公开(公告)号：EP2487793B1

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：EP12153557.9

申请日：2012-02-02

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Gorisse, Marie ,  Reinhardt, Alexandre

IPC分类号： H03H3/007 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  H03H9/17 ,  H01L21/033

CPC分类号： H03H9/02653 ,  H01L21/0337 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/02866 ,  H03H9/172 ,  H03H9/6409

公开(公告)号：EP2487793A1

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：EP12153557.9

申请日：2012-02-02

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Gorisse, Marie ,  Reinhardt, Alexandre

IPC分类号： H03H3/007 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  H03H9/17 ,  H01L21/033

CPC分类号： H03H9/02653 ,  H01L21/0337 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/02866 ,  H03H9/172 ,  H03H9/6409

摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif acoustique comprenant une structure de cristal phononique comprenant une première série d'inclusions réalisées dans un premier milieu réparties dans une matrice constituée par un second milieu, permettant le blocage de la propagation des ondes acoustiques dans une bande de fréquences dite bande d'arrêt, caractérisé en ce qu' il comporte les étapes suivantes :
- une étape de définition des paramètres géométriques desdites inclusions, lesdites inclusions comportant des parois en contact avec ladite matrice faisant au moins un premier angle (θ) dit angle de paroi, non nul avec la normale au plan de ladite structure, lesdits paramètres géométriques comprenant ledit premier angle de paroi, ladite étape comportant :
• la détermination d'une fonction relative à l'évolution de la position en fréquence de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi et/ou la détermination d'une fonction relative à l'évolution de largeur de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi ;
• la détermination dudit au moins premier angle (θ) pour une position en fréquence et/ou une largeur de la bande d'arrêt, choisies à partir de la ou des fonctions précédemment déterminées ;

- une étape de réalisation de ladite première série d'inclusions présentant au moins ledit premier angle de paroi, dans ladite matrice constituée par ledit second milieu.

摘要翻译： 该方法包括限定锥形封闭夹杂物的几何参数：如孔，二维声子晶体结构，包括由第一角度在与非均相基质接触壁：如在壁的角度，产生第一系列的夹杂物 具有壁的在通过第二介质构成的基体中的第一角度，在上硅层（20）提供具有氧化硅层上的硅绝缘体上的基板的表面（10）的一个表面上沉积的树脂层 的基板，以及限定在所述树脂层中蚀刻图案。 该方法包括限定锥形封闭夹杂物的几何参数：如孔，二维声子晶体结构，包括由第一角度在与非均相基质接触壁：如在壁的角度，产生第一系列的夹杂物 具有壁的在通过第二介质构成的基体中的第一角度，在上硅层（20）提供具有氧化硅层上的硅绝缘体上的基板的表面（10）的一个表面上沉积的树脂层 底物， - 定义在树脂层中蚀刻图案，匍匐树脂层以定向蚀刻图案，通过在树脂层中取向的图案上硅层上执行在蚀刻术以便限定具有壁的角锥形孔， 去除树脂层包括蚀刻的图案，并产生一个布拉格反射镜结构支撑的二维声子晶体结构。 的夹杂物中的第一介质形成并分布在由所述第二介质用于在频率阻挡声波的传播构成的基质带审查作为阻带。 所述参数包括第一几何角壁。 所述定义步骤包括：确定开采于频率的频率位置改变有关的功能的带检查与壁和/或确定性采矿相关于与壁的角度的带的宽度变化的函数的角度的阻带; 和确定性开采的频率位置和/或带的从所述确定性函数开采的宽度，所述第一角度。 该功能是通过三维模拟手术进行的确定性挖掘的步骤并通过最终的元素和/或经验测量来执行。 产生第一系列夹杂物的步骤包括沉积在基片上由氮化铝构成的材料层，从而产生在材料层上的树脂掩模，进行反应性离子蚀刻操作在所述材料层，以限定具有壁的角锥形孔， 并除去树脂掩模。被设置在基片具有一个氧化硅层的表面上的上硅层。 该内含物具有圆形，正方形，六边形或三角形的几何形状，被设置雅丁到通过接收一个六边形的基本网状物或正方形或三角形蜂窝获得周期性布置，扩大最大的阻带中，通过重叠和/或并置的材料形成，并且填充 与材料。 所述基质包括层的叠层。