摘要:
Surface wave device which includes a substrate (12) having a pi ezoelectric surface (14), an acoustic surface wave transducer (16 and 18) for converting between an electrical signal and acoustic surface waves propagating on the piezoelectric surface and reflective structures (22) which cause reflections of acoustic surface waves in the portion of the piezoelectric surface over which the transducer is disposed. Numerous kinds of reflective structures are disclosed. An acoustic surface wave resonator using the present invention is disclosed, along with bandpass filters with multiple poles. A low-loss transversal filter using the present invention is also disclosed.
摘要:
Surface wave device which includes a substrate (12) having a pi ezoelectric surface (14), an acoustic surface wave transducer (16 and 18) for converting between an electrical signal and acoustic surface waves propagating on the piezoelectric surface and reflective structures (22) which cause reflections of acoustic surface waves in the portion of the piezoelectric surface over which the transducer is disposed. Numerous kinds of reflective structures are disclosed. An acoustic surface wave resonator using the present invention is disclosed, along with bandpass filters with multiple poles. A low-loss transversal filter using the present invention is also disclosed.
摘要:
Devices for controlling high frequency signals such as optic or electric signals are disclosed which utilize guided and/or reflected surface acoustic waves. The devices preferably use crystalline substrates modified (e.g., by ion exchange to increase mass density) to contain acoustic reflectors and/or continuous acoustic waveguiding channels (optionally, in combination with optical features such as optical waveguiding channels) and interdigital transducers deposited thereon to provide frequency generation (and reception where high frequency electrical signals are controlled). The preferred crystal substrates are of a material having a piezoelectric-elastic dielectric matrix capable of the generation of acoustic waves, such as MTiOXO4 (where M is K, Rb, T1, and/or NH4 and X is P and/or As) having mm2 symmetry.
摘要:
Filtre hyperfréquence à ondes acoustiques de surface et à cavités résonnantes longitudinales. Il est constitué de plusieurs voies (V1, V2) en parallèle, qui présentent une différence d'espace inter-transducteurs (21-41; 22-42) égale à un multiple pair de demi-longueur d'onde (lambda) à la fréquence centrale, d'une voie à l'autre, de façon à annuler la fonction de transfert en ligne à retard qui correspond au trajet direct entre transducteurs.
摘要:
Dispositif d'ondes de surface comprenant un substrat (12) possedant une surface piezoelectrique (14), un transducteur d'ondes acoustiques de surface (16 et 18) servant a convertir un signal electrique en des ondes acoustiques de surface se propageant sur la surface piezoelectrique et des structures de reflexion (22) provoquant des reflexions des ondes acoustiques de surface dans la partie de surface piezoelectrique sur laquelle sont disposes les transducteurs. Plusieurs types de structures de reflexion sont decrits. Un resonateur d'ondes acoustiques de surface utilisant la presente invention est decrit, ainsi que des filtres de bandes passantes a poles multiples. Un filtre transversal a faible perte utilisant la presente invention est aussi decrit.
摘要:
L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif acoustique comprenant une structure de cristal phononique comprenant une première série d'inclusions réalisées dans un premier milieu réparties dans une matrice constituée par un second milieu, permettant le blocage de la propagation des ondes acoustiques dans une bande de fréquences dite bande d'arrêt, caractérisé en ce qu' il comporte les étapes suivantes : - une étape de définition des paramètres géométriques desdites inclusions, lesdites inclusions comportant des parois en contact avec ladite matrice faisant au moins un premier angle (θ) dit angle de paroi, non nul avec la normale au plan de ladite structure, lesdits paramètres géométriques comprenant ledit premier angle de paroi, ladite étape comportant : • la détermination d'une fonction relative à l'évolution de la position en fréquence de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi et/ou la détermination d'une fonction relative à l'évolution de largeur de ladite bande d'arrêt avec ledit angle de paroi ; • la détermination dudit au moins premier angle (θ) pour une position en fréquence et/ou une largeur de la bande d'arrêt, choisies à partir de la ou des fonctions précédemment déterminées ;
- une étape de réalisation de ladite première série d'inclusions présentant au moins ledit premier angle de paroi, dans ladite matrice constituée par ledit second milieu.
摘要:
An acoustic wave device (501) comprises an acoustic wave transducer (510, 520) coupled to an acoustic wave propagating substrate (120). The acoustic wave transducer (510, 520) converts signal energy between electrical and acoustical forms. Acoustic reflectors (530, 540) are placed one on either side of the acoustic wave transducer (510, 520). The acoustic reflectors (530, 540) are composed of acoustic reflection elements (544) spaced approximately one acoustic wavelength apart, and provide enhanced acoustic acoustic reflections together with relaxed fabrication constraints.
摘要:
A unidirectional surface acoustic wave (SAW) transducer has a substrate which is piezoelectric or electrostrictive, a first IDT (interdigital transducer) electrode disposed on a surface of the substrate and having a plurality of first electrode fingers, and a second IDT electrode disposed on the surface of the substrate and having a plurality of second electrode fingers alternating with the first electrode fingers, and structural elements disposed on the surface of the substrate and arranged periodically in a propagating direction of surface acoustic waves. The structural elements comprise grooves or dielectric films each having a width of λ 0 /4 or λ 0 /2, for example, where λ 0 represents a wavelength corresponding to a fundamental operating frequency of the unidirectional surface acoustic wave transducer.