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    Josephson devices and process for manufacturing the same
    2.
    发明公开
    Josephson devices and process for manufacturing the same 失效
    约瑟夫森Einrichtungen和Verfahren祖德伦Herstellung。

    公开(公告)号：EP0366949A1

    公开(公告)日：1990-05-09

    申请号：EP89118259.4

    申请日：1989-10-02

    申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： Higashino, Hidetaka ,  Mizuno, Koichi ,  Adachi, Hideaki ,  Setsune, Kentaro ,  Enokihara, Akira ,  Hatta, Shinichiro ,  Wasa, Kiyotaka ,  Kohiki, Shigemi ,  Matsuchima, Tomoaki

    IPC分类号： H01L39/24 ,  H01L39/22

    CPC分类号： H01L39/2496 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/873 ,  Y10S505/874

    摘要： A Josephson device, comprising a junction formed by forming the first layer-shaped oxide superconductor thin film including a plurality of Cu-O layers on a substrate, a barrier layer thereon and the second layer-­shaped oxide superconductor thin film on the barrier layer. The Josephson device according to the present invention is manufactured by forming the first layer-­shaped oxide superconductor thin film on a substrate, forming a barrier layer in the same vacuum chamber, defining patterns to said barrier layer and said first layer-shaped oxide superconductor thin film, forming an interlayer insulating film on said barrier layer, removing said interlayer insulating film in a region serving as a junction, effecting exposure to oxygen plasma, forming the second layer-shaped oxide superconductor thin film in contact with a part of the surface of said barrier layer and defining patterns to said second layer-shaped oxide superconductor thin film.

    摘要翻译： 约瑟夫逊装置，包括通过在衬底上形成包括多个Cu-O层的第一层状氧化物超导体薄膜，其上的阻挡层和阻挡层上的第二层状氧化物超导体薄膜而形成的结。 根据本发明的约瑟夫逊装置通过在基板上形成第一层状氧化物超导体薄膜来制造，在相同的真空室中形成阻挡层，限定图案到所述阻挡层和所述第一层状氧化物超导薄层 膜，在所述阻挡层上形成层间绝缘膜，去除作为结的区域中的所述层间绝缘膜，进行暴露于氧等离子体，形成第二层状氧化物超导体薄膜，与第二层状氧化物超导体薄膜的一部分接触 所述阻挡层并且限定到所述第二层状氧化物超导体薄膜的图案。

    Composite superconductor layer structure
    6.
    发明公开
    Composite superconductor layer structure 失效
    Zusammengesetzte supraleitende Schichtstruktur。

    公开(公告)号：EP0304078A2

    公开(公告)日：1989-02-22

    申请号：EP88113504.0

    申请日：1988-08-19

    申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： Kamada, Takeshi ,  Hatta, Shinichiro ,  Setsune, Kentaro

    IPC分类号： H01L39/24 ,  H01L39/08 ,  C23C14/08

    CPC分类号： H01L39/2461 ,  C23C14/087 ,  H01L39/2435

    摘要： A superconductive structure using an oxide superconductor material, featured by forming an oxide superconductor film on a semiconductor-film-coated substrate or a semiconductor substrate. It becomes possible to integrate the superconductive structure with a semiconductor device, affording varieties of practical uses and a high industrial value.

    摘要翻译： 使用氧化物超导体材料的超导结构，其特征在于在半导体膜涂覆的基板或半导体基板上形成氧化物超导体膜。 可以将超导结构与半导体器件集成，提供各种实际应用和高工业价值。