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    KOMPONENTE MIT REDUZIERTEN SPANNUNGSKRÄFTEN IM SUBSTRAT
    4.
    发明公开
    KOMPONENTE MIT REDUZIERTEN SPANNUNGSKRÄFTEN IM SUBSTRAT 审中-公开
    在基体部分降低功耗FORCES

    公开(公告)号：EP3089228A1

    公开(公告)日：2016-11-02

    申请号：EP16167008.8

    申请日：2015-06-03

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Baumann, Marc ,  Rubehn, Thilo ,  Joos, Christian ,  Stephan, Jochen

    IPC分类号： H01L43/06 ,  G01R33/07

    摘要： Eine Komponente (10) mit einem Magnetfeld-Sensor (30) ist beschrieben. Das elektronische Bauteil (30) befindet sich in einem Halbleiter-Substrat (20) oder auf der Oberfläche (25) des Halbleiter-Substrats (20) und ist von einem Graben (40) im Halbleiter-Substrat (20) zumindest zum Teil, vorzugsweise weitgehend umrandet. Der Graben (40) und der Magnetfeld-Sensor (30) sind/werden mit einer Kappe (80) bedeckt.

    摘要翻译： 具有的磁场传感器（30）的组件（10）进行说明。 所述电子部件（30）位于在半导体衬底（20）或所述半导体基板（20）的表面（25）上，并且通过在至少部分所述半导体衬底（20）的沟槽（40）所包围，优选 很大程度上包围。 沟槽（40）和所述磁场传感器（30）是/是带有帽（80）覆盖。

    KOMPONENTE MIT REDUZIERTEN SPANNUNGSKRÄFTEN IM SUBSTRAT
    6.
    发明公开
    KOMPONENTE MIT REDUZIERTEN SPANNUNGSKRÄFTEN IM SUBSTRAT 有权
    在基体部分降低功耗FORCES

    公开(公告)号：EP2985796A1

    公开(公告)日：2016-02-17

    申请号：EP15170452.5

    申请日：2015-06-03

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Baumann, Marc ,  Rubehn, Thilo ,  Joos, Christian ,  Stephan, Jochen

    IPC分类号： H01L43/06 ,  G01R33/07

    CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  H01L43/04

    摘要： Eine Komponente (10) mit einem Magnetfeld-Sensor (30) ist beschrieben. Das elektronische Bauteil (30) befindet sich in einem Halbleiter-Substrat (20) oder auf der Oberfläche (25) des Halbleiter-Substrats (20) und ist von einem Graben (40) im Halbleiter-Substrat (20) zumindest zum Teil, vorzugsweise weitgehend umrandet. Der Graben (40) ist mit einem Füllmaterial (45) befüllt.

    摘要翻译： 具有的磁场传感器（30）的组件（10）进行说明。 所述电子部件（30）位于在半导体衬底（20）或所述半导体基板（20）的表面（25）上，并且通过在至少部分所述半导体衬底（20）的沟槽（40）所包围，优选 很大程度上包围。 沟槽（40）被填充有填充材料（45）。

    Schaltungsanordnung, Vorrichtung bzw. Verfahren zum seriellen Senden von Daten über einen Anschlusskontakt
    7.
    发明公开
    Schaltungsanordnung, Vorrichtung bzw. Verfahren zum seriellen Senden von Daten über einen Anschlusskontakt 有权
    电路，经由连接接触装置或数据的串行传输的方法

    公开(公告)号：EP2105750A1

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：EP08005967.8

    申请日：2008-03-28

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Rubehn, Thilo ,  Ritter, Joachim ,  Umbach, Gert ,  Bächer, Dieter ,  Horn, Wolfgang, Dr. ,  Franke, Jörg

    IPC分类号： G01R31/317

    CPC分类号： G01R31/31713 ,  G01R31/31726

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Schaltungsanordnung (J) mit Anschlusskontakten (S0, SDAT) für einen seriellen Daten- und/oder Signalaustausch mit externen Komponenten und Vorrichtungen (C) und mit einer Steuereinrichtung (JC) und/oder einer seriellen Schnittstelle (JD) zum getakteten Empfangen von Daten (jd) mittels einer zwischen zumindest einem tiefen, einem mittleren und einem hohen Spannungszustand (V1, Vm, Vh) modulierten Signalspannung (v) an einem solchen Anschlusskontakt (SDAT). Die Steuereinrichtung (JC) und/oder die Schnittstelle (JD) sind derart ausgestaltet, dass in einem Sendemodus über den Anschlusskontakt (SDAT) Daten (jo) gesendet werden, indem die Schalteinrichtung (Ts, Tw, Rw) nach Empfang einer von insbesondere dem mittleren Spannungszustand (Vm) in insbesondere den höheren oder tieferen Spannungszustand (Vh; V1) wechselnden Flanke (f1) den Spannungszustand in den insbesondere entgegengesetzten des tieferen oder höheren Spannungszustands (V1; Vh) zieht. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf eine Vorrichtung bzw. ein Verfahren zum Betreiben einer solchen Schaltungsanordnung.

    摘要翻译： 集成电路装置具有控制单元（JC）或接口（JD）具有电路单元。 控制单元和接口被调整和控制的搜索没有数据（JO）是反式mitted成在连接触头（SDAT）的传输模式。 接收侧翼后的电路单元改变电压状态（VM，VH）。 在其他状态下的电压（V1）的时钟（T）的半个时钟周期的时间操作顺序是从所述电压状态中的一个不同。 独立权利要求中包括了以下内容：（1）与连接用于串行数据或信号交换触头装置; 和（2），用于通过电压信号的调制串行传输环数据的方法。

    Nichtflüchtige Speichereinrichtung mit einer Programmier- und Löschkontrolle
    8.
    发明公开
    Nichtflüchtige Speichereinrichtung mit einer Programmier- und Löschkontrolle 有权
    NichtflüchtigeSpeichereinrichtung mit einer Programmier- undLöschkontrolle

    公开(公告)号：EP1720169A1

    公开(公告)日：2006-11-08

    申请号：EP06008992.7

    申请日：2006-04-29

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Ullrich, Manfred ,  Bayer, Martin ,  Fink, Hans-Jörg ,  Bidenbach, Reiner ,  Rubehn, Thilo

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C29/52 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C2029/0409

    摘要： Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kontrolle der Programmierung (P) und Löschung (L) von Speicherzellen (5) bei einer nichtflüchtigen Speichereinrichtung (1). Parallel zur Programmierung (P) oder Löschung (L) der eigentlichen Speicherzellen (5) wir der jeweilige Programmier- oder Löschvorgang an mindestens einer gleichartigen Kontrollzelle (4.1, 4.2, 4.3) durchgeführt, wobei deren Programmierung (P) oder Löschung (L) definiert ungünstiger ist als bei der Programmierung (P) oder Löschung (L) der eigentlichen Speicherzellen (5). Aus dem Inhalt der Kontrollzelle (4.1, 4.2, 4.3) wird mittels einer Auswerteeinrichtung (6) ermittelt, ob die Programmierung (P) oder Löschung (L) erfolgreich war oder nicht und ein entsprechendes Ausgangssignal (ak) erzeugt.

    摘要翻译： 该方法涉及在非易失性存储器件（1）中的均匀控制单元（4.1）中执行编程或删除。 控制单元中的编程或删除不如存储器单元的编程或删除而定义。 在基于控制单元的内容编程或删除存储器单元的处理之后，评估装置产生正或负确认信息。 对于具有用于编程和删除存储器单元的控制单元的非易失性存储器件，还包括独立权利要求。