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    Semiconductor memory device
    1.
    发明公开
    Semiconductor memory device 失效
    Halbleiterspeicherschaltung

    公开(公告)号：EP1603136A2

    公开(公告)日：2005-12-07

    申请号：EP05017186.7

    申请日：1998-06-03

    申请人： FUJITSU LIMITED

    发明人： Fujioka, Shinya ,  Taguchi, Masao ,  Fujieda, Waichirou ,  Sato, Yasuharu ,  Susuki, Takaaki ,  Aikawa, Tadao ,  Nagasawa, Takayuki

    IPC分类号： G11C11/4091

    CPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/1039 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/12 ,  G11C8/00 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/005 ,  G11C2207/065

    摘要： A semiconductor memory device comprising: a memory cell array block (150) including a plurality of sub memory cell array blocks (162); a sense amplifier column associated with said memory cell array block, the sense amplifier column including a plurality of sense amplifier blocks (164), each associated with corresponding sub memory cell array block; a column decoder receiving a column address to output a column block select signal; and a sense amplifier driving signal generating circuit for driving specified sense amplifier block among the plurality of sense amplifier blocks (164) in response to said column block select signal.

    摘要翻译： 一种半导体存储器件，包括：包括多个子存储单元阵列块（162）的存储单元阵列块（150）; 与所述存储单元阵列块相关联的读出放大器列，所述读出放大器列包括多个读出放大器块（164），每个读出放大器列与对应的子存储单元阵列块相关联; 接收列地址以输出列块选择信号的列解码器; 以及用于响应于所述列块选择信号而驱动多个读出放大器块（164）中的指定读出放大器块的读出放大器驱动信号发生电路。