公开(公告)号：EP3087584A4

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：EP13900291

申请日：2013-12-26

申请人： INTEL CORP

发明人： FARMER JASON A ,  LEIB JEFFREY S ,  BERGSTROM DANIEL B

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/517

摘要： An aspect of the present disclosure relates to a method of forming a barrier layer on a semiconductor device. The method includes placing a substrate into a reaction chamber and depositing a barrier layer over the substrate. The barrier layer includes a metal and a non-metal and the barrier layer exhibits an as-deposited thickness of 4 nm or less. The method further includes densifying the barrier layer by forming plasma from a gas proximate to said barrier layer and reducing the thickness and increasing the density of the barrier layer. In embodiments, during densification 300 Watts or less of power is applied to the plasma at a frequency of 350 kHz to 40 MHz.

摘要翻译： 本公开的一方面涉及一种在半导体器件上形成阻挡层的方法。 该方法包括将衬底放入反应室并在衬底上沉积阻挡层。 阻挡层包括金属和非金属，阻挡层表现出4nm或更小的沉积厚度。 该方法进一步包括通过靠近所述阻挡层的气体形成等离子体并减小厚度并增加阻挡层的密度来使阻挡层致密化。 在实施例中，在致密化期间，以350kHz至40MHz的频率向等离子体施加300瓦或更小的功率。

公开(公告)号：EP3084807A4

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：EP13899973

申请日：2013-12-19

申请人： INTEL CORP

发明人： LEIB JEFFREY S ,  TROEGER RALPH T ,  BERGSTROM DANIEL B

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

摘要： Techniques and methods related to forming a wrap-around contact on a semiconductor device, and apparatus, system, and mobile platform incorporating such semiconductor devices.

摘要翻译： 涉及在半导体器件上形成环绕式接触的技术和方法，以及包含这种半导体器件的设备，系统和移动平台。