公开(公告)号：EP4369415A1

公开(公告)日：2024-05-15

申请号：EP23209323.7

申请日：2023-11-13

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： DURIEZ, Blandine ,  ANDRIEU, François ,  CHALUPA, Zdenek ,  FACHE, Thibaud ,  HARTMANN, Jean-Michel ,  REBOH, Shay

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/78687 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L27/1203 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66575

摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant les étapes suivantes :
- une formation d'un motif de grille sur le substrat, surmontant un canal de conduction,
- une formation d'espaceurs définissant des régions source et drain,
- une modification des régions source et drain pour générer une contrainte en tension dans le canal de conduction ;

avantageusement, le procédé comprend :
- avant formation du motif de grille, une formation d'une couche précontrainte en compression, sur le substrat,
- une formation d'une couche active sur la couche précontrainte, ladite couche active étant destinée à accueillir le canal de conduction ;

avantageusement, la modification des régions source et drain est configurée pour relâcher élastiquement la contrainte en compression de la couche précontrainte, de sorte à appliquer l'état de contrainte en tension dans le canal.