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1.发明公开
公开(公告)号：EP2040316A1
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：EP08164593.9
申请日：2008-09-18
发明人： von Malm, Norwin , Heuser, Karsten
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L51/5256 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2251/5315
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist insbesondere ein Substrat (1), eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat (1), eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (3) mit einem aktiven Bereich (30), der im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, eine für die Primärstrahlung transparente zweite Elektrode (4) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (3) und eine auf der zweiten Elektrode (4) abgeschiedene Verkapselungsanordnung (10) auf, wobei die Verkapselungsanordnung (10) einen Schichtenstapel mit zumindest einer ersten Barrierenschicht (6) und zumindest einer ersten, die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden Wellenlängenkonversionsschicht (5) aufweist und die Verkapselungsanordnung (10) zumindest teilweise für die Primärstrahlung und/oder für die Sekundärstrahlung transparent ist.
摘要翻译： 基板组件具有向电极（2）布置在（1）。 发射辐射的层序列（3）具有在有源区（30），其辐射的电磁初级辐射。 另一个电极（4）被布置在所述层序列，以及封装装置（10）被沉积在后期电极。 该装置具有用阻挡层（6）和波长转换涂层（5）的层堆叠做了初级辐射成电磁次级辐射部分转换。 该布置是用于初级和/或次级辐射部分透明的。 因此独立claimsoft包括用于制造光电元件的方法。
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2.发明公开Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 审中-公开光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：EP2429009A2
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：EP11183323.2
申请日：2008-09-18
发明人： von Malm, Norwin , Heuser, Karsten
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/50 , H01L51/5036 , H01L51/5256 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2251/5315 , H01L2933/0041
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist insbesondere ein Substrat (1), eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat (1), eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (3) mit einem aktiven Bereich (30), der im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, eine für die Primärstrahlung transparente zweite Elektrode (4) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (3) und eine auf der zweiten Elektrode (4) abgeschiedene Verkapselungsanordnung (10) auf, wobei die Verkapselungsanordnung (10) einen Schichtenstapel mit zumindest einer ersten Barrierenschicht (6) und zumindest einer ersten, die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden Wellenlängenkonversionsschicht (5) aufweist und die Verkapselungsanordnung (10) zumindest teilweise für die Primärstrahlung und/oder für die Sekundärstrahlung transparent ist.
摘要翻译： 特别是，光电装置包括：基板（1），基板上的第一电极（2）（1），发射辐射的层序列（3）的有源区（30），其发射操作过程中初级辐射的电磁初级辐射，一个 （10）的透明的第二电极（4）上的发射辐射的层序列（3）和一个在所述第二电极（4）沉积Verkapselungsanordnung，由此Verkapselungsanordnung（10）具有至少一个第一势垒层（6）和至少一个第一层堆叠， 具有初级辐射至少部分地进入电磁次级辐射转换波长转换层（5）和Verkapselungsanordnung（10）至少部分地对所述初级辐射和/或用于二次辐射是透明的。
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公开(公告)号：EP2001060A2
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：EP08157889.0
申请日：2008-06-09
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L33/405 , H01L33/507 , H01L51/524 , H01L2251/558
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement umfasst insbesondere eine erste Elektrode (3), eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (10) auf der ersten Elektrode (3), der eine Haupterstreckungsebene (E) mit einer Flächennormalen (N) aufweist und eine elektromagnetische Primärstrahlung mit einer nicht-Lambert'schen Abstrahlcharakteristik emittiert, eine zweite für die Primärstrahlung transparente Elektrode (4) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1), und eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) im Strahlengang der Primärstrahlung, die die Primärstrahlung zumindest zum Teil in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Dabei ist die erste Elektrode (3) reflektierend für die Primärstrahlung, während die nicht-Lambert'sche Abstrahlcharakteristik gegeben ist durch eine Intensität I(α) der Primärstrahlung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) in Abhängigkeit von einem zur Flächennormalen (N) gemessenen Abstrahlwinkel α, die Intensität I(α) von α ≥ 0° mit zunehmenden Winkel α bis zu einem Maximalwinkel α max hin zunimmt und die Konversionswahrscheinlichkeit der elektromagnetischen Primärstrahlung in der Wellenlängenkonversionsschicht (2) mit steigendem Abstrahlwinkel α zunimmt.
