摘要:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30), b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30), c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei - jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst, - jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und - die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.
摘要:
Halbleiterlasermodul aufweisend - einen Modulträger (20) mit einer Montagefläche (21), - eine Pumpvorrichtung (1), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
- einen oberflächenemittierenden Haibleiterlaser (40), der auf der Montagefläche (21) angeordnet ist, - eine Freguenz-Konversions-Vorrichtung (6), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist, wobei die Montagefläche (21) des Modulträgers (20) einen Flächeninhalt von höchstens 100 mm2 aufweist, und wobei der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (40) aufweist: - einen Montageblock (3), der eine Oberseite (131) und eine Montagefläche (130) aufweist, und - zumindest einen Halbleiterlaserchip (4), der auf der Oberseite (131) des Montageblocks (3) angeordnet ist, wobei - die Montagefläche (130) des Montageblocks (3) im Wesentlichen senkrecht zur Oberseite (131) des Montageblocks verläuft und wobei - der oberflächenemittierende Halbleiterlaser (40) mit der Montagefläche (130) des Montageblocks (3) auf der Montagefläche (21) des Modulträgers (20) befestigt ist.
摘要:
Halbleiterlasermodul aufweisend - einen Modulträger (20) mit einer Montagefläche (21), - eine Pumpvorrichtung (1), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
- einen oberflächenemittierenden Haibleiterlaser (40), der auf der Montagefläche (21) angeordnet ist, - eine Freguenz-Konversions-Vorrichtung (6), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist, wobei die Montagefläche (21) des Modulträgers (20) einen Flächeninhalt von höchstens 100 mm2 aufweist, und wobei der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (40) aufweist: - einen Montageblock (3), der eine Oberseite (131) und eine Montagefläche (130) aufweist, und - zumindest einen Halbleiterlaserchip (4), der auf der Oberseite (131) des Montageblocks (3) angeordnet ist, wobei - die Montagefläche (130) des Montageblocks (3) im Wesentlichen senkrecht zur Oberseite (131) des Montageblocks verläuft und wobei - der oberflächenemittierende Halbleiterlaser (40) mit der Montagefläche (130) des Montageblocks (3) auf der Montagefläche (21) des Modulträgers (20) befestigt ist.
摘要:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30), b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30), c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei - jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst, - jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und - die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.