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    Bipolartransistor mit selbstjustiertem Emitterkontakt
    1.
    发明公开
    Bipolartransistor mit selbstjustiertem Emitterkontakt 审中-公开
    自对准双极发射极接触

    公开(公告)号：EP2830097A1

    公开(公告)日：2015-01-28

    申请号：EP14188533.5

    申请日：2009-12-03

    申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

    发明人： Heinemann, Bernd ,  Marschmeyer, Steffen ,  Fox, Alexander

    IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7371

    摘要： Halbleitervorrichtung, umfassend eine Substratschicht (410) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem ersten Isolationsgebiet (411), und eine Vielzahl vertikaler Bipolartransistoren, wobei die vertikalen Bipolartransistoren jeweils einen in einer Öffnung des ersten Isolationsgebietes (411) angeordneten ersten Höhenabschnitt eines Kollektors (420) aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfassen, Ein Basisanschlussgebiet (431) umgibt in lateraler Richtung die Basis (407b) und ist entweder teilweise oder vollständig einkristallin. Einer in einer Auhöhlung eines Schichstapels (441, 442, 443) geformten T-förmiger Emitter (460) aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, der das Basisanschlussgebiet (431) überlappt hat einen horizontalen Balken, der nach außen hin mit dem jeweiligen Basisanschlussgebiet überlappt, wobei die laterale Ausdehnung dieser Überlappung über die Gesamtzahl der Bipolartransistoren der Halbleitervorrichtung eine Variation von maximal 10 Nanometer aufweist.

    摘要翻译： 包括由具有第一隔离区域（411），以及多个垂直双极晶体管的第一导电类型的半导体材料的基体层（410）的半导体器件，所述布置在在第一绝缘区域（411）的集电极的每一个第一竖直部分的开口垂直双极晶体管（420 ）制成的第二导电类型的单晶半导体材料的，一个基极连接区域（431）包围在所述基部（407B）的横向方向上，并且部分或完全单晶。 在其中重叠基极连接区域（431）的第二导电类型的半导体材料的T形发射器（460）形成的Auhöhlung滑雪赫希斯特Apels（441，442，443）具有朝向所述外侧重叠与相应的基极连接区域的水平条，其中 在半导体器件的双极晶体管的总数这种重叠的横向范围具有不超过10个纳米的变型。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BIPOLARTRANSISTOREN MIT NICHTSELEKTIVER BASISEPITAXIE
    4.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BIPOLARTRANSISTOREN MIT NICHTSELEKTIVER BASISEPITAXIE 审中-公开

    公开(公告)号：EP4199064A1

    公开(公告)日：2023-06-21

    申请号：EP21215189.8

    申请日：2021-12-16

    申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

    发明人： Heinemann, Bernd ,  Rücker, Holger

    IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/082 ,  H01L29/66 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06

    摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von Hochgeschwindigkeits (HS-npn)- und Hoch-Volt (HV-npn)-SiGe-Heterobipolartransistoren, mittels nichtselektiver Basisabscheidung, deren Kollektorgebiet seitlich von STI umschlossen ist und die über eine selbstjustierte Basis-Emitter-Anordnung sowie epitaktisch verstärkte Basisanschlussgebiete verfügen. Einige Aspekte der Erfindung umfassen Prozessfolgen, die zu verbesserten Eigenschaften der HV-Transistoren führen. Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung beinhaltet die Ersetzung einzelner Siliziumdioxid-Schichten durch Isolator-Schichtkombinationen. Unter Ausnutzung der Ätzratenunterschiede unterschiedlicher Oxid-Arten bei nasschemischer Behandlung gelingt es, laterale Abmessungen der Emitter- bzw. Kollektorfenster zu verringern und damit das Hochfrequenzverhalten zu verbessern. Gleichzeitig werden diese Möglichkeiten eingesetzt, um für die elektrischen Eigenschaften günstige Formen der Isolatorseitenwände am Emitter- bzw. Kollektorfenster zu gestalten. Ein anderer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf die Strukturierung der Emitter-Poly-Silizium-Schicht mit Hilfe eines darüber liegenden Vierschichtstapels, der es ermöglicht, auch bei variabler Höhe des Emitter-Poly-Siliziums die laterale und vertikale Dicke der Verkapselung des Emitters unabhängig voneinander den Erfordernissen anzupassen und zugleich eine schadensfreie Entfernung der Hilfsschichten sicherzustellen. Eine nächste Ausführung der Erfindung berührt die Einbringung von Dotierstoff in das externe Basisgebiet. Abweichend vom üblichen Vorgehen wird hier zusätzlich eine spezielle Implantation der externen Basisgebiete vor deren epitaktischer Verstärkung vorgenommen. Die Kollektorgebiete der HS und HV Transistoren werden mittels unterschiedliche selektiv implantierte, SIC, Implantationen unabhängig von einander optimiert.