公开(公告)号：EP1480260A1

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：EP02775533.9

申请日：2002-11-12

申请人： Nikko Materials Company, Limited

发明人： SASAKI, Shinichi, c/o NIKKO MATERIALS CO., LTD ,  NAKAMURA, Masashi, c/o NIKKO MATERIALS CO., LTD ,  SATO, Kenji, c/o NIKKO MATERIALS CO., LTD

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  Y10S148/113

摘要： A method of growing a crystal (for example, a GaN system compound semiconductor crystal) on a substrate at least includes forming a first crystalline layer (a GaN system buffer layer), forming a second crystalline layer (a GaN system intermediate layer) and forming a third crystalline layer (a GaN system thick film layer). The three crystalline layers are respectively reared on conditions different from one another.

摘要翻译： 在衬底上生长晶体（例如，GaN系化合物半导体晶体）的方法至少包括形成第一晶体层（GaN系缓冲层），形成第二晶体层（GaN系中间层）和形成 第三晶体层（GaN系厚膜层）。 三个结晶层分别在彼此不同的条件下饲养。