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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：EP4358126A1
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP23201336.7
申请日：2023-10-03
Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Inventor： BOURGUINE, Loic
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06 , H01L27/085 , H01L29/778 , H01L29/20 , H03K17/041 , H03K17/12 , H02M1/08
CPC classification number: H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L29/7786 , H01L29/2003 , H03K17/041 , H03K17/122 , H02M3/003 , H02M3/156 , H02M3/158 , H02M3/33523 , H02M1/0006 , H02M1/08 , H01L27/0207 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H10B12/488
Abstract: La présente description concerne un circuit de pilotage d'un premier transistor de puissance (401) HEMT de type e-mode adapté à recevoir une tension maximale de 650 V entre son drain et sa source, ledit circuit étant formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium, et comprenant au moins un deuxième transistor (T2205) de type e-mode adapté à transmettre directement une tension de commande à la grille du premier transistor (401) et dont l'aire est supérieure à 5 mm2.
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公开(公告)号：EP4358406A2
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP23201334.2
申请日：2023-10-03
Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Inventor： BOURGUINE, Loic , ESTEVE, Lionel
CPC classification number: H03K2017/080620130101 , H03K17/18 , G01R31/2628 , H01L29/2003 , H02H5/042 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L21/8252 , H01L29/7786 , H01L29/42356 , H01L29/41766 , H01L29/41758
Abstract: La présente description concerne un circuit de protection contre les surchauffes (1800) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium, comprenant :
- une première résistance (R1802) ayant un premier coefficient de température positif et étant disposée dans ladite couche de Nitrure de Gallium ; et
- une deuxième résistance (R1801) ayant un deuxième coefficient de température différent du premier coefficient.-
公开(公告)号：EP4357877A1
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP23201338.3
申请日：2023-10-03
Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Inventor： BOURGUINE, Loic , ESTEVE, Lionel
IPC: G05F3/18
CPC classification number: G05F3/18
Abstract: La présente description concerne un circuit régulateur de tension (700) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium, comprenant :
- entre une première borne (VCC) et une deuxième borne (DZ), une première résistance (R701) et un premier transistor HEMT de type d-mode ; et
- entre la première borne (VCC) et la troisième borne (VDD), un deuxième transistor HEMT de type d-mode,
dans lequel le point milieu entre la première résistance (R701) et le premier transistor (T701) est reliée aux grilles des premier et deuxième transistors (T701, T702).-
公开(公告)号：EP4358125A1
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP23201333.4
申请日：2023-10-03
Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Inventor： BOURGUINE, Loic , ESTEVE, Lionel , PAVLIN, Antoine
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06 , H01L27/085 , H01L29/20 , H01L29/778 , H02M1/08 , H03K17/082
CPC classification number: H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L29/7786 , H01L29/2003 , H02M1/08 , H03K2017/080620130101 , H03K17/0822 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/0657 , H01L29/41758 , H01L27/0207 , H02M3/33523 , H02M3/155
Abstract: La présente description concerne un dispositif électronique (400) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium, comprenant au moins un transistor de puissance (401) HEMT de type e-mode adapté à recevoir une tension maximale de 650 V entre son drain et sa source, et un circuit analogique de commande (450) dudit transistor de puissance (401).
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公开(公告)号：EP4358406A3
公开(公告)日：2024-06-12
申请号：EP23201334.2
申请日：2023-10-03
Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Inventor： BOURGUINE, Loic , ESTEVE, Lionel
CPC classification number: H03K2017/080620130101 , H03K17/18 , G01R31/2628 , H01L29/2003 , H02H5/042 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L21/8252 , H01L29/7786 , H01L29/42356 , H01L29/41766 , H01L29/41758
Abstract: La présente description concerne un circuit de protection contre les surchauffes (1800) formé dans et sur un substrat semiconducteur monolithique ayant une face recouverte d'une couche de Nitrure de Gallium, comprenant :
- une première résistance (R1802) ayant un premier coefficient de température positif et étant disposée dans ladite couche de Nitrure de Gallium ; et
- une deuxième résistance (R1801) ayant un deuxième coefficient de température différent du premier coefficient.
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