Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser

    公开(公告)号:EP2091116A2

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:EP09151143.6

    申请日:2009-01-22

    IPC分类号: H01S5/02 H01L33/00 H01L21/78

    摘要: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben:
    a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
    b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
    c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
    - jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
    - jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
    - die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.

    摘要翻译: 该方法包括制备由陶瓷材料制成的支撑盘,并且通过在支撑盘的上表面上的一组半导体激光芯片(4)产生晶片互连(40)。 互连由一组半导体激光器(100)隔离,半导体激光器(100)包括具有垂直于安装块的上表面(12)延伸的安装表面的安装块(3)。 其中一个芯片布置在安装块的上表面上,其中在隔离互连期间制造安装表面。 对于包括安装块的半导体激光器还包括独立权利要求。

    Halbleiterlasermodul
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:EP2091117A2

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:EP09152076.7

    申请日:2009-02-04

    摘要: Halbleiterlasermodul aufweisend
    - einen Modulträger (20) mit einer Montagefläche (21),
    - eine Pumpvorrichtung (1), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,

    - einen oberflächenemittierenden Haibleiterlaser (40), der auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
    - eine Freguenz-Konversions-Vorrichtung (6), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
    wobei die Montagefläche (21) des Modulträgers (20) einen Flächeninhalt von höchstens 100 mm2 aufweist, und wobei der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (40) aufweist:
    - einen Montageblock (3), der eine Oberseite (131) und eine Montagefläche (130) aufweist, und
    - zumindest einen Halbleiterlaserchip (4), der auf der Oberseite (131) des Montageblocks (3) angeordnet ist, wobei
    - die Montagefläche (130) des Montageblocks (3) im Wesentlichen senkrecht zur Oberseite (131) des Montageblocks verläuft und wobei
    - der oberflächenemittierende Halbleiterlaser (40) mit der Montagefläche (130) des Montageblocks (3) auf der Montagefläche (21) des Modulträgers (20) befestigt ist.

    摘要翻译: 半导体激光器模块具有一个具有安装表面(21)的模块载体(20),安装在安装表面上的一个泵送装置(1)和一个也安装在安装表面上的表面发射二极管激光器。 变频装置(6)设置在安装面上。 模块载体的安装表面的面积为100毫米。 表面发射二极管激光器与安装块(3)的安装表面固定在模块载体的安装表面上。

    Halbleiterlasermodul
    4.
    发明公开
    Halbleiterlasermodul 审中-公开
    半导体激光模块

    公开(公告)号:EP2091117A3

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:EP09152076.7

    申请日:2009-02-04

    摘要: Halbleiterlasermodul aufweisend
    - einen Modulträger (20) mit einer Montagefläche (21),
    - eine Pumpvorrichtung (1), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,

    - einen oberflächenemittierenden Haibleiterlaser (40), der auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
    - eine Freguenz-Konversions-Vorrichtung (6), die auf der Montagefläche (21) angeordnet ist,
    wobei die Montagefläche (21) des Modulträgers (20) einen Flächeninhalt von höchstens 100 mm2 aufweist, und wobei der oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (40) aufweist:
    - einen Montageblock (3), der eine Oberseite (131) und eine Montagefläche (130) aufweist, und
    - zumindest einen Halbleiterlaserchip (4), der auf der Oberseite (131) des Montageblocks (3) angeordnet ist, wobei
    - die Montagefläche (130) des Montageblocks (3) im Wesentlichen senkrecht zur Oberseite (131) des Montageblocks verläuft und wobei
    - der oberflächenemittierende Halbleiterlaser (40) mit der Montagefläche (130) des Montageblocks (3) auf der Montagefläche (21) des Modulträgers (20) befestigt ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
    5.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser 审中-公开
    一种用于制造半导体激光器和半导体激光器的过程

    公开(公告)号:EP2091116A3

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:EP09151143.6

    申请日:2009-01-22

    IPC分类号: H01S5/02 H01L33/00 H01L21/78

    摘要: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben:
    a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
    b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
    c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
    - jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
    - jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
    - die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.