公开(公告)号：EP3053166A4

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：EP14847884

申请日：2014-09-30

申请人： RANGEL TSAOUSSIS AND TECH LLC

发明人： TSAOUSSIS SIMON PETER

IPC分类号： G11C11/39 ,  G11C11/411

CPC分类号： G11C11/40 ,  G11C7/12 ,  G11C11/39 ,  G11C11/411 ,  G11C2207/12

摘要： A two transistor ternary random access memory (TTTRAM) circuit includes an voltage/current input, an input/output switch, a first transistor, a first pull up resistor, a second transistor, and a second pull up resistor. The first transistor has a first emitter, a first collector connected to the input/output switch, and a first base. The first pull up resistor is connected to the first emitter and the voltage/current input. The second transistor has a second emitter connected to ground, a second collector, and a second base connected to the input/output switch. The second pull up resistor is connected to the first base, the second collector, and the voltage/current input.

摘要翻译： 双晶体管三态随机存取存储器（TTTRAM）电路包括电压/电流输入，输入/输出开关，第一晶体管，第一上拉电阻器，第二晶体管和第二上拉电阻器。 第一晶体管具有第一发射极，连接到输入/输出开关的第一集电极以及第一基极。 第一个上拉电阻连接到第一个发射极和电压/电流输入。 第二晶体管具有连接到地的第二发射极，第二集电极和连接到输入/输出开关的第二基极。 第二个上拉电阻连接到第一个基极，第二个集电极和电压/电流输入。