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    Integrated micro electro-mechanical system and manufacturing method thereof
    2.
    发明公开
    Integrated micro electro-mechanical system and manufacturing method thereof 有权
    Integriertes mikromechanisches系统和dessen Herstellung

    公开(公告)号：EP1695937A2

    公开(公告)日：2006-08-30

    申请号：EP05255278.3

    申请日：2005-08-26

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Fukuda, Hiroshi, c/o Hitachi, Ltd. ,  Fujimori, Tsukasa, c/o Hitachi, Ltd. ,  Yokoyama, Natsuki, c/o Hitachi, Ltd. ,  Hanaoka, Yuko, c/o Hitachi, Ltd. ,  Matsumura, Takafumi, c/o Hitachi, Ltd.

    IPC分类号： B81B7/02 ,  B81B3/00

    CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742

    摘要： In the manufacturing technology of an integrated MEMS in which a semiconductor integrated circuit (CMOS or the like) and a micro machine are monolithically integrated on a semiconductor substrate, a technology capable of manufacturing the integrated MEMS without using a special process different from the normal manufacturing technology of a semiconductor integrated circuit is provided. A MEMS structure is formed together with an integrated circuit by using COMS integrated circuit process. For example, when forming an acceleration sensor, a structure composed of a movable mass (109), an elastic beam (110) and a fixed beam (111) is formed by using the CMOS interconnect technology. Thereafter, an interlayer dielectric (112) and the like are etched by using the CMOS process to form a cavity (115). Then, fine holes (113) used in the etching are sealed with a dielectric (116).

    摘要翻译： 在其中半导体集成电路（CMOS等）和微机器单片集成在半导体衬底上的集成MEMS的制造技术中，能够在不使用与正常制造不同的特殊工艺的情况下制造集成MEMS的技术 提供了半导体集成电路的技术。 通过使用COMS集成电路工艺，与集成电路一起形成MEMS结构。 例如，当形成加速度传感器时，通过使用CMOS互连技术形成由可移动质量块（109），弹性梁（110）和固定梁（111）构成的结构。 此后，通过使用CMOS工艺蚀刻层间电介质（112）等以形成空腔（115）。 然后，用电介质（116）密封蚀刻中使用的细孔（113）。