公开(公告)号：EP0446549A2

公开(公告)日：1991-09-18

申请号：EP90420552.3

申请日：1990-12-18

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Tissier, Annie ,  Galvier, Jean

IPC分类号： G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  H01J37/32

CPC分类号： G01B11/0675 ,  G01B11/024

摘要： La présente invention concerne un procédé de mesure des dimensions d'un espaceur consistant à:

former sur un substrat (1) un réseau de bandes parallèles (2) ayant une section transversale rectangulaire;
réaliser des espaceurs (7) sur les bords latéraux (6) des bandes parallèles (2);
éclairer le réseau par un faisceau lumineux pour produire une figure de diffraction dont l'enveloppe présente un lobe principal et des lobes secondaires;
mesurer la somme des intensités lumineuses d'un nombre prédéterminé de taches appartenant au premier lobe secondaire; et
en déduire la largeur ℓ et l'angle ϑ de l'espaceur (7) par les formules suivantes: ℓ = k1 × IL1 + k2 ϑ = k3 × IL1 + k4

摘要翻译： 本发明涉及一种用于测量间隔件的尺寸的步骤，该间隔件包括： - 在基板（1）上形成具有矩形横截面的平行条带（2）阵列; ... - 在平行条（2）的侧边缘（6）上产生间隔物（7）; ... - 用光束照射阵列，以便产生其外壳具有初级凸角和次级凸角的衍射图案; ... - 测量属于第一次级凸角的预定数量的光斑的光强度的总和; 和...，并通过以下公式推导出间隔物（7）的宽度l和角度THETA：... l = k1 x IL1 + k2 ... THETA = k3 x IL1 + k4 ...... ...

公开(公告)号：EP0413645A1

公开(公告)日：1991-02-20

申请号：EP90420374.2

申请日：1990-08-09

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Haond, Michel ,  Galvier, Jean

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/84 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/161 ,  Y10S438/978

摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS formé dans un pavé de silicium sur isolant à flancs arrondis convexes, consistant initialement à découper le pavé dans une couche mince de silicium monocristallin sur isolant. Dans ce procédé la découpe du pavé comprend les étapes suivantes : former à l'emplacement où l'on veut obtenir le pavé une portion de couche de masquage (3) d'une épaisseur légèrement supérieure à celle de la couche mince de silicium sur isolant ; déposer une deuxième couche de silicium (11) d'une épaisseur prédéterminée ; et soumettre le système à une gravure anisotrope jusqu'à ce que l'isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage.

公开(公告)号：EP0468897B1

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：EP91420256.9

申请日：1991-07-16

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Galvier, Jean ,  Gayet, Philippe ,  Tissier, Annie

IPC分类号： H01J37/32 ,  G01B11/06 ,  H01L21/321 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

CPC分类号： B24B37/013 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26

公开(公告)号：EP0413645B1

公开(公告)日：1995-07-12

申请号：EP90420374.2

申请日：1990-08-09

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Haond, Michel ,  Galvier, Jean

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/84 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/161 ,  Y10S438/978

公开(公告)号：EP0446549B1

公开(公告)日：1994-04-13

申请号：EP90420552.3

申请日：1990-12-18

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Tissier, Annie ,  Galvier, Jean

IPC分类号： G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  H01J37/32

CPC分类号： G01B11/0675 ,  G01B11/024

公开(公告)号：EP0468897A1

公开(公告)日：1992-01-29

申请号：EP91420256.9

申请日：1991-07-16

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Galvier, Jean ,  Gayet, Philippe ,  Tissier, Annie

IPC分类号： H01J37/32 ,  G01B11/06 ,  H01L21/321 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

CPC分类号： B24B37/013 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26

摘要： La présente invention concerne un procédé de détermination de l'élimination complète d'une couche mince (3) déposée sur un substrat (1). Ce procédé comprend les étapes consistant à prévoir sur une zone du substrat (1) un réseau de diffraction optique (2, 2′), la couche mince déposée sur le substrat recouvrant aussi ce réseau de diffraction, et l'attaque de la couche mince s'effectuant aussi au niveau de ce réseau de diffraction ; à éclairer le réseau (2, 2′) par un faisceau lumineux monochromatique ; et à observer l'évolution de la lumière diffractée au cours de l'opération d'attaque de la couche mince, afin de déterminer l'instant où le matériau de la couche mince est intégralement ôté.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于采矿确定性完全除去沉积在基板（1）的薄层（3）的。 此方法包括以下步骤在提供在基板（1）〜光学衍射光栅（2，2“），沉积在如此重叠的该衍射光栅的基板上的薄膜层的一个区域由...组成，并且该薄层的蚀刻因此是 在这种衍射光栅的区域进行; 在照射所述光栅（2,2“）与一个单色光束; 和在观察蚀刻所述薄层的外科手术过程中在衍射光的变化，以便确定矿的瞬间在哪薄层的材料被完全消除。 ... ...

公开(公告)号：EP0446549A3

公开(公告)日：1991-09-25

申请号：EP90420552.3

申请日：1990-12-18

申请人： FRANCE TELECOM

发明人： Tissier, Annie ,  Galvier, Jean

IPC分类号： G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  H01J37/32

CPC分类号： G01B11/0675 ,  G01B11/024

摘要： La présente invention concerne un procédé de mesure des dimensions d'un espaceur consistant à:
former sur un substrat (1) un réseau de bandes parallèles (2) ayant une section transversale rectangulaire; réaliser des espaceurs (7) sur les bords latéraux (6) des bandes parallèles (2); éclairer le réseau par un faisceau lumineux pour produire une figure de diffraction dont l'enveloppe présente un lobe principal et des lobes secondaires; mesurer la somme des intensités lumineuses d'un nombre prédéterminé de taches appartenant au premier lobe secondaire; et en déduire la largeur ℓ et l'angle ϑ de l'espaceur (7) par les formules suivantes: ℓ = k1 × IL1 + k2 ϑ = k3 × IL1 + k4