公开(公告)号：EP2741331A2

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：EP13195885.2

申请日：2013-12-05

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： OLLIER, Eric ,  ARCAMONE, Julien ,  SAVOYE, Mylène

IPC分类号： H01L27/06 ,  B81C1/00 ,  H01L27/12

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C1/0019 ,  B81C2203/0728 ,  B81C2203/0771 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/1203

摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant, sur un même substrat, au moins un composant électro-mécanique (C) doté d'une structure suspendue et au moins un transistor (T), le procédé comprenant une étape de libération de la structure suspendue du composant électromécanique après avoir formé des niveaux métalliques d'interconnexions de composants.

摘要翻译： 该方法涉及在形成半导电层，其中，所述块被布置在半导电块（110）的侧面上形成机电组分（C）的悬挂结构的第一区域牺牲块。 的晶体管（T）是从第二区域形成。 互连层形成在上绝缘层，和一个空腔的绝缘层中形成，以便部分地显示出半导电和牺牲块。 周围的半导电块牺牲块和牺牲层被从腔中取出以释放半导电块。