公开(公告)号：EP0570484A1

公开(公告)日：1993-11-24

申请号：EP92905727.0

申请日：1992-02-04

申请人： PLASMA & MATERIALS TECHNOLOGIES, INC.

发明人： CAMPBELL, Gregor, A. ,  CONN, Robert, W. ,  PEARSON, David, C. ,  DECHAMBRIER, Alexis, P. ,  SHOJI, Tatsuo Yomei-Ryo Yomei-cho 1-5

IPC分类号： C23C14 ,  C23C16 ,  C23F4 ,  H01J37 ,  H01L21 ,  H05H1

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32688 ,  H05H1/46

摘要： Dans l'appareil décrit, un plasma ionisé de forte densité est généré dans une chambre source (10') grâce à l'utilisation d'une antenne à boucle simple (12') disposée dans un plan qui coupe l'axe central de la chambre source selon un angle perpendiculaire ou selon un angle plus petit par rapport à l'extrémité fermé de ladite chambre et à distance de ladite extrémité. Conjointement à un champ magnétique longitudinal et à un gaz inerte ou réactif injecté dans la chambre source, on utilise l'excitation de l'antenne au moyen d'une énergie à haute fréquence comprise entre 5 et 30 MHz pour établir le mode d'excitation M=0 ou des composantes des deux modes M=0 et M=1. Sont alors créées des ondes du type siffleurs à fréquence basse, qui génèrent un plasma uniforme et de forte densité ainsi qu'un fort courant de plasma. La source de plasma ainsi définie est utilisée combinée à des configurations de chambre de traitement dans lesquelles des champs magnétiques de forme statique ou modulés dans le temps favorisent la répartition et l'uniformité du plasma sur un substrat devant être attaqué ou enduit par dépôt ou pulvérisation.

摘要翻译： 在所描述的装置中，通过使用设置在平面中的单个环形天线（12'）在源室（10'）中产生高密度电离等离子体，所述平面与 源腔室相对于所述腔室的封闭端以垂直角度或以较小角度并与所述端部隔开一定距离。 结合纵向磁场和注入源腔的惰性或反应气体，利用5至30MHz之间的高频能量来激励天线以建立激励模式。 M = 0或两种模式M = 0和M = 1的分量。 然后产生低频波动型波，产生均匀的高密度等离子体和强等离子体电流。 如此定义的等离子体源与处理室配置结合使用，其中静态或时间调制磁场促进等离子体在要蚀刻或喷涂的衬底上的分布和均匀性。 。

公开(公告)号：EP0570484B1

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：EP92905727.1

申请日：1992-02-04

申请人： PLASMA & MATERIALS TECHNOLOGIES, INC.

发明人： CAMPBELL, Gregor, A. ,  CONN, Robert, W. ,  PEARSON, David, C. ,  DECHAMBRIER, Alexis, P. ,  SHOJI, Tatsuo Yomei-Ryo Yomei-cho 1-5

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32688 ,  H05H1/46

摘要： A high density ionized plasma is generated in a source chamber (10') using a single loop antenna (12') disposed in a plane that intercepts the central axis of the source chamber perpendicularly or at a lesser angle and spaced from the closed end of the chamber. With a longitudinal magnetic field and an inert or reactive gas injected into the source chamber, excitation of the antenna with RF energy in the 5 to 30 MHz establishes the M=0 excitation mode or components of both the M=0 and M=1 modes. Low frequency whistler waves are created which generate a uniform and high density plasma and high plasma current. The plasma source thus defined is used in combination with process chamber configurations in which static shaped or time modulated magnetic fields enhance the distribution and uniformity of the plasma at a substrate to be etched, deposited or sputtered.