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    Self-aligning fiber couplers
    2.
    发明公开
    Self-aligning fiber couplers 失效
    Selbstausrichtende Faserkoppler。

    公开(公告)号：EP0562211A1

    公开(公告)日：1993-09-29

    申请号：EP92810219.3

    申请日：1992-03-25

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Blacha, Armin, Dr. ,  Gfeller, Fritz, Dr. ,  Vettiger, Peter

    IPC分类号： G02B6/42

    CPC分类号： G02B6/4232 ,  G02B6/4202 ,  G02B6/4214

    摘要： Self-Aligning Fiber Link characterized by an alignment chip (70) having via holes (72.1, 72.2) in which fibers (71.1; 71.2) are aligned, and which is flipped onto a substrate (60) with opto-electronic surface emitting or surface receiving elements (62.1, 62.2). Automatic and precise alignment of the fibers (71.1, 71.2) is achieved by using solder balls (66.1, 66.2) situated between the alignment chip (70) and said substrate (60). When melting these solder balls (66.1, 66.2) their surface tension automatically provides for an alignment of the assembly, such that the fibers (71.1, 71.2) are brought into a well defined position with respect to said opto-electronic elements (62.1, 62.2).

    摘要翻译： 自对准光纤链路，其特征在于具有通孔（72.1,72.2）的对准芯片（70），其中光纤（71.1; 71.2）被对准，并且被转换到具有光电表面发射或表面的基板（60）上 接收元件（62.1,62.2）。 通过使用位于对准芯片（70）和所述基板（60）之间的焊球（66.1,66.2）来实现光纤（71.1,71.2）的自动精确对准。 当熔化这些焊球（66.1,66.2）时，它们的表面张力自动地提供组件的对准，使得光纤（71.1,71.2）相对于所述光电元件（62.1,62.2）被置于良好限定的位置 ）。

    Process for forming sidewalls
    4.
    发明公开
    Process for forming sidewalls 失效
    一种用于生产侧面结构的过程。

    公开(公告)号：EP0238690A1

    公开(公告)日：1987-09-30

    申请号：EP86104217.4

    申请日：1986-03-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Buchmann, Peter Leo ,  Vettiger, Peter ,  van Zeghbroeck, Bart Jozef

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/405 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/111 ,  Y10S148/137 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949 ,  Y10S438/95

    摘要： A process for forming sidewalls for use in the fabrication of semiconductor structures, where the thin, vertical sidewalls are "image transferred" to define sub-micron lateral dimensions.
    First, a patterned resist profile (13A, 13B) with substantially vertical edges is formed on a substrate (11, 12) on which the sidewalls are to be created. Then, the profile is soaked in a reactive organometallic silylation agent to silylate the top and the vertical edges of the resist to a predetermined depth, thereby rendering the profile surfaces (15S, 15T) highly oxygen etch resistant. In a subsequent anisotropic RIE process, the top (15T) of the profile and the unsilylated resist are removed, leaving the silylated vertical edges (15S), that provide the desired free-standing sidewalls, essen­tially unaffected.

    Bilithic composite for optoelectronic integration
    6.
    发明公开
    Bilithic composite for optoelectronic integration 失效
    Zweiteilige Zusammensetzungfüroptoelektronische集成。

    公开(公告)号：EP0548440A1

    公开(公告)日：1993-06-30

    申请号：EP91810995.0

    申请日：1991-12-23

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Webb, David John, Dr. ,  Buchmann, Peter, Dr. ,  Vettiger, Peter

    IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/42

    CPC分类号： G02B6/4231 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/423 ,  G02B6/43 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02292

    摘要： Optoelectronic composite consisting of two chips, the first chip (10) being made of a first material, the second one (13) being made of another material. The first chip (10), for example, comprises a multiplicity of active optoelectronic devices e.g. a laser diode (11) and a photo diode (12), all being monolithically integrated. A multiplicity of other optical devices, e.g. a waveguide (16), is monolithically integrated on the second chip (13). In addition this second chip (13) has depressions of the size of the devices (11, 12) integrated on said first chip (10). These devices and the waveguide (16) of the second chip (13) are automatically aligned when flipping both chips together.

