公开(公告)号：EP0425056A1

公开(公告)日：1991-05-02

申请号：EP90202845.5

申请日：1990-10-25

申请人： Philips Patentverwaltung GmbH ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Bringmann, Udo ,  Klages, Claus-Peter, Dr. ,  Six, Rolf ,  Schäfer, Lothar, Dr.

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/271 ,  C23C16/32

摘要： Verfahren zur Abscheidung mikrokristalliner Festkörper­partikel aus einer Kohlenstoff-haltige Gase enthaltenden Gasphase mittels Chemical Vapour Deposition (CVD), bei dem die abzuscheidenden Festkörperpartikel bei einem Druck im Bereich von 10⁻⁵ bis 1 bar an einem, auf eine Temperatur im Bereich von 450 bis 1200 °C aufgeheizten Substrat abge­schieden werden und bei dem die chemischen Gasphasen­reaktionen in der thermisch durch einen Widerstandsheiz­leiter angeregten Gasphase erfolgen, wobei ein aus einem Carbid mindestens eines Übergangsmetalls aus den Neben­gruppen IVa bis des Periodischen Systems der Elemente (PSE) mit einem einer stöchiometrischen Zusammensetzung mindestens nahezu entsprechenden Gehalt an gebundenem Kohlenstoff und mit einem Schmelzpunkt > 2000 °C hergestellter Widerstandsheizleiter eingesetzt wird.

摘要翻译： 从10 <-5>至1巴的范围内从气相包含通过化学气相沉积（CVD）含碳气体，其中待沉积的固体颗粒沉积沉积微晶固体颗粒，在压力处理， 上加热至的范围内的温度从450到1200℃的基板，其中，所述化学气相反应采取在气相中激发热处通过电阻加热导体，从碳化物产生的电阻加热导体的至少 从子组IVA为...元素周期表中的一种过渡金属，具有结合的碳对应的至少几乎化学计量组合物的含量和具有> 2000℃的熔点，被使用。