摘要翻译： 该组件具有辐射发射层系列（1），其在电极（3）处具有有源区域，用于发射具有非朗伯辐射特性的电磁初级辐射。 电极对于辐射是反射的，并且特征由基于在法线（N）处测量的辐射角（α）的辐射强度提供。 强度随着辐射角的增加而增加，直到辐射的最大角度，并且波长转换层（2）中的辐射的转换概率随着辐射角的增加而增加。
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公开(公告)号：EP2001060A3
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：EP08157889.0
申请日：2008-06-09
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L33/405 , H01L33/507 , H01L51/524 , H01L2251/558
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement umfasst insbesondere eine erste Elektrode (3), eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (10) auf der ersten Elektrode (3), der eine Haupterstreckungsebene (E) mit einer Flächennormalen (N) aufweist und eine elektromagnetische Primärstrahlung mit einer nicht-Lambert'schen Abstrahlcharakteristik emittiert, eine zweite für die Primärstrahlung transparente Elektrode (4) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1), und eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) im Strahlengang der Primärstrahlung, die die Primärstrahlung zumindest zum Teil in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Dabei ist die erste Elektrode (3) reflektierend für die Primärstrahlung, während die nicht-Lambert'sche Abstrahlcharakteristik gegeben ist durch eine Intensität I(α) der Primärstrahlung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) in Abhängigkeit von einem zur Flächennormalen (N) gemessenen Abstrahlwinkel α, die Intensität I(α) von α ≥ 0° mit zunehmenden Winkel α bis zu einem Maximalwinkel α max hin zunimmt und die Konversionswahrscheinlichkeit der elektromagnetischen Primärstrahlung in der Wellenlängenkonversionsschicht (2) mit steigendem Abstrahlwinkel α zunimmt.
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5.发明公开Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 审中-公开光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：EP2429009A3
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：EP11183323.2
申请日：2008-09-18
发明人： von Malm, Norwin , Heuser, Karsten
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/50 , H01L51/5036 , H01L51/5256 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2251/5315 , H01L2933/0041
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist insbesondere ein Substrat (1), eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat (1), eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (3) mit einem aktiven Bereich (30), der im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, eine für die Primärstrahlung transparente zweite Elektrode (4) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (3) und eine auf der zweiten Elektrode (4) abgeschiedene Verkapselungsanordnung (10) auf, wobei die Verkapselungsanordnung (10) einen Schichtenstapel mit zumindest einer ersten Barrierenschicht (6) und zumindest einer ersten, die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden Wellenlängenkonversionsschicht (5) aufweist und die Verkapselungsanordnung (10) zumindest teilweise für die Primärstrahlung und/oder für die Sekundärstrahlung transparent ist.
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公开(公告)号：EP2043176A3
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：EP08164730.7
申请日：2008-09-19
发明人： von Malm, Norwin
CPC分类号： H01L51/5271 , B60Q1/2696 , B60Q1/30 , G02B5/124 , G09F13/14 , G09F13/22 , G09F21/045 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3239 , H01L2251/5323 , H01L2251/5361
摘要： Es wird eine Beleuchtungseinrichtung (1, 1A, 1B) angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung (1, 1A, 1B) enthält ein organisches lichtemittierendes Bauelement (2, 2A, 2B, 2C, 2C'), das eine funktionale Schichtenfolge (23, 23A) zur Lichterzeugung enthält, eine Lichtdurchtrittsfläche (7, 7A, 7B), die dazu vorgesehen ist, von dem organischen lichtemittierenden Bauelement (2, 2A, 2B, 2C, 2C') emittiertes Licht aus der Beleuchtungseinrichtung (1, 1A, 1B) auszukoppeln und Umgebungslicht in die Beleuchtungseinrichtung (1, 1A, 1B) einzukoppeln, und einen Retroreflektor (5, 5A, 5B), der dazu vorgesehen ist, zumindest einen Teil des durch die Lichtdurchtrittsfläche (7, 7A, 7B) eingekoppelten Umgebungslichts zur Lichtdurchtrittsfläche (7, 7A, 7B) zurückzureflektieren. Das organische lichtemittierende Bauelement (2, 2A, 2B, 2C, 2C') ist zumindest teilweise lichtdurchlässig ausgeführt. Die funktionale Schichtenfolge (23, 23A) des organischen Licht emittierenden Bauelements (2, 2A, 2B, 2C, 2C') ist zwischen der Lichtdurchtrittsfläche (7, 7A, 7B) und dem Retroreflektor (5, 5A, 5B) angeordnet. Weiter werden eine Leuchte (10) und eine Anzeigevorrichtung (100) angegeben.
