PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ D'ÎLOTS SEMICONDUCTEURS CRISTALLINS

    公开(公告)号:EP4033531A1

    公开(公告)日:2022-07-27

    申请号:EP22161925.7

    申请日:2018-03-14

    申请人: SOITEC

    摘要: L'invention porte sur un substrat de croissance (1) pour la formation de dispositifs optoélectroniques comprenant un support de croissance (2) et, disposée sur le support de croissance (2), un premier groupe d'îlots semi-conducteurs cristallins (3a) présentant un premier paramètre de maille et un deuxième groupe d'îlots semi-conducteur cristallin (3b) présentant un deuxième paramètre de maille, différent du premier. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat de croissance, sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat de croissance. Elle s'applique pour fournir un micro panneau monolithique de diodes électroluminescentes ou un micro-écran d'affichage.