公开(公告)号：EP1513234A4

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：EP03736075

申请日：2003-06-06

申请人： SONY CORP

发明人： TOJO TSUYOSHI ,  YABUKI Y ,  ANSAI S ,  HINO TOMONORI ,  GOTO OSAMU ,  FUJIMOTO TSUYOSHI ,  MATSUMOTO O ,  TAKEYA MOTONOBU ,  OOFUJI YOSHIO

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

摘要： A multibeam semiconductor laser wherein a group III-V nitride compound semiconductor layer having a laser structure is formed on a major surface of a sapphire substrate or the like, and anodes and cathodes are formed on the group III-V nitride compound semiconductor layer. An anode is formed across a cathode, with an insulating film between them. Another anode is formed across another cathode, with an insulating film between them.

摘要翻译： 在包括层叠在蓝宝石或其他材料的基板的一个表面上的氮化物III-V化合物半导体层以形成激光结构的多光束半导体激光器中，并且包括形成在氮化物III上的多个阳极电极和多个阴极电极 -V化合物半导体层，其中一个阳极形成为通过绝缘膜桥接在一个阴极电极上，并且另一个阳极电极形成为通过绝缘膜桥接在另一个阴极电极上。