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7.发明授权Optoelektronische Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil 有权Optoelektronische Halbleiterchip，Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil
公开(公告)号：EP1770794B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：EP06019686.2
申请日：2006-09-20
发明人： von Malm, Norwin
CPC分类号： H01L33/508 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L51/5036 , H01L51/5206 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2251/5369 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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8.发明授权
公开(公告)号：EP2040316B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：EP08164593.9
申请日：2008-09-18
发明人： von Malm, Norwin , Heuser, Karsten
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L51/5256 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2251/5315
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9.发明授权
公开(公告)号：EP3217645B1
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：EP17167911.1
申请日：2010-09-14
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10.发明公开HALBLEITERCHIP, BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG FÜR EINE KAMERA SOWIE VERFAHREN ZUM BETRIEB DERSELBEN 审中-公开半导体芯片，照相机的照明装置及其操作方法
公开(公告)号：EP3217645A1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：EP17167911.1
申请日：2010-09-14
CPC分类号： G03B15/05 , F21V23/04 , G03B2215/0571 , G03B2215/0592 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H04N5/2256 , H01L2924/00
摘要： Es werden ein Halbleiterchip (1) für eine Beleuchtungseinrichtung (10), eine Beleuchtungseinrichtung (10) für eine Kamera sowie Verfahren zum Betrieb derselben angegeben, wobei der Halbleiterchip eine Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2, 2A, 2B, 2B') enthält. Die unabhängig voneinander betreibbaren Emissionsbereiche (2, 2A, 2B, 2B') sind insbesondere auf einem Trägerkörper (3) des Halbleiterchips angeordnet. Die Beleuchtungseinrichtung (10) umfasst den Licht emittierenden Halbleiterchip (1) mit der Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2, 2A, 2B, 2B') sowie ein optisches Element (15), das dazu ausgebildet ist, von den Emissionsbereichen (2, 2A, 2B, 2B') emittiertes Licht (210, 220) zu einem Strahlenbündel zu formen, wobei die Beleuchtungseinrichtung (10) derart ausgebildet ist, dass mittels der einzeln ansteuerbaren Emissionsbereiche (2, 2A, 2B, 2B') unterschiedliche Strahlprofile des Strahlenbündels einstellbar sind.
Des Weiteren wird ein Verfahren zum Betrieb einer Beleuchtungseinrichtung (10) oder zum Betrieb einer Kamera mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung (10) angegeben.摘要翻译： 本发明涉及用于照明装置（10）的半导体芯片（1），用于照相机的照明装置（10）及其操作方法，其中半导体芯片包含多个可单独控制的发射区域（2,2A，2B，2B'）。 可独立操作的发射区域（2,2A，2B，2B'）尤其布置在半导体芯片的载体主体（3）上。 照明装置（10）包括具有多个独立可控发光区域（2,2A，2B，2B'）的发光半导体芯片（1）和设计成与发光区域（2,2A）分开的光学元件（15） ，其中所述照明装置（10）被设计为使得借助于可独立控制的发射区域（2,2A，2B，2B'）来调节所述光束的不同的光束轮廓 是。 此外，指定了用于操作照明设备（10）或用于使用这种照明设备（10）操作照相机的方法。
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