技术的微激光腔的方法。 所以要求保护的是（ⅰ）一个激光遥测装置通过的光脉冲的飞行，并且时间测量哪些功能包括具有上述空腔的被动Q开关微型激光器，用于接收的光脉冲的接收器通过在物体反射 和用于检测脉冲的接收，用于检测脉冲发射的从微激光器和用于测量发射和接收时刻之间的时间间隔的计时器的时刻的检测器的瞬间; 和（ii）给汽车具备上述遥测装置。

    Gallates mixtes de lanthanide-magnésium, laser utilisant des monocristaux de ces gallates
    10.
    发明授权
    Gallates mixtes de lanthanide-magnésium, laser utilisant des monocristaux de ces gallates 失效
    使用这些GALLATES的混合的兰州 - 镁合金和激光

    公开(公告)号：EP0252784B1

    公开(公告)日：1990-09-12

    申请号：EP87401288.3

    申请日：1987-06-09

    申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Ferrand, Bernard ,  Grange, Yves ,  Lefebvre, Dominique ,  Thery, Jeannine ,  Vivien, Daniel

    IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/22

    CPC分类号： C30B29/22 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00

    摘要： 1. Mixed lanthanide-magnesium gallate, characterized in that it is of formula : [La1-x Mx-1 ](1-z/3)k Mg(1-z)k [Ga1-v-t Mv-2 Crt ](11+z)k 019k in which M**1 is chosen from among neodymium, praseodymium, cerium, neodymium-cerium and praseodymium-cerium pairs, said elements being trivalent ; M**2 represents at least one trivalent element chosen from among aluminium, scandium and/or indium, provided that the total number of scandium and indium atoms per formula unit is below 0.15(11+z)k ; k represents a number between 0.94 and 1 ; x represents a number between 0 and 1 ; t represents a number such that 0 =

    摘要翻译： 1.混合镧系元素 - 没食子酸镁，其特征在于其具有下式：[La1-xMx-1]（1-z / 3）k Mg（1-z）k [Ga1-vt Mv-2Crt]（11 + z）k 019k，其中M ** 1选自钕，镨，铈，钕铈和镨铈铈，所述元素为三价; M ** 2表示选自铝，钪和/或铟中的至少一种三价元素，条件是每个式单元的钪和铟原子的总数低于0.15（11 + z）k; k表示0.94和1之间的数字; x表示0和1之间的数字; t表示当t = 0时，当x = 0且x不为0时，t = 0，则t = 0; v表示0 =