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    Vorrichtung zur Beschichtung von Werkstücken durch Kathodenzerstäuben
    1.
    发明公开
    Vorrichtung zur Beschichtung von Werkstücken durch Kathodenzerstäuben 失效
    一种用于通过阴极溅射涂层的工件。

    公开(公告)号：EP0006475A1

    公开(公告)日：1980-01-09

    申请号：EP79101708.0

    申请日：1979-06-01

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Dykeman, Robert Horton ,  Wong, Man-Chong

    IPC分类号： C23C15/00 ,  H01J37/34

    CPC分类号： H01J37/3438 ,  C23C14/50 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347

    摘要： In der Entladungskammer einer Vorrichtung für das Kathodenzerstäuben werden als Wafer ausgebildete Halbleiterstrukturen durch eine Trägerplatte aus Quarz an der Anode aufgelegt. Die kreisförmigen Wafer sind in kreisförmigen Vertiefungen bündig zur Oberfläche der Trägerplatte eingefügt. Die Wafer sind an der Oberfläche der Trägerplatte mit regelmäßigen gegenseitigen Abständen in Form eines konzentrischen Musters angeordnet. Wafer, die am Rand des konzentrischen Anordnungsmusters aufgelegt sind, zeigen eine geringere Schichtendicke als die im Zentrum des Musters angeordneten Wafer.
    Die Dicke der Beschichtung aller an einem Beschichtungsvorgang beteiligten Wafer wird gleichmäßiger durch die Anordnung von Vertiefungserweiterungen (35, 37), die in Teilbereichen eines Waferumfangs über den Rand eines Wafers hinausgehend in radialer Richtung sich erstreckend an der Oberfläche der Trägerplatte (33) eingefügt sind. Die geometrischen Formen der Vertiefungserweiterungen sind vorzugsweise als Sektoren von Kreisringen oder als Kreisflächen ausgebildet, die sich gegenseitig überlappen. Die Vertiefungserweiterungen sind tiefer in die Trägerplatte eingefügt als die Vertiefungen, welche die Wafer aufnehmen.

    摘要翻译： 在溅射形成为晶片的半导体结构的装置的放电室是通过在阳极由石英制成的支撑板放置。 圆形晶片插入到承载板的表面齐平的圆形凹部。 晶片被布置在一个同心圆图案的形式定期相互间隔承载板的表面上。 晶片，其被放置在同心布置图案的边缘，显示出比设置在所述图案晶片的中心的层的厚度。 参与涂层过程中的所有晶片的涂层的厚度通过凹部延伸部（35，37），这是在晶片圆周的一些区域并入在晶片出的边缘连续地在所述载体板（33）的表面延伸的径向方向的阵列变得更均匀。 凹部延伸的几何形状优选形成为圆形环或彼此重叠的圆形区域的扇区。 凹部延伸部被插入到承载板比所述凹部，其接收所述晶片深。