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    DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION
    1.
    发明公开
    DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION 审中-公开

    公开(公告)号：EP3961727A2

    公开(公告)日：2022-03-02

    申请号：EP20200240.8

    申请日：2020-10-06

    申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

    发明人： LISCHKE, Stefan

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G02F1/025

    摘要： The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The intrinsic region (310) is produced such that it (310) is not doped when the diode (300) is produced.

    HOCHGESCHWINDIGKEITS-GERMANIUM-PIN-FOTODIODE
    4.
    发明公开
    HOCHGESCHWINDIGKEITS-GERMANIUM-PIN-FOTODIODE 有权
    HOCHGESCHWINDIGKEITS锗PIN-FOTODIODE

    公开(公告)号：EP3096362A1

    公开(公告)日：2016-11-23

    申请号：EP16166948.6

    申请日：2016-04-25

    申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

    发明人： KNOLL, Dieter ,  LISCHKE, Stefan

    IPC分类号： H01L31/105 ,  G02B6/42

    CPC分类号： H01L31/105 ,  G02B6/42 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288

    摘要： Es wird eine Diode beschrieben, mit einem lichtempfindlichen Germanium-Gebiet (5), das sich auf einem Wellenleiter (2) aus Silizium oder Silizium-Germanium befindet und das im Vergleich mit dem Wellenleiter identische oder um maximal 20 nm pro Seite kürzere laterale Abmessungen in einer Richtung quer zu einer Lichtausbreitungsrichtung im Wellenleiter hat. Die Diode im Germaniumgebiet enthält eine laterale Anordnung eines N-dotierten (5b), eines intrisischen (5) und eines P-dotierten (5a) Germanium-Gebiets. Ausserdem schliessen sich seitlich an die P- und N-dotierten Gebiete (5a, 5b) im Germanium-Gebiet weitere homogen dotierte Ausläufer (6a, 6b) aus Silizium oder Silizium-Germanium an, die sich in vertikaler Richtung mindestens bis zu einem Niveau erstrecken, welches auf gleicher Höhe ist wie ein in der vertikalen Richtung höchster Punkt des Germanium-Gebiets (5).

    摘要翻译： 描述了一种二极管，其包括位于由硅或硅锗制成的波导（2）上的光敏锗区（5），并且在与波导中的光传播方向横切的横向尺寸相同或相同， 与波导相比，每侧最多20nm更短。

    DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION
    6.
    发明公开
    DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION 审中-公开

    公开(公告)号：EP3961727A3

    公开(公告)日：2022-05-11

    申请号：EP20200240.8

    申请日：2020-10-06

    申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

    发明人： LISCHKE, Stefan

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G02F1/025

    摘要： The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The intrinsic region (310) is produced such that it (310) is not doped when the diode (300) is produced.