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1.发明公开Procédé de réalisation d'interconnexions métalliques isolées dans des circuits intégrés 审中-公开一种用于生产集成电路绝缘金属互连线的过程
公开(公告)号：EP1111669A1
公开(公告)日：2001-06-27
申请号：EP00410161.4
申请日：2000-12-22
发明人： Torres, Joaquim , Gayet, Philippe , Haond, Michel
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau de métallisation d'un circuit intégré comprenant les étapes consistant à former des zones métalliques (11, 12, 13, 14) d'un niveau de métallisation séparées latéralement par une première couche isolante (6), éliminer la première couche isolante, déposer une deuxième couche isolante (24) de façon non conforme de sorte qu'il se forme des lacunes entre des zones métalliques voisines, ou bien de façon à obtenir une couche poreuse. L'élimination de la première couche isolante (6) est effectuée à travers un masque (16) de façon à laisser en place des zones de garde (21) de la première couche isolante autour des parties des zones métalliques destinées à être contactées par un via traversant la deuxième couche isolante.
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2.发明授权Procédé de nettoyage de surfaces métalliques oxydées dans la fabrication de réseaux d'interconnexions et plaquettes pour de tels réseaux 失效一种用于制备化合物的网络和电路板的这种网络清洁氧化的金属表面处理
公开(公告)号：EP0518774B1
公开(公告)日：1996-03-06
申请号：EP92401628.0
申请日：1992-06-12
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： C23G5/00 , C23C16/50 , H01L21/768 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/4864 , C23C14/022 , C23G5/00 , H01L21/321 , H01L21/76877
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3.发明公开Procédé de formation autoalignée de siliciure de tungstène 失效韦尔法罕zum Herstellen von selbstjustierendem Wolframlsilizid。
公开(公告)号：EP0362081A1
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：EP89420326.4
申请日：1989-09-06
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/90 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28052 , H01L21/28518 , Y10S148/019 , Y10S148/147
摘要： La présente invention concerne un procédé de formation localisée de siliciure de tungstène ou de molybdène sur des régions apparentes de silicium (6) d'une face d'une plaquette de silicium (1) comportant également des régions oxydées (2) comprenant les étapes consistant à revêtir uniformément la plaquette d'une couche de tunsgtène ou de molybdène (10) et à recuire à une température de l'ordre de 700°C à 1000°C. L'étape de recuit est effectuée en présence d'un gaz à faible pression formant avec le tungstène ou le molybdène un composé chimique. Ce procédé comprend ensuite l'étape d'élimination par attaque sélective dudit composé.
摘要翻译： 本发明涉及在硅晶片（1）的表面的硅（6）的暴露区域上局部地生产硅化钨或硅化钼的方法，所述方法还包括氧化区域（2），所述氧化区域包括以下步骤：均匀地涂覆 具有钨或钼层（10）的晶片，并在700℃至1000℃的温度退火。退火步骤在低压气体存在下进行，形成化合物与 钨或钼。 该方法然后包括通过选择性攻击所述化合物消除的步骤。 ...
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公开(公告)号：EP0362081B1
公开(公告)日：1994-11-30
申请号：EP89420326.4
申请日：1989-09-06
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/90 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28052 , H01L21/28518 , Y10S148/019 , Y10S148/147
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5.发明公开Procédé de dépôt de cuivre sur un substrat et dispositif pour sa mise en oeuvre 失效一种用于金属的用于执行该方法的基板和装置上的沉积过程。
公开(公告)号：EP0573348A1
公开(公告)日：1993-12-08
申请号：EP93401398.8
申请日：1993-06-02
发明人： Torres, Joaquim , Palleau, Jean , Madar, Roland , Bernard, Claude
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/4488
摘要： Le procédé comprend :
(a) la production d'un halogénure métallique, in situ, à partir d'un moyen de production (11) inclus dans une chambre de réaction (10) contenant le substrat (30), par mise en contact d'un halogène gazeux avec un métal solide chauffé, et
(b) la réduction, dans ladite chambre de réaction (10), dudit halogénure métallique gazeux produit au cours de l'étape (a), en présence d'au moins un gaz réducteur, pour l'obtention d'un dépôt de métal pur, à une vitesse de l'ordre du µm par minute, sur ledit substrat.
