摘要:
Die Erfindung betrifft einen Inertialsensor (100) mit einer eine Elektrode (108) aufweisenden Elektrodenschicht (102), einer eine erste Gegenelektrode (110) und eine zweite Gegenelektrode (112) aufweisenden Gegenelektrodenschicht (106) und einer einen ersten beweglich gelagerten Sensorkern (114) und einen zweiten beweglich gelagerten Sensorkern (116) aufweisenden Sensorkernschicht (104) aus einem monokristallinen Material, wobei die Sensorkernschicht (104) zwischen der Elektrodenschicht (102) und der Gegenelektrodenschicht (106) angeordnet ist.
摘要:
Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst ein erstes Substrat (W1) mit einer ersten Vorderseite (V1) und einer ersten Rückseite (R1), eine in dem ersten Substrat (W1) ausgebildete Wanne (WA), wobei in der Wanne (WA) eine erste Elektrode (E3) ausgebildet ist, welche sich über die Wanne (WA) hinaus in eine Peripherie der Wanne (WA) auf der erste Vorderseite (V1) erstreckt. Weiterhin umfasst sie ein zweites Substrat (W2) mit einer zweiten Vorderseite (V2) und einer zweiten Rückseite (R2), eine in dem zweiten Substrat (W2) ausgebildete erste Durchgangsöffnung (V3), wobei die erste Durchgangsöffnung an der zweiten Vorderseite (V2) von einem membranartigen ersten Widerstandsbereich (R3) überspannt ist. Die erste Vorderseite (V1) und die zweite Vorderseite (V2) sind derart über eine Bondverbindung (B1, B2) miteinander verbunden sind, dass der erste Widerstandsbereich (R3) die erste Elektrode (E3) zum Bilden einer Kaverne (K) mit vorbestimmter Druckatmosphäre verschließt und in der Peripherie der Wanne (WA) die erste Elektrode (E3) elektrisch kontaktiert. Der erste Widerstandsbereich (R3) ist durch Anlegen von Druck (P) durch die Durchgangsöffnung (V3) in die Wanne (WA) auslenkbar, so dass er die erste Elektrode (E3) innerhalb der Wanne (WA) elektrisch kontaktiert.
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Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst ein erstes Substrat (W1) mit einer ersten Vorderseite (V1) und einer ersten Rückseite (R1), eine in dem ersten Substrat (W1) ausgebildete Wanne (WA), wobei in der Wanne (WA) eine erste Elektrode (E3) ausgebildet ist, welche sich über die Wanne (WA) hinaus in eine Peripherie der Wanne (WA) auf der erste Vorderseite (V1) erstreckt. Weiterhin umfasst sie ein zweites Substrat (W2) mit einer zweiten Vorderseite (V2) und einer zweiten Rückseite (R2), wobei die erste Vorderseite (V1) und die zweite Vorderseite (V2) derart über eine Bondverbindung (B1) miteinander verbunden sind, dass ein erster membranartiger Widerstandsbereich (R3) die erste Elektrode (E3) zum Bilden einer Kaverne (K) mit vorbestimmter Druckatmosphäre verschließt und in der Peripherie der Wanne (WA) die erste Elektrode (E3) elektrisch kontaktiert. Der erste Widerstandsbereich (R3) ist durch Anlegen von Druck (P) in die Wanne (WA) auslenkbar, so dass er die erste Elektrode (E3) innerhalb der Wanne (WA) elektrisch kontaktiert.
摘要:
Die Erfindung schafft eine Sensorvorrichtung, eine dreidimensionale Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Sensorvorrichtung (Hx1) umfasst ein Halbleitersubstrat (10), das eine Kavität (K1) umfasst, wobei die Kavität (K1) eine Oberseite (O1), eine Bodenfläche (B1), eine erste Seitenfläche (F1), eine zweite Seitenfläche (F2), eine dritte Seitenfläche (F3) und eine vierte Seitenfläche (F4) umfasst, wobei die erste Seitenfläche (F1) der zweiten Seitenfläche (F2) gegenüberliegt und die dritte Seitenfläche (F3) der vierten Seitenfläche (F4) gegenüberliegt. Die Oberseite (O1) der Kavität (K1) weist an der ersten Seitenfläche (F1) zumindest bereichsweise zwei Stromzuführbereiche (S1, S2) und einen ersten Hallspannungsbereich (UH1) auf, wobei der erste Hallspannungsbereich (UH1) zwischen den zwei Stromzuführbereichen (S1, S2) angeordnet ist und an der Oberseite (O1) der zweiten Seitenfläche (F2) ein zweiter Hallspannungsbereich (UH2) angeordnet ist und eine zumindest bereichsweise homogene Kohlenstoffschicht (70) der dritten Seitenfläche (F3) und der vierten Seitenfläche (F4) durchbrochen ist und der ersten Hallspannungsbereich (UH1) mit dem zweiten Hallspannungsbereich (UH2) mittels der zumindest bereichsweisen homogenen Kohlenstoffschicht (70) verbunden ist.
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Die Erfindung schafft eine Sensorvorrichtung, eine dreidimensionale Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Sensorvorrichtung (Hx1) umfasst ein Halbleitersubstrat (10), das eine Kavität (K1) umfasst, wobei die Kavität (K1) eine Oberseite (O1), eine Bodenfläche (B1), eine erste Seitenfläche (F1), eine zweite Seitenfläche (F2), eine dritte Seitenfläche (F3) und eine vierte Seitenfläche (F4) umfasst, wobei die erste Seitenfläche (F1) der zweiten Seitenfläche (F2) gegenüberliegt und die dritte Seitenfläche (F3) der vierten Seitenfläche (F4) gegenüberliegt. Die Oberseite (O1) der Kavität (K1) weist an der ersten Seitenfläche (F1) zumindest bereichsweise zwei Stromzuführbereiche (S1, S2) und einen ersten Hallspannungsbereich (UH1) auf, wobei der erste Hallspannungsbereich (UH1) zwischen den zwei Stromzuführbereichen (S1, S2) angeordnet ist und an der Oberseite (O1) der zweiten Seitenfläche (F2) ein zweiter Hallspannungsbereich (UH2) angeordnet ist und eine zumindest bereichsweise homogene Kohlenstoffschicht (70) der dritten Seitenfläche (F3) und der vierten Seitenfläche (F4) durchbrochen ist und der ersten Hallspannungsbereich (UH1) mit dem zweiten Hallspannungsbereich (UH2) mittels der zumindest bereichsweisen homogenen Kohlenstoffschicht (70) verbunden ist.