TEMPERATURE COMPENSATED CMOS TO ECL LOGIC LEVEL TRANSLATOR
    1.
    发明授权
    TEMPERATURE COMPENSATED CMOS TO ECL LOGIC LEVEL TRANSLATOR 失效
    温度补偿CMOS到ECL逻辑电平转换器

    公开(公告)号:EP0252931B1

    公开(公告)日:1991-03-27

    申请号:EP86907216.5

    申请日:1986-11-24

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K19/00 H03K19/094

    摘要: A CMOS to ECL interface circuit includes a pair of series connected complementary transistors (14, 16) having input CMOS logic levels applied to their gates and output ECL logic levels derived from the junction point of their source-drain paths. The transistors (14, 16) are connected between power supply terminals (VA, VB) which are coupled to the outputs of an OR-NOR gate (20) included in the same temperature environment as the ECL logic circuits serviced by the interface circuit. Thus, temperature compensation is achieved since the power supply applied to the power supply terminals (VA, VB) of the interface circuit automatically tracks variations in the ECL output logic level resulting from temperature variations.

    CARBON CONNECTORS TO LIQUID-IMMERSION COOLED INTEGRATED CIRCUIT
    2.
    发明公开
    CARBON CONNECTORS TO LIQUID-IMMERSION COOLED INTEGRATED CIRCUIT 失效
    在液体二氧化碳气冷连接器浸镀集成电路。

    公开(公告)号:EP0314738A1

    公开(公告)日:1989-05-10

    申请号:EP88904311.0

    申请日:1988-04-22

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: F17C13 H01L23 H01L39

    摘要: Une enceinte à double paroi ayant un garnissage en mousse synthétique (16) entre les doubles parois (14, 18) supporte intérieurement une puce à semi-conducteurs (26) à laquelle est fixé au moins un câble plat (30). La puce à semi-conducteurs (26) est immergée dans de l'azote liquide (24), au moins un câble plat (30) s'étendant jusqu'à la lèvre supérieure de l'enceinte (12). Des conducteurs en carbone (50) sont reliés à chaque conducteur du câble plat (30) et s'étendent jusqu'à la paroi extérieure (14) de l'enceinte (12). Un autre câble plat (52) est relié aux conducteurs en carbone (50) et à un connecteur électrique (54). Un couvercle (13) à double paroi ayant un garnissage en mousse synthétique (16') est fixé sur l'enceinte (12) de sorte que les conducteurs en carbone (50) sont scellés entre les garnissages de mousse synthétique (16, 16') du couvercle (13) et de l'enceinte à double paroi (12), empêchant ainsi la formation de givre sur le câble plat (52) et le connecteur (54) qui est externe à l'enceinte hermétique. Des tubulures (40, 42, 44) sont insérées à travers l'enceinte à double paroi (12) pour permettre l'introduction d'azote liquide (24) et l'évacuation d'azote gazeux et liquide.

    EXCLUSIVE-OR GATE CIRCUIT
    3.
    发明授权
    EXCLUSIVE-OR GATE CIRCUIT 失效
    独家或门电路

    公开(公告)号:EP0321559B1

    公开(公告)日:1991-01-23

    申请号:EP88906669.2

    申请日:1988-06-06

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K19/21

    CPC分类号: H03K19/215

    摘要: A 3-input Exclusive-OR gate circuit includes first, second and third inverters (M1, M2; M3, M4; M5, M6) having inputs adapted to receive first, second and third input signals, with the first and third inverters (M1, M2; M5, M6) having outputs coupled to first and second pairs of MOS gates (M11, M12; M7, M8) and the second inverter having an output coupled to an inverting means (M9, M10) which controls a pair of transmission gates (M14, M15; M16, M17) arranged to be alternatively operable. The current paths of the transmission gates (M14, M15; M16, M17) are coupled to outputs of the pairs of MOS gates (M11, M12; M7, M8) and have a common node (NB) which is coupled to a fourth inverter (M19, M20) which provides the circuit output.

    EXCLUSIVE-OR GATE CIRCUIT
    4.
    发明公开
    EXCLUSIVE-OR GATE CIRCUIT 失效
    异或门。

    公开(公告)号:EP0321559A1

    公开(公告)日:1989-06-28

    申请号:EP88906669.0

    申请日:1988-06-06

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K19

    CPC分类号: H03K19/215

    摘要: Un circuit de porte OU-exclusif à trois entrées comprend un premier, un second et un troisième inverseurs (M1, M2; M3, M4; M5, M6) ayant des entrées adaptées pour recevoir des premier, second et troisième signaux d'entrée, les premier et troisième inverseurs (M1, M2; M5, M6) ayant des sorties couplées aux première et seconde paires de portes MOS (M11, M12; M7, M8), et le second inverseur ayant une sortie couplée à des moyens d'inversion (M9, M10) qui commandent une paire de portes de transmission (M14, M15; M16, M17) qui sont prévues pour pouvoir fonctionner de manière alternée. Les chemins de passage du courant des portes de transmission (M14, M15; M16, M17) sont couplés aux sorties des paires de portes MOS (M11, M12; M7, M8) et ont un noeud commun (NB) lequel est couplé à un quatrième inverseur (M19, M20) qui fournit la sortie du circuit.