Le dispositif comprend un moyen (11) de production in situ d'un halogénure de métal gazeux, qui comprend au moins en combinaison :
. une source d'halogène gazeux (22) ;
. un support (20) contenant un métal sous forme solide ;
. des moyens d'homogénéisation du flux de sortie de l'halogénure métallique gazeux formé, vers le substrat ;
et des moyens de chauffage et de régulation de sa température (21).摘要翻译： 该方法包括：（a）所述的生产金属卤化物的，原位，从生产（11）的手段包括在反应室（10）含有通过使气态卤素接触到一个加热的固体基材（30） 金属，和（b）在阶段过程中产生的所述气态金属卤化物的所述反应室（10）的还原（a）中，在至少一种还原性气体的存在下，以获得纯金属的沉积物，在 每分钟微米量级的速率，在所说基片。 该装置原位产生气态的金属卤化物，至少包括，在组合的包括装置（11），用于： - 卤素气体（22）的源; - 支撑（20）包含在固体形式的金属; - 用于均质伊辛形成的气态金属卤化物的出口流，朝向所述基板; 和加热装置和控制它的温度（21）。
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6.发明授权Procédé de dépôt de cuivre sur un substrat et dispositif pour sa mise en oeuvre 失效一种用于铜的用于执行该方法的基板和装置上的沉积过程
公开(公告)号：EP0573348B1
公开(公告)日：1997-03-26
申请号：EP93401398.8
申请日：1993-06-02
发明人： Torres, Joaquim , Palleau, Jean , Madar, Roland , Bernard, Claude
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/4488
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公开(公告)号：EP0443967B1
公开(公告)日：1995-07-05
申请号：EP91420055.5
申请日：1991-02-19
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Shiltz, André , Palleau, Jean , Torres, Joaquim
IPC分类号： H05K3/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/7688 , H01L21/0272 , H05K3/02 , H05K3/048 , H05K3/4076
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8.发明公开Procédé de nettoyage de surfaces métalliques oxydées dans la fabrication de réseaux d'interconnexions et plaquettes pour de tels réseaux 失效一种用于制备化合物的网络和电路板的这种网络清洁氧化的金属表面处理。
公开(公告)号：EP0518774A1
公开(公告)日：1992-12-16
申请号：EP92401628.0
申请日：1992-06-12
申请人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： C23G5/00 , C23C16/50 , H01L21/768 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/4864 , C23C14/022 , C23G5/00 , H01L21/321 , H01L21/76877
摘要： La présente invention concerne un procédé de nettoyage de surfaces métallisées oxydées mises en oeuvre dans la fabrication des plaquettes pour réseaux d'interconnexions, comportant au moins :
une première couche conductrice métallisée,
une couche diélectrique déposée sur la couche métallisée, puis gravée pour dénuder les surfaces à métalliser ou trous de contact, et
une seconde couche métallisée déposée sur la surface gravée,
caractérisé en ce que les plaquettes gravées sont traitées par plasma multipolaire micro-onde sous hydrogène avant le dépôt de la seconde couche métallisée.
Elle concerne également les plaquettes pour réseaux d'interconnexions dans lesquels les surfaces métallisées ont été nettoyées selon l'invention.摘要翻译： 用于清洁在互连网络板的制造中使用的氧化金属化表面，至少该方法包括： - 一个第一金属化导电层-a介电层沉积在所述金属化层上，然后蚀刻以暴露表面被金属化或接触孔，并 -a第二层金属化沉积在蚀刻的表面上，DASS蚀刻板用微波多极等离子体在氢气下在第二层金属化的沉积之前治疗。 因此，本发明涉及用于在其中金属化表面已被清洗雅丁发明互连网络板。
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9.发明授权
公开(公告)号：EP0316243B1
公开(公告)日：1992-07-22
申请号：EP88420373.8
申请日：1988-11-07
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/31 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/42 , H01L21/28518 , H01L21/76879 , Y10S148/147
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10.发明公开Procédé de lift-off mécanique d'une couche métallique sur un polymère 失效埃菲尔铁电公司阿尔伯邦einer Metallschicht auf einem聚合物。
公开(公告)号：EP0443967A1
公开(公告)日：1991-08-28
申请号：EP91420055.5
申请日：1991-02-19
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Shiltz, André , Palleau, Jean , Torres, Joaquim
IPC分类号： H05K3/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/7688 , H01L21/0272 , H05K3/02 , H05K3/048 , H05K3/4076
摘要： La présente invention concerne un procédé de lift-off d'une portion d'une couche métallique (4) d'une première substance dans lequel cette portion de première couche est formée sur un substrat d'un polymère diélectrique avec interposition d'une portion correspondante d'une couche intermédiaire (2). Ce procédé comprend les étapes suivantes :
sélectionner le matériau de la couche intermédiaire pour qu'il présente une interface à faible adhérence avec la couche métallique,
appliquer à la structure une contrainte mécanique d'où il résulte un décollement au niveau de ladite interface,
enlever chimiquement la couche intermédiaire.摘要翻译： 本发明涉及一种用于剥离第一物质的金属层（4）的一部分的方法，其中该第一层部分形成在介电聚合物的基底上，其中插入相应部分的中间层 （2）。 该方法包括以下步骤： - 选择中间层的材料，使其呈现与金属层具有低粘附性的界面， - 对结构施加机械应力，导致在所述界面的水平上脱粘， - 化学去除中间层。
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