公开(公告)号：EP0635882A3

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：EP94109896.4

申请日：1994-06-27

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Davis, Kenneth L. ,  Weitzel, Charles ,  Mellen, Neal J.

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  Y10S148/148

摘要： A silicon carbide vertical MOSFET (30, 60) formed on a silicon carbide substrate (35, 65) with portions of epitaxial layers (39, 48 or 69, 78) defining the various transistor electrodes, rather than defining the electrodes with implants and diffusion. An opening (40, 70) is formed in some of the epitaxial layers and a conductive layer (48, 85) is formed therein to electrically connect a drain contact (95) on the rear of the substrate to the components on the front of the substrate.

摘要翻译： 碳化硅垂直MOSFET（30,60）形成在碳化硅衬底（35,65）上，外延层（39,48或69,78）的一部分限定各种晶体管电极，而不是用注入和扩散来限定电极 。 在一些外延层中形成开口（40,70），并在其中形成导电层（48,85），以将衬底背面上的漏极触点（95）电连接到衬底背面上的元件 基质。

公开(公告)号：EP0635881A2

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：EP94109895.6

申请日：1994-06-27

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Davis, Kenneth L. ,  Weitzel, Charles

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/473 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： A silicon carbide LOCOS vertical MOSFET formed on a silicon carbide substrate (55) with portions of epitaxial layers (57, 59, 60) defining the various transistor electrodes (83, 85, 87), rather than defining the electrodes with implants and diffusion. Because of the low diffusion rate in silicon carbide, the LOCOS (75) operation can be performed after the doped epitaxial layers are formed.

摘要翻译： 在碳化硅衬底（55）上形成的碳化硅LOCOS垂直MOSFET具有限定各种晶体管电极（83,85,87）的外延层（57,59,60）的部分，而不是用注入和扩散来限定电极。 由于碳化硅中的扩散速率低，所以可以在掺杂外延层形成之后执行LOCOS（75）操作。

公开(公告)号：EP0635881A3

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：EP94109895.6

申请日：1994-06-27

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Davis, Kenneth L. ,  Weitzel, Charles

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/473 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： A silicon carbide LOCOS vertical MOSFET formed on a silicon carbide substrate (55) with portions of epitaxial layers (57, 59, 60) defining the various transistor electrodes (83, 85, 87), rather than defining the electrodes with implants and diffusion. Because of the low diffusion rate in silicon carbide, the LOCOS (75) operation can be performed after the doped epitaxial layers are formed.

摘要翻译： 一种碳化硅LOCOS垂直MOSFET形成在碳化硅衬底（55）与外延层（57，59，60）的部分，定义各个晶体管的电极（83，85，87），而不是限定与植入物和扩散电极。 因为在碳化硅低扩散速率的，在LOCOS（75）操作能够在掺杂外延层形成之后进行。

公开(公告)号：EP0635882A2

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：EP94109896.4

申请日：1994-06-27

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Davis, Kenneth L. ,  Weitzel, Charles ,  Mellen, Neal J.

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  Y10S148/148

摘要： A silicon carbide vertical MOSFET (30, 60) formed on a silicon carbide substrate (35, 65) with portions of epitaxial layers (39, 48 or 69, 78) defining the various transistor electrodes, rather than defining the electrodes with implants and diffusion. An opening (40, 70) is formed in some of the epitaxial layers and a conductive layer (48, 85) is formed therein to electrically connect a drain contact (95) on the rear of the substrate to the components on the front of the substrate.

摘要翻译： 形成在具有限定各种晶体管电极的外延层（39,48或69,78）的部分的碳化硅衬底（35,65）上的碳化硅垂直MOSFET（30,60），而不是限定具有植入物和扩散的电极 。 在一些外延层中形成开口（40,70），并且在其中形成导电层（48,85）以将衬底后部的漏极接触（95）电连接到衬底的前面的部件 基质。