公开(公告)号：EP3285289A1

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：EP15889173.9

申请日：2015-04-15

申请人： Mitsubishi Electric Corporation

发明人： KAJIHARA, Takanobu ,  OMAE, Katsuhiko ,  FUSHIE, Shunsuke ,  MUKUDA, Muneaki ,  NAKASHIMA, Daisuke ,  MOTOOKA, Masahiro ,  MIYANISHI, Hiroyuki ,  NAKAMATSU, Yuki ,  SUZUKI, Junya

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L21/565 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/49861 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： In a semiconductor device (100), a thinly-molded portion (8b) covering a whole of a heat dissipating surface (2b) portion of a lead frame (2) and a die pad space filled portion (8c, 8d) are integrally molded from a second mold resin (8), because of which adhesion between the thinly-molded portion (8b) and lead frame (2) improves owing to the die pad space filled portion (8c, 8d) adhering to a side surface of the lead frame (2). Also, as the thinly-molded portion (8b) is partially thicker owing to the die pad space filled portion (8c, 8d), strength of the thinly-molded portion (8b) increases, and a deficiency or cracking is unlikely to occur.

摘要翻译： 在半导体器件（100）中，覆盖引线框架（2）的整个散热表面（2b）部分和管芯焊盘空间填充部分（8c，8d）的薄模制部分（8b）被整体模制 从第二模制树脂（8）开始，由于附着在导线的侧表面上的管芯焊盘空间填充部分（8c，8d），薄薄模制部分（8b）和引线框架（2） 框架（2）。 而且，由于模具垫空间填充部分（8c，8d）使薄模制部分（8b）部分地变厚，所以薄模制部分（8b）的强度增加，并且不太可能发生缺陷或破裂。

公开(公告)号：EP3285288A1

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：EP15889172.1

申请日：2015-04-15

申请人： Mitsubishi Electric Corporation

发明人： KAJIHARA, Takanobu ,  OMAE, Katsuhiko ,  FUSHIE, Shunsuke ,  MUKUDA, Muneaki ,  NAKASHIMA, Daisuke ,  MOTOOKA, Masahiro ,  MIYANISHI, Hiroyuki ,  NAKAMATSU, Yuki ,  SUZUKI, Junya

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/051 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6715 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/33 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： In a semiconductor device (100), a first skirt portion (7a) molded from a first mold resin (7) and a second skirt portion (8a) molded from a second mold resin (8) are provided on a heat dissipating surface (2b) of a lead frame (2) . Also, a thinly-molded portion (8b) is molded integrally with the second skirt portion (8a) from the second mold resin (8). According to this kind of configuration, adhesion between the thinly-molded portion (8b) and lead frame (2) is high, and the semiconductor device (100) with excellent heat dissipation and insulation is obtained.

摘要翻译： 在半导体装置（100）中，在散热面（2b）上设置由第一模制树脂（7）模制的第一裙部（7a）和由第二模制树脂（8）模制的第二裙部（8a） ）的引线框架（2）。 而且，薄模制部分（8b）与第二模制树脂（8）的第二裙部（8a）整体模制。 根据这种结构，薄型部分（8b）与引线框架（2）的密合性高，能够得到散热性和绝缘性优异的半导体装置（100）。