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1.发明授权LIQUID METAL ION SOURCE AND ALLOY FOR ION EMISSION OF MULTIPLE IONIC SPECIES 失效液体金属离子源和合金用于多种离子物质的排放
公开(公告)号：EP0262219B1
公开(公告)日：1990-04-25
申请号：EP87903757.0
申请日：1987-03-09
申请人： Hughes Aircraft Company , Government of the United States , Oregon Graduate Institute of Science and Technology
发明人： CLARK, William, M., Jr. , UTLAUT, Mark, W. , WYSOCKI, Joseph, A. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SWANSON, Lynwood, W. , BELL, Anthony, E.
IPC分类号： H01J27/26
摘要： A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.
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2.发明公开LIQUID METAL ION SOURCE AND ALLOY FOR ION EMISSION OF MULTIPLE IONIC SPECIES 失效液态金属离子源和多离子种类EMITTING合金。
公开(公告)号：EP0262219A1
公开(公告)日：1988-04-06
申请号：EP87903757.0
申请日：1987-03-09
发明人： CLARK, William, M., Jr. , UTLAUT, Mark, W. , WYSOCKI, Joseph, A. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SWANSON, Lynwood, W. , BELL, Anthony, E.
摘要： Source d'ions (10) et alliage sous forme de métal liquide pour l'évaporation ionique simultanée d'arsénique et d'or, d'arsénique et de phosphore, ou d'arsénique, de bore et de phosphore. Les espèces ioniques à vaporiser sont contenues dans des alliages palladium-arsénique-bore et palladium-arsénique-bore-phosphore. La source d'ions (10), avec un moyen d'émission comme par exemple un émetteur à aiguille (12) et un moyen de source comme par exemple un élément chauffant en forme de U (14), est realisée de préférence de rhénium et de tungstène, les deux se prêtant facilement à la fabrication. Les sources d'ion (10) émettent des faiasceaux continus d'ions présentant des flux de l'espèce de matériau souhaité suffisamment élevés pour permettre leur utilisation dans l'implantation ionique de plaquettes semiconductrices pour la préparation de dispositifs pour circuits intégrés. Les sources sont d'un fonctionnement stable, sont peu affectées par la corrosion pendant leur utilisation et possèdent une grande longevité opérationnelle.
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公开(公告)号：EP0263849B1
公开(公告)日：1992-11-25
申请号：EP87901979.2
申请日：1987-03-09
申请人： Hughes Aircraft Company , Government of the United States , Oregon Graduate Institute of Science and Technology
发明人： CLARK, William, M. Jr. , UTLAUT, Mark, W. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SANTANDREA, Robert, P. , SWANSON, Lynwood, W.
IPC分类号： H01J27/26
CPC分类号： H01J27/26
摘要： A liquid metal ion source and alloy, wherein the species to be emitted from the ion source is contained in a congruently vaporizing alloy. In one embodiment, the liquid metal ion source acts as a source of arsenic, and in a source alloy the arsenic is combined with palladium, preferably in a liquid alloy having a range of compositions from about 24 to about 33 atomic percent arsenic. Such an alloy may be readily prepared by a combustion synthesis technique. Liquid metal ion sources thus prepared produce arsenic ions for implantation, have long lifetimes, and are highly stable in operation.
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公开(公告)号：EP0316401A1
公开(公告)日：1989-05-24
申请号：EP88904747.0
申请日：1988-03-25
CPC分类号： H01L29/1062
摘要： Un dispositif à couplage de charge (CCD) est pourvu d'un gradient d'implantation de dopant, de butées de canaux latéraux (12, 14) et d'implants de blocage (16) au moyen d'un faisceau d'ions focalisé (FIB). Le FIB balaye de manière répétée chaque cellule du CCD selon une succession de balayages d'implantation chevauchants mais individuels. Les niveaux de dopage des implantations FIB s'accumulent jusqu'à une approximation en étages d'un profil désiré de densité du dopant, les largeurs des étages n'excédant pas environ la moitié des largeurs des implantations individuelles FIB. Avec un pixel (élément d'image) FIB d'environ 750-1 500 Angstroms, les largeurs des étages sont de préférence d'environ 250-500 Angstroms; la dimension des cellules dans la direction du gradient de dopant peut être inférieure à environ 5 microns. Les butées ou arrêts de canaux latéraux et les implants de rétroblocage peuvent être aussi étroits que des largeurs de pixels FIB uniques, libérant ainsi une plus grande partie de la cellule pour la capacité de transport de charge.
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公开(公告)号：EP0263849A1
公开(公告)日：1988-04-20
申请号：EP87901979.0
申请日：1987-03-09
发明人： CLARK, William, M. Jr. , UTLAUT, Mark, W. , BEHRENS, Robert, G. , SZKLARZ, Eugene, G. , STORMS, Edmund, K. , SANTANDREA, Robert, P. , SWANSON, Lynwood, W.
CPC分类号： H01J27/26
摘要： Source d'ions et alliage sous forme de métal liquide, où l'espèce de matériaux devant être émis par la source d'ions est contenue dans un alliage à vaporisation congruente. Dans une réalisation la source d'ions sous forme de métal liquide sert de source d'arsenic, et dans un alliage source l'arsenic est associé à du palladium, de préférence dans un alliage liquide dont la plage de compositions varie depuis environ 24 à environ 33 pourcent atomique d'arsenic. Un alliage de ce genre peut être préparé facilement par une technique de synthèse par combustion. Les sources d'ions sous forme de métal liquide qui sont ainsi préparées fournissent des ions d'arsenic destinés à l'implantation, possèdent une grande longivité et présentent une stabilité de fonctionnement élevée.
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