公开(公告)号：EP3038163A1

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：EP15197325.2

申请日：2015-12-01

申请人： IMEC VZW ,  Katholieke Universiteit Leuven

发明人： Hu, Jie

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/8725 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

摘要： A group III-N lateral Schottky diode is disclosed comprising a substrate (2), a nucleation layer (3) formed on the substrate (2), a buffer layer (4) formed on the nucleation layer (3), a group III-N channel stack (5) formed on the buffer layer (4), formed on the channel stack (5) a group III-N barrier (6) containing Aluminium whereby the Aluminium content of the barrier (6) decreases towards the channel stack (5), a passivation layer (8) formed on the group III-N barrier (6), a cathode (11) formed in an opening (9) through the passivation layer (8) whereby the opening (9) at least extends to the barrier (6), and; an anode (13) formed in another opening (10) through the passivation layer (8) thereby partially extending into the barrier (6), the anode forming a Schottky contact with the barrier (6).

摘要翻译： 公开了一种组III-N侧向肖特基二极管，其包括基板（2），形成在基板（2）上的成核层（3），形成在成核层（3）上的缓冲层（4） 形成在缓冲层（4）上的N沟道堆叠（5），形成在沟道堆叠（5）上，包含铝的III-N族阻挡层（6），由此阻挡层（6）的铝含量朝向沟道堆叠（ 5），形成在III-N族阻挡层（6）上的钝化层（8），通过钝化层（8）形成在开口（9）中的阴极（11），由此开口（9）至少延伸到 屏障（6），和 通过钝化层（8）形成在另一个开口（10）中从而部分地延伸到阻挡层（6）中的阳极（13），阳极与屏障（6）形成肖特基接触。