Hochintegrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
    2.
    发明公开
    Hochintegrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung 失效
    高度集成它们的制备半导体电路和程序。

    公开(公告)号:EP0005723A1

    公开(公告)日:1979-12-12

    申请号:EP79101237.0

    申请日:1979-04-24

    IPC分类号: H01L27/02 H01L23/52

    摘要: Bei einer hochintegrierten Halbleiterschaltung, basierend auf dem Master-Slice-Prinzip, mit in einem Halbleiterchip (1) integrierten und gegeneinander isolierten Bauelementen, die über mehrere Verdrahtungsebenen entsprechend einer vorgegebenen Funktion verbunden sind, werden die Bauelemente in einer Matrix aus Spalten (C) und Zeilen (R) von gegeneinander isolierten Einheitszellen (F) angeordnet. Im wesentlichen wird die gesamte Halbleiteroberfläche mit Ausnahme von Isolationsbereichen zwischen den Zellen und einem Grenzbereich von eingeschränkter Breite am Umfang des Chips für diese Zellen verwendet. Bis auf eine begrenzte Anzahl haben alle Zellen die gleiche Konfiguration, den gleichen Komponenteninhalt und sie belegen die gleiche Chipfläche. Die Mehrzahl der Zellen ist in Bündeln von Zellen (F1, F2, F3, F4) so angeordnet, daß jede Zelle eine eindeutige geometrische Orientierung zu den übrigen Zellen ihres Bündels hat.

    摘要翻译: 在基于主切片原理的高度集成的半导体电路,与半导体芯片(1)和相互绝缘的部件,其在按照预定的功能通过多个布线平面连接,所述部件在列(C)的基质中集成和 相互绝缘的单元电池(F)的行(R)布置。 基本上整个半导体表面,与细胞和减小的宽度的在芯片的周围的边界区域之间的隔离区域的例外是用于这些细胞。 除了所有小区的有限数目的具有相同的配置,相同的组件的内容和它们占据相同的芯片面积。 大部分细胞被布置在细胞(F1,F2,F3,F4),使得每个单元具有相对于它的束的另一单元的独特的几何取向的簇。