    CMOS THRESHOLD CIRCUIT
    5.
    发明公开
    CMOS THRESHOLD CIRCUIT 失效
    CMOS阈值开关。

    公开(公告)号:EP0327608A1

    公开(公告)日:1989-08-16

    申请号:EP88905310.0

    申请日:1988-05-26

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K17 H03K19

    摘要: Un circuit MOS complémentaire (50) pourvu d'un seuil d'entrée comprend un premier transistor à effet de champ (52) comportant une source connectée à une première borne d'alimentation (54), un drain connecté à une borne de sortie (56), une gâchette connectée entre la source et le drain et ayant une première largeur et une première longueur. Un circuit de transistors à effet de champ programmable (60, 64, 66, 68, 70) comprend une borne de gâchette connectée à la borne d'entrée (58), une borne de drain connectée à la borne de sortie (56), une borne de source connectée à une seconde borne d'alimentation (62) et un second circuit de canaux placé entre la borne de drain et la borne de source et ayant une largeur effective et une longueur effective. Des bornes d'entrée programmables (76, 78) sont connectées au second circuit de canaux pour permettre de faire varier le rapport du produit de la première largeur multipliée par la longueur effective sur le produit de la largeur effective multipliée par la première longueur, de sorte que la tension du seuil d'entrée du circuit MOS (50) varie avec la variation de ce rapport. En programmant les bornes d'entrée (76, 78) et en sélectionnant les tensions sur les premières et secondes bornes d'alimentation (54, 62), on peut obtenir un tampon d'entrée universel servant à la conversion d'une seule tension de niveau logique en une autre.

    ASSIST CIRCUIT FOR IMPROVING THE RISE TIME OF AN ELECTRONIC SIGNAL
    6.
    发明公开
    ASSIST CIRCUIT FOR IMPROVING THE RISE TIME OF AN ELECTRONIC SIGNAL 失效
    辅助电路,以提高电子信号的上升时间。

    公开(公告)号:EP0191074A1

    公开(公告)日:1986-08-20

    申请号:EP85904200.0

    申请日:1985-08-14

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K17 H03K19

    CPC分类号: H03K19/01721

    摘要: Un circuit pour améliorer le temps de montée d'un signal électronique comprend un générateur de tension (26) pour générer une tension de référence, un comparateur (28) pour comparer la tension d'un signal électronique dont le temps de montée doit être amélioré par la tension du générateur de tension de référence (26), et un générateur d'impulsions de courant (30, 32) commandé par le comparateur (28) pour générer une impulsion de courant ayant une durée prédéterminée en réponse à la comparaison du comparateur (28). L'impulsion de courant a une intensité suffisante pour soutenir le temps de montée du signal électronique.

    LEVEL CONVERSION CIRCUIT
    7.
    发明公开
    LEVEL CONVERSION CIRCUIT 失效
    PEGELUMSETZUNGSSCHALTUNG。

    公开(公告)号:EP0323999A1

    公开(公告)日:1989-07-19

    申请号:EP88906316.0

    申请日:1988-06-06

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K5 H03K19

    摘要: In an ECL to CMOS converter circuit an ECL input signal is applied directly to the source electrode of a MOS trans­ sistor (MP1), and the gate electrode of the MOS transistor (MP1) is independently regulated by connection to a reference voltage that is connected to a current sink formed by a D.C. path to the negative CMOS voltage supply terminal. The drain electrode of the MOS transistor (MP1) is connected to the input of a CMOS inverter (MP3, MN3) to provide the necessary logic level shift. Another MOS terminal (MN1) provides a D.C. signal path by connecting the input of the CMOS inverter (MP3, MN3) to the negative CMOS voltage supply terminal.

    TEMPERATURE COMPENSATED CMOS TO ECL LOGIC LEVEL TRANSLATOR
    9.
    发明公开
    TEMPERATURE COMPENSATED CMOS TO ECL LOGIC LEVEL TRANSLATOR 失效
    电平转换器用于CMOS ECL逻辑,带温度补偿。

    公开(公告)号:EP0252931A1

    公开(公告)日:1988-01-20

    申请号:EP86907216.0

    申请日:1986-11-24

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K19 H01L27

    摘要: Un circuit d'interface CMOS à ECL comprend une paire de transistors complémentaires reliés en série (14, 16) aux portes desquels on applique des signaux de niveaux logiques CMOS d'entrée, tout en dérivant du point de jonction de leur chemin source/drain des signaux de niveaux logiques ECL de sortie. Les transistors (14, 16) sont connectés entre des bornes d'alimentation (VA, VB) qui sont couplées aux sorties d'une porte OU-NI (20) située dans le mêmem environnement thermique que les circuits logiques ECL desservis par le circuit d'interface. La compensation thermique est ainsi réalisée du fait que l'alimentation appliquée aux bornes (VA, VB) du circuit d'interface suit automatiquement les variations du niveau logique de sortie ECL résultant des variations de température.

    CLOCK SIGNAL CONTROL CIRCUIT
    10.
    发明授权
    CLOCK SIGNAL CONTROL CIRCUIT 失效
    时钟信号控制电路

    公开(公告)号:EP0215924B1

    公开(公告)日:1991-11-27

    申请号:EP86902221.0

    申请日:1986-03-24

    申请人: NCR CORPORATION

    IPC分类号: H03K17/693

    CPC分类号: H03K17/693

    摘要: A clock signal circuit receives first and second clock signals (CLOCK 0, CLOCK 1) the pulses of which are non-overlapping with respect to each other. The first and second clock signals (CLOCK 0, CLOCK 1) are applied to the source-drain paths of respective first and second MOS transistors (36, 40), the gate electrodes of which are coupled via the source-drain paths of third and fourth MOS transistors (34, 38) to the outputs of respective first and second NOR gates (31, 32) receiving the second and first clock signals, respectively, and also receiving first and second control signals. The outputs of the NOR gates (31, 32) are further connected to a third NOR gate (42) having an output connected to the gate electrode of a fifth MOS transistor (44) connected to an output line. In operation, selected, booted clock signals are supplied to the output line.