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    INTEGRATED CIRCUITS AND DEVICES WITH INTERLEAVED TRANSISTOR ELEMENTS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION
    1.
    发明公开
    INTEGRATED CIRCUITS AND DEVICES WITH INTERLEAVED TRANSISTOR ELEMENTS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION 审中-公开
    具有交错晶体管元件的集成电路和器件及其制造方法

    公开(公告)号：EP3159931A3

    公开(公告)日：2017-08-16

    申请号：EP16192359.4

    申请日：2016-10-05

    申请人： NXP USA, Inc.

    发明人： Fraser, Michael L ,  Danaher, Frank E ,  Fender, Jason R

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/085 ,  H01L21/82 ,  H01P1/15 ,  H03K17/687

    CPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0211 ,  H01P1/15 ,  H03K17/6871

    摘要： A monolithic integrated circuit includes first (424) and second (420) pluralities of parallel-connected transistor elements (e.g., transistor fingers). To spread heat in the IC, the first and second pluralities of transistor elements are interleaved with each other and arranged in a first row (474). The IC also may include third (434) and fourth (430) pluralities of parallel-connected transistor elements arranged in a second row (476). The transistor elements in the first row may be series and shunt transistors of an RF switch transmit path, and the transistor elements in the second row may be series and shunt transistors of an RF switch receive path. During a transmit mode of operation, the series transistors in the transmit path and the shunt transistors in the receive path are closed. During a receive mode of operation, the shunt transistors in the transmit path and the series transistors in the receive path are closed.

    摘要翻译： 单片集成电路包括第一（424）和第二（420）多个并联连接的晶体管元件（例如，晶体管指状物）。 为了在IC中散热，第一和第二多个晶体管元件彼此交错并排列在第一行（474）中。 IC还可以包括布置在第二行（476）中的第三（434）和第四（430）多个并联连接的晶体管元件。 第一行中的晶体管元件可以是串联和RF开关传输路径的并联晶体管，并且第二行中的晶体管元件可以是串联和RF开关接收路径的并联晶体管。 在发送操作模式期间，发送路径中的串联晶体管和接收路径中的分路晶体管闭合。 在接收操作模式期间，发送路径中的分流晶体管和接收路径中的串联晶体管闭合。

    HALBLEITERANORDNUNG FÜR EINEN STROMSENSOR IN EINEM LEISTUNGSHALBLEITER
    2.
    发明公开
    HALBLEITERANORDNUNG FÜR EINEN STROMSENSOR IN EINEM LEISTUNGSHALBLEITER 有权
    半导体器件FOR A电流传感器的功率半导体

    公开(公告)号：EP2815430A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：EP13702607.6

    申请日：2013-01-25

    申请人： Robert Bosch GmbH

    发明人： JACKE, Thomas ,  HOEHR, Timm ,  PLUNTKE, Christian

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/0696 ,  G01H5/00 ,  G01N29/07 ,  G01N29/4463 ,  G01N29/46 ,  G01S7/53 ,  G01S15/10 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7393

    摘要： The invention relates to a semiconductor arrangement for a current sensor in a power semiconductor, which arrangement comprises, on a substrate (1), a multiple arrangement of transistor cells (2) with an insulated gate electrode, the emitter connections (10) of which in a first region (12) are connected to at least one output connection (25) via a first conductive layer (16) and the emitter connections (10) of which in a second region (13) are connected to at least one sensor connection (18) via a second conductive layer (17), which sensor connection is arranged outside a first cell region boundary (14) which surrounds the transistor cells (2) of the first region (12) and the transistor cells (2) of the second region (13), wherein a trench structure belonging to the first cell region boundary (14) is formed between the transistor cells (2) of the second region (13) and the sensor connection (18) and is adjoined, in the direction of an outer edge of the substrate (1), by a doped layer (15) connected to the first conductive layer (16).

    Transistor bipolaire à hétérojonction insensible à la variation de la température extérieure et circuit intégré associé
    6.
    发明公开
    Transistor bipolaire à hétérojonction insensible à la variation de la température extérieure et circuit intégré associé 失效
    异质结双极晶体管，其是不敏感的温度变化和另外的集成电路相关联。

    公开(公告)号：EP0546919A1

    公开(公告)日：1993-06-16

    申请号：EP92403314.5

    申请日：1992-12-08

    申请人： FRANCE TELECOM

    发明人： Wang, Haila

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/73

    CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/7304

    摘要： Transistor bipolaire à hétérojonction insensible à la variation de la température extérieure et circuit intégré associé.
    La présente invention concerne la stabilisation du comportement notamment dans le cas des applications hyperfréquences, analogique ou numérique, en fonction de la température extérieure de fonctionnement du transistor bipolaire à hétérojonction. Elle concerne aussi un circuit intégré associé.
    Selon l'invention, le transistor (6) est polarisé (DC) en continu par sa base au moyen d'une résistance de stabilisation (5) tandis que le signal à amplifier (RF) est transmis à la base par l'intermédiaire d'un condensateur (4) de liaison.
    Le transistor de l'invention est compensé directement de façon interne lors de sa fabrication. Les circuits intégrés qui le contiennent n'ont donc pas besoin de dispositifs extérieur de régulation en température. Il n'est pas besoin non plus de tenir compte des variations de température ambiante lors de leur conception.

