利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

16 条记录 (耗时 0.009 秒)

    METHOD FOR MANUFACTURING A FILM ON A SUPPORT HAVING A NON-FLAT SURFACE
    1.
    发明公开
    METHOD FOR MANUFACTURING A FILM ON A SUPPORT HAVING A NON-FLAT SURFACE 审中-公开

    公开(公告)号：EP4415508A2

    公开(公告)日：2024-08-14

    申请号：EP24186129.3

    申请日：2018-10-31

    申请人： SOITEC

    发明人： GHYSELEN, Bruno ,  BETHOUX, Jean-Marc

    IPC分类号： H10N30/073

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H10N30/073 ,  H10N30/072

    摘要： The invention relates to a method for manufacturing a film (12) on a support (20) having a non-flat surface, characterised in that it comprises:
    - the supply of a donor substrate (10) having a non-flat surface,
    - the formation of an embrittlement zone (11) in the donor substrate (10) so as to delimit said film (12) to transfer,
    - the formation of the support (20) by conformal deposition on the non-flat surface of the film (12) to transfer,
    - the detachment of the donor substrate (10) along the embrittlement zone (11), so as to transfer said film (12) onto the support (20).

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE, NOTAMMENT PIEZOELECTRIQUE
    2.
    发明公开
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE, NOTAMMENT PIEZOELECTRIQUE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3394324A1

    公开(公告)日：2018-10-31

    申请号：EP16819558.4

    申请日：2016-12-21

    申请人： Soitec

    发明人： GHYSELEN, Bruno ,  BETHOUX, Jean-Marc

    IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  H01L21/762 ,  H01L41/312

    CPC分类号： C30B29/22 ,  C30B25/186 ,  H01L21/76254 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/312 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

    摘要： The invention relates to a method for the production of a single-crystal film (10), characterised in that it comprises the following successive steps: the provision of a donor substrate (100) comprising a piezoelectric material of composition ABO
    3 , wherein A consists of at least one element from among Li, Na, K, H, Ca, and B consists of at least one element from among Nb, Ta, Sb, V; the provision of a receiver substrate (110); the transfer of a so-called "seed layer" from the donor substrate (100) to the receiver substrate (110), by means of bonding the donor substrate to the receiver substrate such that the seed layer (102) is located at the bonding interface, and the subsequent thinning of the donor substrate (100) as far as the seed layer (102); the epitaxial growth of a single-crystal film (103) on the piezoelectric material ABO
    3 of the seed layer (102), said film having composition A'B'O
    3 , wherein: A' consists of at least one element from among Li, Na, K, H; B' consists of at least one element from among Nb, Ta, Sb, V; and A' is different from A or B' is different from B.

    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ D'ÎLOTS SEMICONDUCTEURS CRISTALLINS
    3.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ D'ÎLOTS SEMICONDUCTEURS CRISTALLINS 审中-公开

    公开(公告)号：EP4033531A1

    公开(公告)日：2022-07-27

    申请号：EP22161925.7

    申请日：2018-03-14

    申请人： SOITEC

    发明人： SOTTA, David ,  LEDOUX, Olivier ,  BONNIN, Olivier ,  BETHOUX, Jean-Marc ,  LOGIOU, Morgane ,  CAULMILONE, Raphaël

    IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

    摘要： L'invention porte sur un substrat de croissance (1) pour la formation de dispositifs optoélectroniques comprenant un support de croissance (2) et, disposée sur le support de croissance (2), un premier groupe d'îlots semi-conducteurs cristallins (3a) présentant un premier paramètre de maille et un deuxième groupe d'îlots semi-conducteur cristallin (3b) présentant un deuxième paramètre de maille, différent du premier. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du substrat de croissance, sur un procédé de fabrication collective d'une pluralité de dispositifs optoélectroniques sur le substrat de croissance. Elle s'applique pour fournir un micro panneau monolithique de diodes électroluminescentes ou un micro-écran d'affichage.