    摘要翻译： 由两个芯片组成的光电复合体，第一芯片（10）由第一材料制成，第二芯片（13）由另一材料制成。 第一芯片（10）例如包括多个有源光电器件，例如， 激光二极管（11）和光电二极管（12），全部是单片集成的。 多个其他光学器件，例如， 波导（16）被单片地集成在第二芯片（13）上。 此外，第二芯片（13）具有集成在所述第一芯片（10）上的器件（11,12）的尺寸的凹陷。 当将两个芯片翻转在一起时，这些装置和第二芯片（13）的波导（16）自动对准。

    A method for improving the flatness of etched mirror facets
    8.
    发明公开
    A method for improving the flatness of etched mirror facets 失效
    Methode zur Verbesserung der EbenheitgeätzterSpiegelfacetten。

    公开(公告)号：EP0402556A1

    公开(公告)日：1990-12-19

    申请号：EP89810463.3

    申请日：1989-06-16

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Buchmann, Peter Leo, Dr. ,  Vettiger, Peter ,  Voegeli, Otto, Dr. ,  Webb, David John, Dr.

    IPC分类号： H01S3/025 ,  H01S3/085 ,  H01S3/19 ,  G02B6/12

    CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/16

    摘要： A method, and devices produced therewith, for improving the flatness of etched mirror facets (18) of integrated optic structures with non-planar stripe waveguides (17) such as ridge or groove diode lasers or passive devices like modulators and switches. The curvature in the mirror facet surface, occurring at the edges of the waveguide due to topographical, lithographical and etch process effects, that causes detrimental phase distortions, is avoided by widening the waveguide end (23) near the mirror surface (18) thereby shifting the curved facet regions away from the light mode region (24) to surface regions (29) where curvature is not critical.

    摘要翻译： 一种方法及其制造的装置，用于改善具有诸如脊或沟槽二极管激光器的非平面条纹波导（17）或诸如调制器和开关的无源器件的集成光学结构的蚀刻镜面（18）的平坦度。 通过加宽靠近镜表面（18）的波导端（23）来避免由于形貌，光刻和蚀刻过程效应而在波导的边缘处出现的造成有害相位失真的镜面表面中的曲率，从而移位 远离光模式区域（24）到曲率不重要的表面区域（29）的弯曲小面区域。

    Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken
    10.
    发明公开
    Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken 失效
    修复透过掩模方法。

    公开(公告)号：EP0203215A1

    公开(公告)日：1986-12-03

    申请号：EP85106609.2

    申请日：1985-05-29

    申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH ,  International Business Machines Corporation

    发明人： Behringer, Uwe, Dr. ,  Vettiger, Peter ,  Dätwyler, Kurt

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03B41/00

    CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/42 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/168

    摘要： @ Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken, bei dem nach einer Inspektion der Maske und der Speicherung der Daten (Ortskoordinaten) von Maskenfehlern die zu reparierende Maske auf ihrer Vorderseite ganzflächig mit einem Photoresist beschichtet wird. Es werden bestimmte Bereiche der Photoresistschicht über der zu reparierenden Maske mit nichtoptischer oder optischer Strahlung belichtet, um den Photoresist zu vernetzen, wobei die zur Vernetzung erforderliche Dosis von dem jeweils verwendeten Resist abhängt. Im Falle eines positiven Resists wird anschließend eine ganzflächige Belichtung durchgeführt. Die nicht oder nur einmal belichteten Bereiche der Photoresistschicht werden konventionell entwickelt und dabei entfernt. Dann wird die Maske bei der Korrektur von Maskenlöchern von der Rückseite her mit Gold bedampft, wobei die vernetzten Bereiche der Photoresistschicht als Unterlage dienen. Diese werden nach der Bedampfung mit Gold durch ein Plasmaätzverfahren entfernt. Da von dem Belichtungssystem aufgrund eines Vergleichs der Ortskoordinaten von Maskenfehlern mit den gespeicherten Strukturdaten der Maske nur die Bereiche der Photoresistschicht über Maskenfehlern belichtet und vernetzt werden, läßt sich die Maskenkorrektur im Millisekundenbereich durchführen.

    摘要翻译： 本发明涉及修复传输掩模的方法，其中所述掩模的检查和掩模缺陷的数据（位置坐标）的贮藏后要被修复掩模在光致抗蚀剂的整个表面涂覆在其前表面上。 通过掩模暴露于具有非光学或光辐射来交联光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂特定区域进行修复，用于交联所需要的剂量，取决于特定的抗蚀剂。 在正的情况下的抗蚀剂，一整面曝光，然后进行。 不属于或仅一次曝光光刻胶层的区域，以往开发，从而去除。 然后，掩模中的掩模孔从背面侧与金，其中，所述光致抗蚀剂层的交联的区域用作基校正汽化。 这些是通过等离子体的金蒸镀后除去。 由于只有光致抗蚀剂层的部分被通过掩模误差曝光并通过基于位置的比较，曝光系统与掩模的所存储的图案数据掩模缺陷的坐标交联，掩模校正可以在毫秒范围内进行。