-
公开(公告)号：EP4006955A1
公开(公告)日：2022-06-01
申请号：EP21306639.2
申请日：2021-11-25
发明人： REBOH, Shay , HARTMANN, Jean-Michel
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'un substrat semi-conducteur sur isolant qui comprenant les étapes suivantes :
- dépôt par épitaxie d'une première couche semi-conductrice (32) sur une couche de lissage (31) supportée par un substrat support (30) monocristallin pour former un substrat donneur ;
- réalisation (F4) d'un assemblage par mise en contact du substrat donneur et d'un substrat receveur (40);
- transfert (F5) sur le substrat receveur de la première couche semi-conductrice (32), de la couche de lissage (31) et d'une partie (34) du substrat support ;
- gravure sélective (F6) de ladite partie (34) du substrat support par rapport à la couche de lissage (31) ;
Le dépôt par épitaxie de la première couche semi-conductrice (32) peut être précédé d'un recuit de préparation de surface du substrat support monocristallin à une température supérieure à 650°C.
Après la gravure sélective de ladite partie (34) du substrat support, le procédé comprend la réalisation des étapes suivantes dans un bâti d'épitaxie :
- gravure sélective (F7) de la couche de lissage (31) par rapport à la première couche semi-conductrice (32);
- dépôt par épitaxie (F8) d'une deuxième couche semi-conductrice (36) sur la première couche semi-conductrice (32).-
公开(公告)号：EP4002431A1
公开(公告)日：2022-05-25
申请号：EP21208567.4
申请日：2021-11-16
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306
摘要： La présente description concerne un procédé de polissage d'un substrat semiconducteur (100), comprenant :
a) une étape d'implantations multiples d'ions à partir d'une face supérieure (100U) du substrat, de façon à modifier le matériau d'une partie supérieure (100A) du substrat, l'étape d'implantations multiples comprenant plusieurs implantations successives sous des orientations d'implantation respectives différentes ; et
b) une étape de retrait sélectif de la partie supérieure (100A) du substrat.-
3.发明公开
公开(公告)号：EP3660930A1
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：EP19211790.1
申请日：2019-11-27
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L27/146
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) comportant une matrice de photodiodes à base de germanium comportant les étapes suivantes :
- réalisation d'un empilement de couches semiconductrices (11, 12) réalisées à base de germanium ;
- réalisation de tranchées (13) ;
- dépôt d'une couche semiconductrice intrinsèque de passivation (30), réalisée à base de silicium ;
- recuit, assurant, pour chaque photodiode (2), une interdiffusion du silicium de la couche semiconductrice de passivation (30) et du germanium d'une portion semiconductrice (20), formant ainsi une zone dite périphérique (24) de la portion semiconductrice (20), réalisée à base de silicium germanium.-
公开(公告)号：EP4369415A1
公开(公告)日：2024-05-15
申请号：EP23209323.7
申请日：2023-11-13
发明人： DURIEZ, Blandine , ANDRIEU, François , CHALUPA, Zdenek , FACHE, Thibaud , HARTMANN, Jean-Michel , REBOH, Shay
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/786 , H01L29/78 , H01L27/12 , H01L29/10 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/78687 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L27/1203 , H01L21/26506 , H01L29/1054 , H01L29/7848 , H01L29/66636 , H01L29/66575
摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant les étapes suivantes :
- une formation d'un motif de grille sur le substrat, surmontant un canal de conduction,
- une formation d'espaceurs définissant des régions source et drain,
- une modification des régions source et drain pour générer une contrainte en tension dans le canal de conduction ;
avantageusement, le procédé comprend :
- avant formation du motif de grille, une formation d'une couche précontrainte en compression, sur le substrat,
- une formation d'une couche active sur la couche précontrainte, ladite couche active étant destinée à accueillir le canal de conduction ;
avantageusement, la modification des régions source et drain est configurée pour relâcher élastiquement la contrainte en compression de la couche précontrainte, de sorte à appliquer l'état de contrainte en tension dans le canal.-
公开(公告)号：EP4198587A1
公开(公告)日：2023-06-21
申请号：EP22210320.2
申请日：2022-11-29
摘要： Ce procédé comporte la fabrication d'un premier guide d'onde en nitrure de silicium stoechiométrique, d'un second guide d'onde en matériau semi-conducteur cristallin et d'au moins un composant actif optiquement couplé au premier guide d'onde par l'intermédiaire du second guide d'onde. Ce procédé comporte :
a) la formation (128) d'une ouverture qui traverse une couche d'encapsulation du premier guide d'onde et débouche dans ou sur un substrat en silicium monocristallin, puis
b) le dépôt (132) par croissance épitaxiale d'un matériau de germination cristalline à l'intérieur de l'ouverture jusqu'à ce que ce matériau de germination cristalline forme un germe cristallin sur une face supérieure de la couche d'encapsulation, puis
c) une épitaxie latérale (136), d'un matériau semi-conducteur cristallin à partir du germe cristallin formé pour former une couche en matériau semi-conducteur cristallin dans laquelle le second guide d'onde est ensuite réalisé.-
6.发明公开
公开(公告)号：EP4184594A1
公开(公告)日：2023-05-24
申请号：EP22207393.4
申请日：2022-11-15
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： L'invention porte sur une photodiode planaire comportant une couche principale (22) comportant une première région (11) dopée de type n, une deuxième région (12) dopée de type p, et une région intermédiaire (13), ainsi qu'une portion latérale périphérique (25) dopée de type p. Elle comporte également une portion intermédiaire périphérique (27), réalisée en une alternance de couches minces monocristallines de silicium germanium (27.1) et de germanium (27.2), située au niveau de la première face (22a), et s'étendant entre et à une distance non nulle de la première région dopée (11) et de la portion latérale périphérique (25) de manière à entourer la première région dopée (11) dans un plan principal.
-
7.发明公开
公开(公告)号：EP4379821A1
公开(公告)日：2024-06-05
申请号：EP23212433.9
申请日：2023-11-27
IPC分类号： H01L31/11 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/11 , H01L31/02161
摘要： L'invention porte sur un démodulateur photonique 1 assisté par courant, comportant une portion de détection 10 ayant deux régions dopées 11 de modulation et deux régions dopées 12 de collection, affleurant une première face F1 recouverte par une couche diélectrique 2. Des électrodes M1, M2, C1, C2 traversent la couche diélectrique 2 et viennent au contact des régions dopées 11, 12. De plus, des électrodes intermédiaires I1, I2 traversent en partie la couche diélectrique 2 et sont espacées de la première face F1 d'une distance non nulle, chacune étant située, en projection dans un plan principal, entre l'une des régions dopées 11 de modulation et la région dopée adjacente 12 de collection.
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.015 秒)