    摘要翻译： 异质结双极晶体管不敏感外部温度变化和相关联的集成电路。 本发明涉及到的行为，爱稳定伊辛特别是在微波应用中，模拟或数字的情况下，作为异质结双极晶体管的操作的外部温度的函数。 因此，它涉及在相关联的集成电路。 。根据本发明，晶体管（6）是由稳定伊辛电阻手段正向偏置（DC）通过其底座（5），而该信号被放大（RF）是反式mitted到基座4的连接电容器的方式（ ）。 本发明的晶体管在制造过程中直接内部补偿。 而含有它集成电路因此具有无需外部温度调节设备。 无论是有没有必要考虑环境温度的变化他们的设计中。

    Amplifier circuit with temperature compensation
    7.
    发明公开
    Amplifier circuit with temperature compensation 失效
    Verstärkerschaltungmit Temperaturausgleich。

    公开(公告)号：EP0488443A1

    公开(公告)日：1992-06-03

    申请号：EP91202997.2

    申请日：1991-11-19

    申请人： Philips Electronics N.V.

    发明人： Boezen, Hendrik

    IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/52 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H03F1/302 ,  H01L27/0211 ,  H03F1/52

    摘要： Amplifier circuit comprising a control transistor (T₂) and an output transistor (T₁) whose control electrode is coupled to the main current path of the control transistor (T₂). The control electrode of the output transistor (T₁) is also coupled to a current supply element (I₁) which is arranged in series with the main current path of the control transistor (T₂) for supplying a bias current whose variation as a result of thermal coupling (t₂) between the current supply element (I₁) and the output transistor (T₁) is smaller than the variation of the part of the bias current flowing through the main current path of the control transistor (T₂) as a result of thermal coupling (t₁) between the control transistor (T₂) and the output transistor (T₁).

    摘要翻译： 放大器电路包括控制晶体管（T2）和控制电极耦合到控制晶体管（T2）的主电流路径的输出晶体管（T1）。 输出晶体管（T1）的控制电极还耦合到与控制晶体管（T2）的主电流路径串联布置的电流源元件（I1），用于提供偏置电流，该偏置电流作为热变化的结果 电流供给元件（I1）和输出晶体管（T1）之间的耦合（t2）小于作为热耦合的结果，流过控制晶体管（T2）的主电流路径的偏流的部分的变化 （T2）和输出晶体管（T1）之间的电压（t1）。

    Monolithic silicon integrated circuit chip for a thermal ink jet printer
    8.
    发明公开
    Monolithic silicon integrated circuit chip for a thermal ink jet printer 失效
    Monolithisch integrierte Siliciumschaltkreisfüreinen Thermotintenstrahldrucker。

    公开(公告)号：EP0401440A1

    公开(公告)日：1990-12-12

    申请号：EP89305819.8

    申请日：1989-06-09

    申请人： XEROX CORPORATION

    发明人： Hawkins, William G. ,  Burke, Cathie J.

    IPC分类号： H01L27/06 ,  B41J2/05

    CPC分类号： B41J2/1631 ,  B41J2/1604 ,  B41J2/1626 ,  B41J2002/14379 ,  B41J2202/13 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/0688

    摘要： A thermal jet ink printing system is provided with an improved printhead. The printhead is formed by monolithic integration of MOS transistors switches (78, 80, 82) onto the same silicon substrate (48) containing the resistive elements. In a preferred embodiment, the transistor switches and resistive elements are formed from a single layer of polysilicon (78, 79) with the resistive element formed on a thermally grown field oxide layer (72) having a thickness ranging from about one to four µm. The integrated circuit chips are formed by MOS technology, are thermally stable and can be operated at higher voltages than known chips.

    摘要翻译： 热喷墨印刷系统具有改进的打印头。 打印头通过将MOS晶体管开关（78,80,82）单片集成到包含电阻元件的同一硅衬底（48）上而形成。 在优选实施例中，晶体管开关和电阻元件由单层多晶硅（78,79）形成，其中电阻元件形成在厚度范围为约1至4μm的热生长场氧化物层（72）上 。 集成电路芯片由MOS技术形成，是热稳定的，并且可以在比已知芯片更高的电压下工作。

    Semiconductor device, for example, for a thermal head for a printer
    9.
    发明公开
    Semiconductor device, for example, for a thermal head for a printer 失效
    一种半导体器件，例如用于热头的打印机。

    公开(公告)号：EP0104925A2

    公开(公告)日：1984-04-04

    申请号：EP83305734.2

    申请日：1983-09-26

    申请人： SEIKO INSTRUMENTS INC.

    发明人： Matsuura, Yoshiaki

    IPC分类号： H01L27/02 ,  B41J3/20

    CPC分类号： H01L27/0211

    摘要： A semiconductor device comprises a drive circuit (4) and a logic circuit (5) connected in series. The drive circuit (4) and the logic circuit (5) are constituted by complementary metal oxide semiconductors. Such semiconductor devices may be applied, for example, to thermal heads for printers.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括一个驱动电路（4）串联连接的逻辑电路（5）。 的驱动电路（4）和逻辑电路（5）是由互补金属氧化物半导体构成。 搜索半导体装置可以应用于例如，到热头的打印机。