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    Verfahren zum Ätzen von Chrom
    4.
    发明公开
    Verfahren zum Ätzen von Chrom 失效
    一种用于蚀刻铬方法。

    公开(公告)号：EP0013711A2

    公开(公告)日：1980-08-06

    申请号：EP79104716.0

    申请日：1979-11-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Chiu, George Tein-Chu ,  Kitcher, James Robert ,  Ozols, Gunars Miervaldis ,  Zingerman, Bryant Nils

    IPC分类号： H01L21/31 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/32136

    摘要： Das zu ätzende Chrom wird einer Glimmentladung in einer Sauerstoff oder ein Edelgas, eine mehrfach chlorierte organische Verbindung und Wasserdampf enthaltenden Gasatmosphäre ausgesetzt. In einer solchen Gasatmosphäre werden Chrom mit einer vernünftigen Ätzgeschwindigkeit und Aluminium-Kupferlegierungen praktisch gar nicht geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit, mit der siliciumhaltige Materialien geätzt werden, läßt sich durch Variation des Mengenverhältnisses in der Gasatmosphäre in weiten Grenzen verändern. Enthält die Gasmischung 2 Volumteile der mehrfach chlorierten organischen Verbindung, 8 Volumteile Sauerstoff oder Edelgas und 1 bis 2 Volumteile Wasserdampf, so läßt sich das Ätzen von siliciumhaltigen Materialien praktisch vollständig unterdrücken. Aufgrund dieser Eigenschaften wird das Verfahren insbesondere bei der Herstellung von integrierten Schaltungen angewandt, beispielsweise beim Ätzen einer Chromschicht (3), welche auf einem Halbleiterplättchen (1) aufgebracht und von diesem durch eine Si0 2 -Schicht (2) getrennt ist, und welche mit einer Schicht aus einer Aluminium-Kupferlegierung (4) teilweise bedeckt ist.

    摘要翻译： 待蚀刻的铬被暴露于在氧辉光放电或稀有气体，多氯代有机化合物和含氧气体气氛的水蒸汽。 在这样的气体气氛中的铬被几乎不与合理的蚀刻速率和铝 - 铜合金蚀刻。 的Ätsgeschwindigkeit与含硅材料蚀刻，可通过在宽范围内改变所述气体气氛中的量比率来改变。 包含气体混合物2份由多氯有机化合物的体积，8份通过氧或惰性气体和1至2份的水蒸汽的体积的体积，所以含硅材料的蚀刻可以基本上完​​全抑制。 由于这些性质的方法特别在集成电路的制造中被施加，例如，在铬层（3），其是在半导体晶片上的蚀刻（1）施加并通过SiO 2层（2）和其与层从中分离 由铝和铜的合金（4）部分地覆盖的。

    Method of forming aluminum/copper alloy conductors
    7.
    发明公开
    Method of forming aluminum/copper alloy conductors 失效
    Verfahren zum Formen von Leitern aus einer铝-Kupfer-Legierung。

    公开(公告)号：EP0045405A2

    公开(公告)日：1982-02-10

    申请号：EP81105490.7

    申请日：1981-07-14

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Chiu, George Tein-Chu ,  Joseph, Robert Roderick ,  Ozols, Gunars Miervaldis

    IPC分类号： H05K3/08 ,  H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  C23C28/00

    CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32136 ,  Y10S438/927

    摘要： The aluminum/copper alloy conductors are made by forming a patterned layer of copper (21) on a layer of aluminum (15) applied to a substrate (11) The portion of the aluminum layer (15) which is not protected by the copper layer (21) is removed by reactive ion etching without heating substrate (11) and the resulting structure is then heated to cause the copper (21) to diffuse into, and alloy with the aluminum layer (15).
    The method can in particular be used to form aluminum/ copper alloy conductor lands in integrated circuit manufacture.

    摘要翻译： 铝/铜合金导体通过在施加到基板（11）的铝层（15）上形成铜（21）的图案化层而制成。 通过反应离子蚀刻除去未被铜层（21）保护的铝层（15）的部分，而不加热基板（11），然后加热所得到的结构，使铜（21）扩散到， 并与铝层（15）合金。 ...该方法特别可用于在集成电路制造中形成铝/铜合金导体焊盘。

    Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial
    8.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial 失效
    一种用于生产耐流动过程抗蚀剂的辐射敏感抗蚀剂材料的掩模。

    公开(公告)号：EP0000702A1

    公开(公告)日：1979-02-21

    申请号：EP78100337.1

    申请日：1978-07-10

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Chiu, George Tein-Chu ,  Fredericks, Edward Carmine

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/40

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer fließbeständigen Resistmaske. Resistmasken werden, damit sie bei den während nachfolgender Prozeßschritte zur Anwendung kommenden höheren Temperaturen fließbeständig bleiben, mit einem Härtungsmittel vom o-Chinondiazidtyp, insbesondere mit o-Chinondiazidsulfonsäuren oder Carbonsäuren beschichtet und auf eine Temperatur zwischen 110 und 210°C erhitzt, um eine Reaktion des Härtungsmittels mit dem Resist herbeizuführen. die Anwendung des Härtungsmittels erfolgt in Form einer wässrigen oder wässrig-alkoholischen Lösung mit einem Gehalt an 0,5 bis 10 Gew.%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Lösung.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造流体耐抗蚀剂掩模。 将抗蚀剂掩模，使它们保持在while以下，工艺步骤要施加更高的温度下耐流体，涂有邻重氮醌，特别是邻 - Chinondiazidsulfonsäuren或羧酸的固化剂，并加热至北部沿海地区从110至210℃，反应 导致固化剂与抗拒。 固化剂的应用是与0.5〜10重量％的含量的含水或水 - 醇溶液的形式，基于溶液的总重量。