摘要:
Eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage enthält einen Lichtmischer (10; 210) zur Homogenisierung von Strahlungsverteilungen. Dieser kann z.B. mindestens eine ebene Strahlteilerschicht (16; 216a, 216b) umfassen, die zwischen zwei transparenten Teilelementen (12, 14) parallel zu einer optischen Achse (OA) der Beleuchtungseinrichtung (IS) angeordnet ist. Eine alternative Variante für einen Lichtmischer enthält mindestens eine Reihe (R1 bis R3; R1' bis R5') von Strahlteilern (ST11, ST12, ST13, ST21, ST22, ST23, ST31, ST32, ST33), wobei in der mindestens einen Reihe die Strahlteiler parallel zueinander, in einem Neigungswinkel zu einer eingangsseitigen optischen Achse (OA1) der Beleuchtungseinrichtung (IS) und in einer zu der eingangsseitigen optischen Achse (OA1) senkrechten Richtung versetzt hintereinander angeordnet sind.
摘要:
Eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage enthält einen Lichtmischer (10; 210) zur Homogenisierung von Strahlungsverteilungen. Dieser kann z.B. mindestens eine ebene Strahlteilerschicht (16; 216a, 216b) umfassen, die zwischen zwei transparenten Teilelementen (12, 14) parallel zu einer optischen Achse (OA) der Beleuchtungseinrichtung (IS) angeordnet ist. Eine alternative Variante für einen Lichtmischer enthält mindestens eine Reihe (R1 bis R3; R1' bis R5') von Strahlteilern (ST11, ST12, ST13, ST21, ST22, ST23, ST31, ST32, ST33), wobei in der mindestens einen Reihe die Strahlteiler parallel zueinander, in einem Neigungswinkel zu einer eingangsseitigen optischen Achse (OA1) der Beleuchtungseinrichtung (IS) und in einer zu der eingangsseitigen optischen Achse (OA1) senkrechten Richtung versetzt hintereinander angeordnet sind.
摘要:
Die Erfindung betrifft einen Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge ≤ 193 nm, bevorzugt ≤ 126 nm, besonders bevorzugt EUV-Wellenlängen mit
einer objektseitigen Apertur, die von einer Lichtquelle abgestrahltes Licht aufnimmt, einer Vielzahl von rotationssymmetrischen Spiegelschalen, welche um eine gemeinsame Rotationsachse ineinander angeordnet sind, wobei jeder Spiegelschale ein Ringaperturelement der objektseitigen Apertur zugeordnet ist, einen auszuleuchtenden Bereich in einer Ebene, der aus Ringelementen besteht, wobei jedem Ringelement ein Ringaperturelement zugeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ringaperturelemente nicht überlappen die Ringelemente nicht überlappen und in der Ebene weitgehend kontinuierlich aneinander anschließen und die Ausdehnungen in Richtung der Rotationsachse, die Flächenparameter und die Positionen der Spiegelschalen derart gestaltet sind, daß die Bestrahlungsstärken der einzelnen Ringelemente in der Ebene weitgehend übereinstimmen.
摘要:
Teilobjektiv (1) mit einer optischen Achse (OA) zur Beleuchtung eines Bildfeldes, insbesondere in einer Beleuchtungseinrichtung einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, das zwischen einer Blendenebene (APE) und einer Bildebene (IM) angeordnet ist. Das Teilobjektiv (1) umfaßt eine erste Linsengruppe (3) und eine zweite Linsengruppe (5) mit einer Linse (L15) mit einer ersten asphärischen Linsenfläche (S111). Die zweite Linsengruppe (5) weist mindestens eine erste Linse (L15) mit einer negativer Brechkraft und mindestens eine zweite Linse (L14) mit einer positiver Brechkraft auf. Die maximale Feldhöhe Ymax im innerhalb des Bildfeldes beträgt mindestens 40mm, während die bildseitige numerische Apertur mindestens 0,15 beträgt. Die Hauptstrahlen weisen innerhalb des Bildfeldes eine Feldhöhe Y im und einen Hauptstrahlwinkel PF auf. Die Verteilung der Hauptstrahlwinkel PF über der Feldhöhe Y im ist durch eine Pupillenfunktion PF(Y im ) gegeben, die sich aus einem linearen Beitrag c 1 · Y im und einen nichtlinearen Beitrag PF NL (Y im ) zusammensetzt, wobei der nichtlineare Beitrag PF NL (Y im ) für die maximale positive Feldhöhe Ymax im mindestens +15mrad beträgt.