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1.发明授权LIQUID METAL ION SOURCE AND ALLOY FOR ION EMISSION OF MULTIPLE IONIC SPECIES 失效液体金属离子源和合金用于多种离子物质的排放
公开(公告)号：EP0262219B1
公开(公告)日：1990-04-25
申请号：EP87903757.0
申请日：1987-03-09
申请人： Hughes Aircraft Company , Government of the United States , Oregon Graduate Institute of Science and Technology
发明人： CLARK, William, M., Jr. , UTLAUT, Mark, W. , WYSOCKI, Joseph, A. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SWANSON, Lynwood, W. , BELL, Anthony, E.
IPC分类号： H01J27/26
摘要： A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.
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公开(公告)号：EP0316401A1
公开(公告)日：1989-05-24
申请号：EP88904747.0
申请日：1988-03-25
CPC分类号： H01L29/1062
摘要： Un dispositif à couplage de charge (CCD) est pourvu d'un gradient d'implantation de dopant, de butées de canaux latéraux (12, 14) et d'implants de blocage (16) au moyen d'un faisceau d'ions focalisé (FIB). Le FIB balaye de manière répétée chaque cellule du CCD selon une succession de balayages d'implantation chevauchants mais individuels. Les niveaux de dopage des implantations FIB s'accumulent jusqu'à une approximation en étages d'un profil désiré de densité du dopant, les largeurs des étages n'excédant pas environ la moitié des largeurs des implantations individuelles FIB. Avec un pixel (élément d'image) FIB d'environ 750-1 500 Angstroms, les largeurs des étages sont de préférence d'environ 250-500 Angstroms; la dimension des cellules dans la direction du gradient de dopant peut être inférieure à environ 5 microns. Les butées ou arrêts de canaux latéraux et les implants de rétroblocage peuvent être aussi étroits que des largeurs de pixels FIB uniques, libérant ainsi une plus grande partie de la cellule pour la capacité de transport de charge.
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公开(公告)号：EP0155283B1
公开(公告)日：1988-06-22
申请号：EP84903206.5
申请日：1984-06-25
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3007
摘要： Two lens focused ion beam column (10) has an accelerating lens (20) which carries a potential to focus a nonmagnified image of the liquid metal ion source (14) on the mass analyzer slit (26). Munro lens (36) accelerates the beam of selected ion species and demagnifies the image to provide an ion writing spot of less than about 1000 Ao size.
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4.发明公开LIQUID METAL ION SOURCE AND ALLOY FOR ION EMISSION OF MULTIPLE IONIC SPECIES 失效液态金属离子源和多离子种类EMITTING合金。
公开(公告)号：EP0262219A1
公开(公告)日：1988-04-06
申请号：EP87903757.0
申请日：1987-03-09
发明人： CLARK, William, M., Jr. , UTLAUT, Mark, W. , WYSOCKI, Joseph, A. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SWANSON, Lynwood, W. , BELL, Anthony, E.
摘要： Source d'ions (10) et alliage sous forme de métal liquide pour l'évaporation ionique simultanée d'arsénique et d'or, d'arsénique et de phosphore, ou d'arsénique, de bore et de phosphore. Les espèces ioniques à vaporiser sont contenues dans des alliages palladium-arsénique-bore et palladium-arsénique-bore-phosphore. La source d'ions (10), avec un moyen d'émission comme par exemple un émetteur à aiguille (12) et un moyen de source comme par exemple un élément chauffant en forme de U (14), est realisée de préférence de rhénium et de tungstène, les deux se prêtant facilement à la fabrication. Les sources d'ion (10) émettent des faiasceaux continus d'ions présentant des flux de l'espèce de matériau souhaité suffisamment élevés pour permettre leur utilisation dans l'implantation ionique de plaquettes semiconductrices pour la préparation de dispositifs pour circuits intégrés. Les sources sont d'un fonctionnement stable, sont peu affectées par la corrosion pendant leur utilisation et possèdent une grande longevité opérationnelle.
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公开(公告)号：EP0155283A1
公开(公告)日：1985-09-25
申请号：EP84903206.0
申请日：1984-06-25
CPC分类号： H01J37/3007
摘要： Une colonne à faisceau ionique focalisé (10) à deux lentilles possède une lentille accélératrice (20) soumise à un potentiel pour focaliser une image non agrandie de la source (14) d'ions de métal liquide sur la fente de l'analyseur de masse (26). Une lentille de Munro (36) accélère le faisceau d'espèces d'ions sélectionnées et réduit l'image pour produire un point d'écriture ionique d'une dimension inférieure à d'environ 1000 Ao.
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