公开(公告)号：EP0000743B1

公开(公告)日：1980-09-17

申请号：EP78100525.1

申请日：1978-07-27

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Dalal, Hormazdyar Minocher ,  Ghafghaichi, Majid ,  Kasprzak, Lucian Alexander ,  Wimpfheimer, Hans

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/40 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28537 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66848 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  Y10S438/951 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0000743A1

公开(公告)日：1979-02-21

申请号：EP78100525.1

申请日：1978-07-27

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Dalal, Hormazdyar Minocher ,  Ghafghaichi, Majid ,  Kasprzak, Lucian Alexander ,  Wimpfheimer, Hans

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/40 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28537 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66848 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  Y10S438/951 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

摘要： Das Verfahren zum Herstellen von Tantalkontakten auf Siliciumhalbleitersubstraten eignet sich besonders für die Herstellung von Schottky - Sperrschicht - Dioden mit niedriger Potentialschwelle. Das Substrat wird vor dem Aufbringen der Tantalschicht gereinigt. Dann wird die Tantalschicht (28) bie niedrigem Druck und niedriger Substrattemperatur aufgebracht, wodurch eine Oxidation der Tantalschicht vermieden wird. Anschliessend wird der Kontakt gesintert, wodurch Grenzflächenladungen und zwischen Tantal und Substrat vorhandene Filme beseitigt werden. Wenn während der Verarbeitung ein Metall verwendet wird, das mit Silicium reagiert, wie zum Beispiel Aluminium für Verbindungsleitungen, dann muss zwischen der Tantalschicht (28) und der Aluminiumschicht (32) eine Chromschicht (30) niedergeschlagen werden.

摘要翻译： 用于在硅半导体衬底的制造钽的接触的方法特别适合于生产肖特基 - 势垒层 - 具有低势垒二极管。 衬底在钽层的应用之前清洗。 然后，将钽层（28）BIE低压和低的衬底温度下施加，从而避免钽层的氧化。 随后，接触烧结，从而之间以及钽和基底薄膜，可以消除现有的界面电荷。 如果金属被处理时，与硅起反应，如铝互连线期间使用必须然后钽层（28）和铝层（32）之间，一个铬层（30）被沉积。

公开(公告)号：EP0005723A1

公开(公告)日：1979-12-12

申请号：EP79101237.0

申请日：1979-04-24

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Balyoz, John ,  Chang, Chi Shih ,  Fox, Barry Charles ,  Ghafghaichi, Majid ,  Jen, Teh-Sen ,  Mooney, Donald Blaise ,  Palmieri, John Aldo

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/11801 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/923 ,  H01L2924/00

摘要： Bei einer hochintegrierten Halbleiterschaltung, basierend auf dem Master-Slice-Prinzip, mit in einem Halbleiterchip (1) integrierten und gegeneinander isolierten Bauelementen, die über mehrere Verdrahtungsebenen entsprechend einer vorgegebenen Funktion verbunden sind, werden die Bauelemente in einer Matrix aus Spalten (C) und Zeilen (R) von gegeneinander isolierten Einheitszellen (F) angeordnet. Im wesentlichen wird die gesamte Halbleiteroberfläche mit Ausnahme von Isolationsbereichen zwischen den Zellen und einem Grenzbereich von eingeschränkter Breite am Umfang des Chips für diese Zellen verwendet. Bis auf eine begrenzte Anzahl haben alle Zellen die gleiche Konfiguration, den gleichen Komponenteninhalt und sie belegen die gleiche Chipfläche. Die Mehrzahl der Zellen ist in Bündeln von Zellen (F1, F2, F3, F4) so angeordnet, daß jede Zelle eine eindeutige geometrische Orientierung zu den übrigen Zellen ihres Bündels hat.

摘要翻译： 在基于主切片原理的高度集成的半导体电路，与半导体芯片（1）和相互绝缘的部件，其在按照预定的功能通过多个布线平面连接，所述部件在列（C）的基质中集成和 相互绝缘的单元电池（F）的行（R）布置。 基本上整个半导体表面，与细胞和减小的宽度的在芯片的周围的边界区域之间的隔离区域的例外是用于这些细胞。 除了所有小区的有限数目的具有相同的配置，相同的组件的内容和它们占据相同的芯片面积。 大部分细胞被布置在细胞（F1，F2，F3，F4），使得每个单元具有相对于它的束的另一单元的独特的几何取向的簇。

公开(公告)号：EP0005723B1

公开(公告)日：1982-06-09

申请号：EP79101237.0

申请日：1979-04-24

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Balyoz, John ,  Chang, Chi Shih ,  Fox, Barry Charles ,  Ghafghaichi, Majid ,  Jen, Teh-Sen ,  Mooney, Donald Blaise ,  Palmieri, John Aldo

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/11801 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/923 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0039784A1

公开(公告)日：1981-11-18

申请号：EP81102644.2

申请日：1981-04-08

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Barkley, Keith Gustav ,  Ghafghaichi, Majid ,  Gopalakrishna, Yelandur Ranganatha ,  Tzou, Albert Ji-shou

IPC分类号： G11C19/28

CPC分类号： H01L27/1057 ,  G11C19/287

摘要： This serial to parallel to serial (SPS) charge coupled device (CCD) shift register memory has a serial output shift register (14) with gate electrode structures that are interdigitated with the gate electrode structures of each last stage of a plurality of parallel shift registers (12) to transfer interlaced data bits from the parallel shift registers to the serial output register in a sequential order.