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公开(公告)号：EP1340723A3
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：EP03004655.1
申请日：2003-03-03
发明人： Natura, Ute, Dr. , Menzel, Andreas , Alkemoer, Jochen, Dr. , Martin, Rolf , von der Gönna, Gordon, Dr. , Schmidt, Matthias , Coriand, Frank , Schmiady, Thomas , Sohr, Oliver, Dr. , Voitsch, Andreas
CPC分类号： C03B19/1423 , C03B2201/07 , C03B2201/20 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2207/06 , C03B2207/20 , C03B2207/36 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorform aus synthetischem Quarzglas, geeignet zur Beaufschlagung mit DUV-Strahlung im Wellenlängenbereich unter 250 nm, mit einem Kernbereich, der im wesentlichen frei von Schichtungen ist, dessen OH-Gehalt größer als 900 ppm, dessen CI-Gehalt kleiner als 50 ppm, und dessen H 2 -Verbrauch größer als 0,5 x 10 18 Moleküle/cm 3 ist, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die DUV-Widerstandfähigkeit durch einen relativen H 2 -Verbrauch gegeben ist, der mit zunehmender Energiedosis in eine Sättigung geht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorform aus Quarzglas vorgeschlagen, bei dem auf eine rotierende Fläche eine Brennerflamme gerichtet ist, und der Rohstoff SiCl 4 unter Anwesenheit von H 2 und O 2 bei Temperaturen oberhalb 2000° Celsius umgesetzt, zu SiO 2 auf der rotierenden Fläche abgeschieden und sofort glasig aufgeschmolzen wird, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Flamme durch die zentrale Mitteldüse 0,92 bis 1,12 kg/h SiCl 4 bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 15 m/s bis 21 m/s zugeführt wird.
摘要翻译： 用于波长低于250nm的深紫外（DUV）的合成石英玻璃预制件，其核心区域不含高于900ppm的OH含量，Cl含量低于50ppm，H 2含量高于0.5×10 18分子/ cm 3 具有通过增加能量剂量达到饱和的相对H 2消耗确定其DUV电阻。 还包括通过火焰水解方法制造预成型件的独立权利要求。
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公开(公告)号：EP1340723A2
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：EP03004655.1
申请日：2003-03-03
发明人： Natura, Ute, Dr. , Menzel, Andreas , Alkemoer, Jochen, Dr. , Martin, Rolf , von der Gönna, Gordon, Dr. , Schmidt, Matthias , Coriand, Frank , Schmiady, Thomas , Sohr, Oliver, Dr. , Voitsch, Andreas
CPC分类号： C03B19/1423 , C03B2201/07 , C03B2201/20 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2207/06 , C03B2207/20 , C03B2207/36 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorform aus synthetischem Quarzglas, geeignet zur Beaufschlagung mit DUV-Strahlung im Wellenlängenbereich unter 250 nm, mit einem Kernbereich, der im wesentlichen frei von Schichtungen ist, dessen OH-Gehalt größer als 900 ppm, dessen CI-Gehalt kleiner als 50 ppm, und dessen H 2 -Verbrauch größer als 0,5 x 10 18 Moleküle/cm 3 ist, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die DUV-Widerstandfähigkeit durch einen relativen H 2 -Verbrauch gegeben ist, der mit zunehmender Energiedosis in eine Sättigung geht.
Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorform aus Quarzglas vorgeschlagen, bei dem auf eine rotierende Fläche eine Brennerflamme gerichtet ist, und der Rohstoff SiCl 4 unter Anwesenheit von H 2 und O 2 bei Temperaturen oberhalb 2000° Celsius umgesetzt, zu SiO 2 auf der rotierenden Fläche abgeschieden und sofort glasig aufgeschmolzen wird, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Flamme durch die zentrale Mitteldüse 0,92 bis 1,12 kg/h SiCl 4 bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 15 m/s bis 21 m/s zugeführt wird.摘要翻译： 用于波长低于250nm的深紫外（DUV）的合成石英玻璃预制件，其核心区域不含高于900ppm的OH含量，Cl含量低于50ppm，H 2含量高于0.5×10 18分子/ cm 3 具有通过增加能量剂量达到饱和的相对H 2消耗确定其DUV电阻。 还包括通过火焰水解方法制造预成型件的独立权利要求。
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