摘要:
Zur Herstellung von Sekundärcoatings für Lichtwellenleiter werden Harze benötigt, die flüssig sind und aufgrund einer hohen Strahlenempfindlichkeit und einer Viskosität, die allenfalls den Zusatz relativ geringer Mengen an Verdünnungsmitteln erfordert, Sekundärcoatings ergeben, welche ein Einfriergebiet ≧ +60°C besitzen und mit den Primärcoatings, insbesondere auf der Basis von Urethanacrylaten, verträglich sind. Dies wird durch ein Harz erreicht, das ein Reaktionsprodukt von (Meth)acrylsäure bzw. -säurechlorid oder Isocyanatoalkyl-(meth)acrylat mit einem 1:2-Addukt aus einem Diepoxid mit einem mittleren Molekulargewicht ≦ 1000 und einem kurzkettigen α,ω-Diol mit einem mittleren Molekulargewicht ≦ 700 oder mit einem 1:2-Addukt aus einem Diepoxid mit einem mittleren Molekulargewicht ≦ 400 und einem einwertigen aliphatischen Alkohol mit einem mittleren Molekulargewicht ≦ 200 ist, wobei das Diepoxid ein aliphatisch-aromatischer oder aromatischer Diglycidylether, ein aliphatisches oder cycloaliphatisches Diepoxid oder ein siliciumorganisches Diepoxid ist, und wobei das kurzkettige α,ω-Diol ein α,ω-hydroxyterminiertes Polyoxyalkylen, ein α,ω-hydroxyterminierter Polyester, ein α,ω-hydroxyterminiertes Polybutadien, ein α,ω-hydroxyterminiertes organofunktionelles Polysiloxan oder ein α,ω-Alkandiol mit einem mittleren Molekulargewicht ≦ 200 ist. LWL-Coatings
摘要:
Zur Isolierung dünner Leitungen verwendete Harze sollen eine hohe Strahlenempfindlichkeit aufweisen und bei Applikationstemperatur flüssig sein; sie sollen ferner die Herstellung dielektrisch hochwertiger Isolationen ermöglichen. Dies wird durch ein Harz erreicht, das ein Reaktionsprodukt von Isocyanatoalkyl-(meth)acrylat, Isocyanatoaryl- (meth)acrylat oder einem 1:1-Addukt aus einem Hydroxyalkyl-(meth)acrylat und einem Diisocyanat mit einem difunktionellen perfluorierten Polyether folgender Struktur:
X-CF₂-O CF₂-CF₂-O CF₂-O CF₂-X
mit einem mittleren Molekulargewicht zwischen 500 und 10000 ist, wobei folgendes gilt: X = CH₂OH, m > m, n > 2. Isolation für dünne Leitungen
摘要:
Bei einer Einrichtung zur elektrolytischen Oberflächenbehandlung von schüttfähigem Gut (G) mit einer Wanne (W3) zur Aufnahme eines Behandlungsbades und mindestens einer in dem Behandlungsbad angeordneten Elektrode (A3) mit der entgegengesetzten Polarität des anodisch oder kathodisch kontaktierten Gutes (G) ist das schüttfähige Gut (G) mit mindestens einem Schwingförderer (Sf3) mit wendelförmig nach oben geführter Förderbahn durch das Behandlungsbad transportierbar. Um die Verweilzeiten des Gutes (G) im Behandlungsbad an die jeweiligen Erfordernisse anpassen zu können ist vorgesehen, daß das schüttfähige Gut (G) über eine wahlweise, vorzugsweise über eine Weiche (We), an das Ende des Schwingförderers (Sf3) anschließbare Rückführeinrichtung in den Anfangsbereich des Schwingförderers (Sf3) rückführbar ist. Die erfindungsgemäße Einrichtung ist für sämtliche Arten der elektrolytischen Oberflächenbehandlung und insbesondere für das galvanische Abscheiden von Aluminium aus aprotischen, sauerstoff- und wasserfreien, aluminiumorganischen Elektrolyten (E3) geeignet.
摘要:
Bei einer Schleuse (S3) zum Be- und/oder Entladen einer unter Luftabschluß arbeitenden Behandlungseinrichtung (E1) für schüttfähiges Gut (G), insbesondere einer Aluminiereinrichtung, mit mindestens einer mit Inertflüssigkeit (If) füllbaren und mit inertgas (Ig) beaufschlagbaren U-förmigen Schleusenkammer (Sk3) ist das schüttfähige Gut (G) mittels eines Schwingförderers (Sf4) mit einer wendelförmig nach oben führenden Förderbahn (F4) durch den aufwärtsführenden Schenkel der U-förmigen Schleusenkammer (Sk3) transportierbar. Ein derartiger Schwingförderer (Sf4) wirft hinsichtlich der Abdichtung keine Probleme auf und gewährleistet außerdem eine schonende Förderung des schüttfähigen Gutes (G). Vorzugsweise ist die Förderbahn (F4) des Schwingförderers (Sf4) durch den Boden der wendelförmig nach oben führenden Schleusenkammer (Sk3) gebildet, welche über einen Vibrator (V4) in Schwingungen versetzt wird.
摘要:
Die Erfindung betrifft neue Vinylcarbazol-Copolymere und -Terpolymere. Die neuen Verbindungen sind durch die allgemeine Formel gekennzeichnet, worin n + m = 1 ist und für die Reste R, X, Y und Z folgendes gilt:
R = H, Halogen (F, Cl, Br, J), -CH 2 -Halogen oder -CH 2 -CH 2 -Halogen (Reste R gleich oder verschieden); X = H, CH 3 oder C 2 H 5 ; Y = H, Cl oder Br, wobei die Reste Y gleich oder verschieden sein können; und Z = 0 oder S.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen eignen sich als Materialen zur Herstellung von Resiststrukturen.